高三化學(xué)高考備考一輪復(fù)習(xí)-含硅化合物的轉(zhuǎn)化練習(xí)題

第=page2323頁，共=sectionpages2323頁第=page2424頁，共=sectionpages11頁高三化學(xué)一輪熱點(diǎn)專題復(fù)習(xí)-含硅化合物的轉(zhuǎn)化練習(xí)題一、單選題（共13小題）化學(xué)與生活、環(huán)境密切相關(guān)，下列有關(guān)說法正確的是A.麒麟990?5G手機(jī)芯片主要成分是二氧化硅，一種新型無機(jī)非金屬材料

B.PM2.5是指懸浮在空氣中的粒子直徑小于或等于2.5微米的可吸入顆粒物

C.傳統(tǒng)煙花在制作時(shí)常添加含有鉑、鐵、鈉、鍶、鋇等金屬元素的發(fā)光劑，使其燃放時(shí)呈現(xiàn)美麗的顏色

D.新裝修的室內(nèi)常用活性炭來進(jìn)行空氣的凈化殺菌，屬于物理變化“類推”這種思維方法在化學(xué)學(xué)習(xí)與研究中有時(shí)會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤結(jié)論，因此類推的結(jié)論最終要經(jīng)過實(shí)踐的檢驗(yàn)才能確定正確與否。下列幾種類推說法敘述正確的是A.金屬鈉可以和鹽酸反應(yīng)產(chǎn)生氫氣，金屬鋁也可以和鹽酸反應(yīng)產(chǎn)生氫氣

B.CO2可溶于水形成碳酸，是碳酸的酸酐，SiO2也可溶于水形成硅酸，是硅酸的酸酐

C.SO3可與BaCl2溶液反應(yīng)生成BaSO4，S在給定條件下，下列選項(xiàng)所示的物質(zhì)間轉(zhuǎn)化不能全部實(shí)現(xiàn)的是A.

B.SiO2(s)NaOH(aq)Na22020年5月新修訂的《北京市生活垃圾管理?xiàng)l例》將正式實(shí)施，垃圾分類并回收利用，可以減少污染，保護(hù)環(huán)境，節(jié)約自然資源，而環(huán)境保護(hù)與化學(xué)知識(shí)息息相關(guān)，下列有關(guān)說法正確的是(

)A.廢舊電池中含有鎳、鎘等重金屬，不可用填埋法處理，屬于有害垃圾

B.各種玻璃制品的主要成分是硅酸鹽，不可回收利用，屬于其他(干)垃圾

C.廢棄的聚乙烯塑料屬于可回收垃圾，不易降解，能使溴水褪色

D.含棉、麻、絲、毛及合成纖維的廢舊衣物燃燒處理時(shí)都只生成CO2在給定條件下，下列選項(xiàng)所示的物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化均能實(shí)現(xiàn)的是(????)A.

B.

C.

D.《厲害了，我的國》展示了中國探索太空，開發(fā)深海，建設(shè)世界第一流的高鐵、橋梁、碼頭，5G技術(shù)聯(lián)通世界等取得的舉世矚目的成就。它們與化學(xué)有著密切聯(lián)系。下列說法不正確的是(????)A.為打造生態(tài)文明建設(shè)，我國大力發(fā)展核電、光電、風(fēng)電、水電，電能屬于二次能源

B.“神舟十一號(hào)”宇宙飛船返回艙外表面使用的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷的主要成分是硅酸鹽

C.我國提出網(wǎng)絡(luò)強(qiáng)國戰(zhàn)略，光纜線路總長超過三千萬公里，光纜的主要成分是二氧化硅

D.C919大型客機(jī)使用了大量先進(jìn)復(fù)合材料、鋁鋰合金等，鋁鋰合金可減輕機(jī)身自重根據(jù)“玉兔二號(hào)”提供的一個(gè)暗綠色閃光的石塊信息進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)石塊主要由約45%的斜長石(CaAl2Si2O8)、7%的輝石XYAl2?2nSi2O6(XA.既是硅酸鹽材料，又是金屬材料

B.斜長石(CaAl2Si2O8)不穩(wěn)定易水解

C.若輝石中n=1、Y為V鋁土礦的主要成分中含有氧化鋁、氧化鐵和二氧化硅(假設(shè)雜質(zhì)不參與反應(yīng)且不溶于水)，工業(yè)上可經(jīng)過下列工藝冶煉金屬鋁。(分離操作略)

下列說法錯(cuò)誤的是(????)A.①、②分別過濾后得到的濾渣主要是

SiO2、Fe(OH)3

B.b

溶液中大量存在的離子有

Na+、OH?、AlO2?、Cl?

