標(biāo)準解讀
《GB/T 11446.6-2013 電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法》與前版《GB/T 11446.6-1997》相比,主要在以下幾個方面進行了更新和調(diào)整:
-
技術(shù)內(nèi)容的修訂:新版標(biāo)準對測試原理、試劑配制、樣品處理步驟以及測量條件等方面進行了細化和優(yōu)化,以提高測試的準確性和可重復(fù)性。例如,可能對顯色反應(yīng)條件、波長選擇、空白校正等具體操作給出了更明確的指導(dǎo)。
-
儀器要求的提升:鑒于科技進步,2013版標(biāo)準可能對使用的分光光度計等檢測儀器的性能指標(biāo)提出了更高要求,包括但不限于精度、穩(wěn)定性、檢測限等方面,以適應(yīng)現(xiàn)代實驗室分析的需要。
-
適用范圍的明確:新標(biāo)準可能對適用的電子級水類型(如超純水、高純水等)及其二氧化硅含量范圍做了更清晰的界定,確保測試方法的針對性和實用性。
-
精密度和準確度的要求:為了保證測試結(jié)果的可靠性,2013版標(biāo)準可能新增或修訂了關(guān)于測定結(jié)果精密度和準確度的具體要求,包括重復(fù)性限、再現(xiàn)性限及與參考方法的比較驗證等內(nèi)容。
-
環(huán)保與安全考慮:隨著對實驗室安全與環(huán)境保護意識的增強,新標(biāo)準可能加入了關(guān)于試劑使用、廢棄物處理的安全指導(dǎo)和環(huán)保要求,旨在減少實驗操作對環(huán)境的影響和保障操作人員安全。
-
術(shù)語與定義的更新:為與國際標(biāo)準接軌,2013版可能對相關(guān)專業(yè)術(shù)語進行了修訂或增補,使其更加準確、統(tǒng)一,便于國內(nèi)外交流。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2013-12-31 頒布
- 2014-08-15 實施




文檔簡介
ICS31-030
L90
中華人民共和國國家標(biāo)準
GB/T114466—2013
代替.
GB/T11446.6—1997
電子級水中二氧化硅的
分光光度測試方法
TestmethodforSiO2inelectronic
gradewaterbyspectrophotometer
2013-12-31發(fā)布2014-08-15實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準化管理委員會
中華人民共和國
國家標(biāo)準
電子級水中二氧化硅的
分光光度測試方法
GB/T11446.6—2013
*
中國標(biāo)準出版社出版發(fā)行
北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號
2(100013)
北京市西城區(qū)三里河北街號
16(100045)
網(wǎng)址
:
服務(wù)熱線
:400-168-0010
年月第一版
20144
*
書號
:155066·1-48678
版權(quán)專有侵權(quán)必究
GB/T114466—2013
.
前言
預(yù)計結(jié)構(gòu)如下
GB/T11446:
電子級水
———GB/T11446.1;
待定
———GB/T11446.2();
電子級水測試方法通則
———GB/T11446.3;
電子級水電阻率的測試方法
———GB/T11446.4;
電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法
———GB/T11446.5;
電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法
———GB/T11446.6;
電子級水中痕量陰離子的離子色譜測試方法
———GB/T11446.7;
電子級水中總有機碳的測試方法
———GB/T11446.8;
電子級水中微粒的儀器測試方法
———GB/T11446.9;
電子級水中細菌總數(shù)的濾膜培養(yǎng)測試方法
———GB/T11446.10。
本部分為的第部分
GB/T114466。
本部分按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本部分代替電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法
GB/T11446.6—1997《》。
本部分與相比主要有下列變化
GB/T11446.6—1997,:
將干擾因素修改為干擾因素見第章
———“9”“5”(5);
工作曲線的繪制中根據(jù)待測水樣中二氧化硅含量明確將工作曲線分為兩組見和
———“”,,(9.1.1
9.1.2);
增加了對水樣獨立進行兩次測定取其平均值見
———“,”(9.3.3)。
本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本部分由中國電子技術(shù)標(biāo)準化研究所歸口
。
本部分起草單位信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所中國電子技
:、、
術(shù)標(biāo)準化研究院中國電子科技集團公司第四十六研究所
、。
本部分主要起草人王奕褚連青何秀坤段曙光提劉旺劉筠
:、、、、、。
本部分所代替標(biāo)準的歷次版本發(fā)布情況為
:
———GB/T11446.6—1989、GB/T11446.6—1997。
Ⅰ
GB/T114466—2013
.
電子級水中二氧化硅的
分光光度測試方法
1范圍
的本部分規(guī)定了電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法
GB/T11446。
本部分適用于電子級水中二氧化硅的測定其中檢出限為
,1μg/L。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
電子級水
GB/T11446.1—2013
電子級水測試方法通則
GB/T11446.3—2013
3術(shù)語和定義
界定的術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T11446.3—2013。
4方法原理
水中可溶性硅在酸性介質(zhì)中與鉬酸銨反應(yīng)生成黃色硅銅雜多酸
(pH=1~2)(NH4)2H6
用還原劑氨基萘酚磺酸還原黃色的硅鉬雜多酸為硅鉬藍然后用分光光
[Si(MO2O7)6]·H2O,1--2--4-,
度計測定硅鉬藍的吸光度計算出水中可溶性硅量水中非溶性硅可用氫氟酸溶解進行全硅的測定
,。,。
5干擾因素
51磷酸鹽與砷酸鹽等在測定條件下生成相應(yīng)的藍色雜多酸可用草酸酒石酸等羥基酸消除砷磷的
.,、、
干擾
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