標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 11297.9-2015 熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切tanδ的測(cè)試方法》與之前的版本《GB/T 11297.9-1989》相比,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新和調(diào)整:

  1. 技術(shù)內(nèi)容的更新:新版標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)當(dāng)前熱釋電材料的技術(shù)發(fā)展和測(cè)試技術(shù)的進(jìn)步,對(duì)測(cè)試原理、設(shè)備要求、測(cè)試條件及步驟等核心內(nèi)容進(jìn)行了修訂,以確保測(cè)試方法的準(zhǔn)確性和適用性。

  2. 測(cè)試精度提升:為適應(yīng)高精度測(cè)量需求,2015版標(biāo)準(zhǔn)可能引入了更嚴(yán)格的誤差控制標(biāo)準(zhǔn)和校準(zhǔn)程序,旨在提高測(cè)試結(jié)果的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

  3. 儀器設(shè)備要求:鑒于科技進(jìn)步,新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)試所用的儀器設(shè)備性能提出了新的要求,可能包括但不限于更高的頻率范圍、更精確的測(cè)量功能以及數(shù)據(jù)處理能力的增強(qiáng),以符合現(xiàn)代實(shí)驗(yàn)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)。

  4. 測(cè)試程序的優(yōu)化:對(duì)測(cè)試程序進(jìn)行了優(yōu)化,可能包括簡(jiǎn)化操作流程、明確關(guān)鍵步驟的執(zhí)行細(xì)節(jié),以及增加對(duì)測(cè)試環(huán)境控制的具體指導(dǎo),從而幫助用戶(hù)更有效地進(jìn)行測(cè)試。

  5. 安全規(guī)范的加強(qiáng):考慮到實(shí)驗(yàn)室安全的重要性,新標(biāo)準(zhǔn)可能加入了更多關(guān)于操作安全、樣品處理及廢棄物處置的規(guī)定,以保障實(shí)驗(yàn)人員的安全和環(huán)境保護(hù)。

  6. 術(shù)語(yǔ)和定義的完善:根據(jù)行業(yè)發(fā)展的需要,2015版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)相關(guān)專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)和定義進(jìn)行了修訂或增補(bǔ),使得標(biāo)準(zhǔn)的表述更加清晰、統(tǒng)一,便于讀者理解。

  7. 標(biāo)準(zhǔn)化引用文件更新:為了保持與其他現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)的一致性,新標(biāo)準(zhǔn)更新了參考文獻(xiàn)和引用標(biāo)準(zhǔn)清單,確保所有引用均為最新有效版本。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2015-12-31 頒布
  • 2016-07-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 11297.9-2015熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切tanδ的測(cè)試方法_第1頁(yè)
GB/T 11297.9-2015熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切tanδ的測(cè)試方法_第2頁(yè)
GB/T 11297.9-2015熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切tanδ的測(cè)試方法_第3頁(yè)
GB/T 11297.9-2015熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切tanδ的測(cè)試方法_第4頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31020

L90.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T112979—2015

代替.

GB/T11297.9—1989

熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切tanδ的

測(cè)試方法

Testmethodfordielectrictangentoflossangleofpyroelectricmaterials

2015-12-31發(fā)布2016-07-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切tanδ的

測(cè)試方法

GB/T11297.9—2015

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線(xiàn)

:400-168-0010

年月第一版

20162

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-52306

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

GB/T112979—2015

.

前言

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切δ的測(cè)試方法本部分與

GB/T11297.9—1989《tan》。

相比主要技術(shù)變化如下

GB11297.9—1989,:

修改了適用的頻率范圍見(jiàn)第章

———(1);

修改了試樣尺寸要求見(jiàn)第章年版

———(6,19893.2);

增加了測(cè)量引線(xiàn)的要求見(jiàn)第章

———(7);

修改了頻率最大允許誤差見(jiàn)第章年版

———(7,19894.2);

修改了δ值的測(cè)量最大允許誤差見(jiàn)第章年版

———tan(7,19894.1);

修改了試樣處理見(jiàn)年版

———(8.1,19895.1);

增加了先將樣品盒放入恒溫器內(nèi)再將樣品夾具接入樣品盒內(nèi)和通過(guò)儀器的開(kāi)路和短路校

———“,”

準(zhǔn)直接測(cè)得試樣的介質(zhì)損耗角正切δ見(jiàn)

,tan[8.2b)~f)]。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本部分由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院歸口

。

本部分起草單位中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所

:。

本部分主要起草人姚春華曹菲董顯林王根水王永齡

:、、、、。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T11297.9—1989。

GB/T112979—2015

.

熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切tanδ的

測(cè)試方法

1范圍

本部分規(guī)定了熱釋電陶瓷晶體和有機(jī)材料在范圍的介質(zhì)損耗角正切δ的測(cè)

、100Hz~100kHztan

量方法

。

本部分適用于測(cè)量鈦酸鉛鋯鈦酸鉛鈦酸鍶鋇鉭鈧酸鉛等熱釋電陶瓷材料和鈮鎂酸鉛鉭酸鋰

、、、、、

三甘氨酸硫酸鹽族等熱釋電晶體材料的介質(zhì)損耗角正切δ也適用于測(cè)量其他類(lèi)似陶瓷晶體及有

tan,、

機(jī)熱釋電材料的介質(zhì)損耗角正切δ

tan。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

紅外探測(cè)材料中半導(dǎo)體光電材料和熱釋電材料常用名詞術(shù)語(yǔ)

SJ/T11067

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

SJ/T11067。

31

.

介質(zhì)損耗dielectricloss

任何電介質(zhì)包括熱釋電材料在交變電場(chǎng)作用下由于發(fā)熱而產(chǎn)生的電能損耗

()。

4測(cè)量原理

衡量這種損耗大小的因子是δ稱(chēng)為介質(zhì)損耗角δ的正切值是一個(gè)無(wú)量綱物理量介質(zhì)損耗

tan,(),。

角δ表示為有功功率P與無(wú)功功率Q的比值見(jiàn)式

()()(),(1)。

P

δ=

tanQ…………(1)

介質(zhì)損耗角正切δ的測(cè)量和計(jì)算方法有兩種等效電路圖分別表示這兩種等效電路及其矢

(tan),1

量圖解

。

由圖可見(jiàn)并聯(lián)損耗角正切可表示為式

1,(2):

I

δ=R=1

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