C.③中需要通入過量的

NH某同學(xué)要在奧運(yùn)五連環(huán)中填入物質(zhì)，使相連物質(zhì)間能發(fā)生反應(yīng)，不相連物質(zhì)間不能發(fā)生反應(yīng)。你認(rèn)為五連環(huán)中有空缺的一環(huán)應(yīng)填入的物質(zhì)是(????)A.稀硫酸 B.氧氣 C.二氧化碳 D.氯化鈉甲、乙、丙、丁、戊五種物質(zhì)是中學(xué)化學(xué)常見的物質(zhì)，其中甲、乙均為單質(zhì)，它們的轉(zhuǎn)化關(guān)系如圖所示(某些條件和部分產(chǎn)物已略去)。下列說法正確的是(????)

A.若甲可以與NaOH溶液反應(yīng)放出H2，則丙一定是兩性氧化物

B.若甲為短周期中最活潑的金屬，且戊為堿，則丙生成戊一定是氧化還原反應(yīng)

C.若丙、丁混合產(chǎn)生大量白煙，則乙可能會(huì)使高錳酸鉀溶液褪色

D.若甲、丙、戊都含有同一種元素，則三種物質(zhì)中，該元素的化合價(jià)由低到高的順序可能為甲<丙<實(shí)驗(yàn)室模擬工業(yè)上以鋁土礦(含Al2O3、Fe2O3、A.固體a的化學(xué)式為SiO2

B.固體b的化學(xué)式為Fe(OH)3

C.Ⅲ中通入足量CO2氣體發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為2AlO2?+CO圖中反應(yīng)①是制備SiH4的一種方法，其副產(chǎn)物MgCl2A.A2B的化學(xué)式為Mg2Si

B.該流程中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是NH3和NH4Cl

C.分別將高純硅是現(xiàn)代信息、半導(dǎo)體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上提純硅有多種路線，其中一種工藝流程示意圖及主要反應(yīng)如圖，下列說法正確的是(????)A.自然界中存在大量的單質(zhì)硅

B.SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量的SiCl4(沸點(diǎn)67.6℃)，通過蒸餾(或分餾)可提純SiHCl3

二、填空題（共6小題）摩擦劑是牙膏的主體成分，SiO2是一種常見的摩擦劑。

(1)Si在元素周期表中的位置是______。

(2)根據(jù)用途推測SiO2在水中的溶解性：______(填“易溶”或“難溶”)。

(3)制備SiO2的方法如圖：

①寫出反應(yīng)Ⅰ的離子方程式______。

②比較酸性強(qiáng)弱：H2SO4______H2SiO3(填“>”或“<”)。

(4)為滿足不同需求，牙膏中還會(huì)添加一些特殊物質(zhì)，如含氟牙膏中添加氟化亞錫(SnF2)。錫的原子結(jié)構(gòu)示意圖如圖。

下列說法正確的是______(填序號(hào))。

a.Sn工業(yè)制玻璃時(shí)，發(fā)生的主要化學(xué)方程式為：Na2CO3+SiO2→高溫Na2SiO3+CO2↑。完成下列填空：

(1)硅元素在周期表中的位置為______，硅原子核外具有______種不同能量的電子，寫出最外層電子的電子排布式：______。

(2)寫出CO2的電子式______，其中含有的化學(xué)鍵是______(填“極性鍵”或“非極性鍵”)，屬于______分子(“極性”或“非極性”)。

(3)在上述反應(yīng)中，反應(yīng)物和生成物的晶體類型共有______種；熔點(diǎn)SiO2______CO2(填“>”、“<”或“=”)，原因是______。

(4)上述物質(zhì)中的非金屬元素原子半徑由大到小順序?yàn)開_____(用元素符號(hào)表示)，下列能判斷它們的非金屬性強(qiáng)弱的依據(jù)是______(選填編號(hào))。

a.氣態(tài)氫化物的熔沸點(diǎn)

b.最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性

c.氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性

d.三種元素兩兩形成的化合物中電子對(duì)偏向

氮化硅熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，是一種性能優(yōu)異的無機(jī)非金屬材料。如圖是利用石英砂(主要成分為SiO2)生產(chǎn)高純硅和氮化硅(Si3N4)的一種流程：

回答下列問題：

(1)畫出硅的原子結(jié)構(gòu)示意圖______，氮化硅中氮元素的化合價(jià)______。

(2)下列不能與SiO2反應(yīng)的物質(zhì)是______(填字母)。

a.NaOH溶液

b.氫氟酸

c.H2SO4

d.Na2CO3

(3)SiHCl3→高純硅的化學(xué)方程式為______。反應(yīng)②中的氧化劑和還原劑的物質(zhì)的量之比為1：3，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式______。

硅在地殼中的含量較高，硅及其化合物的開發(fā)由來已久。高純硅是現(xiàn)代信息、半導(dǎo)體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上提純硅有多種路線，其中一種工藝流程示意圖及主要反應(yīng)如下。

(1)工業(yè)上用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱到1600℃～1800℃生成粗硅的化學(xué)方程式為______。

(2)在流化床反應(yīng)的產(chǎn)物中，SiHCl3大約占85%，還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等，粗硅生成SiHCl3的化學(xué)反應(yīng)方程式______物質(zhì)SiSiCSiHCSiSiHClSi熔點(diǎn)/℃1410?70.4?126.5?122?118?114.2?185沸點(diǎn)/℃235557.631.88.2?30.4?84.9?111.9(4)還原爐中發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)為：______。

(5)上述工藝生產(chǎn)中循環(huán)使用的物質(zhì)除Si、SiHCl3外，還有______金屬釔是稀土元素中含量最豐富的元素之一，主要存在于硅鈹釔礦等礦石中。我國蘊(yùn)藏著豐富的硅鈹釔礦(Y2FeBe2Si2O10)，以此礦石為原料生產(chǎn)氧化釔(Y2O3)的主要流程如圖。

請(qǐng)回答下列問題：

(1)硅鈹釔礦石中Y的化合價(jià)是+3價(jià)，F(xiàn)e的化合價(jià)是______，寫出用氧化物形式表示硅鈹釔礦石組成的化學(xué)式：______。Be與A1性質(zhì)相似，寫出Be的氧化物與氫氧化鈉“共熔”時(shí)的化學(xué)方程式：______。

(2)“共熔”時(shí)，可選擇的容器是______(填“石英”、“氧化鋁耐高溫”或“生鐵”)坩堝?！盀V液Ⅰ”中溶質(zhì)的主要成分除過量的NaOH外，還有______。(填化學(xué)式)

(3)除雜?！盀V渣Ⅰ”的主要成分為Y(OH)3、Fe2O3，酸浸使Y(OH)3，F(xiàn)e2O3轉(zhuǎn)化為Y3+，F(xiàn)e3+，再用氨水調(diào)節(jié)pH<6.0，使Fe3+沉淀完全，檢驗(yàn)Fe3+沉淀完全的操作方法是______。

(4)沉釔。往“濾液Ⅱ”中先加氨水調(diào)節(jié)pH=8.22019年華為推出全球首款5G芯片麒麟990，芯片的主要材料由硅制作，硅的純度高達(dá)99.9999999%.工業(yè)上粗硅提純的主體工藝流程如圖。

(一)“粗硅”與“干燥HCl”在300℃時(shí)反應(yīng)生成1molSiHCl3氣體和氫氣，放出225kJ熱量。

(1)該反應(yīng)的△S______0.(填“>”、“<”、“=”)

(2)寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式______。

(二)將SiCl4氫化為SiHCl3的方法有三種，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)依次為：

Ⅰ.SiCl4(g)+H2(g)?SiHCl3(g)+HCl(g)△H1>0

Ⅱ.3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)?4SiHCl3(g)△H2<0

Ⅲ.2SiCl4(g)+H2(g)+Si(s)+HCl(g)?3SiHCl3(g)△H3

(3)寫出反應(yīng)Ⅱ的化學(xué)平衡常數(shù)表達(dá)式______。

(4)不同溫度下，反應(yīng)ⅡSiCl4轉(zhuǎn)化率如圖1所示，下列敘述不正確的是______。

a.B點(diǎn)：v正>v逆

b.正反應(yīng)速率：A點(diǎn)>E答案和解析1.【答案】B

【解析】【分析】

本題考查化學(xué)與生產(chǎn)、生活的關(guān)系，側(cè)重材料及應(yīng)用、環(huán)境保護(hù)等熱點(diǎn)問題的考查，試題有利于學(xué)生的分析、理解能力及靈活應(yīng)用基礎(chǔ)知識(shí)的能力的提高，難度不大。

【解答】

A.芯片主要成分是硅，故A錯(cuò)誤；

B.PM2.5是指懸浮在空氣中的粒子直徑小于或等于2.5微米的可吸入顆粒物，故B正確；

C.鉑、鐵燃燒火焰無顏色，故C錯(cuò)誤；

D.活性炭無殺菌作用，故D錯(cuò)誤。

2.【答案】A

【解析】【分析】

本題考查了“類推”這種思維方法在化學(xué)學(xué)習(xí)中的應(yīng)用，試題難度不大，注意元素及其化合物知識(shí)的積累。

【解答】

A.金屬鈉可以和鹽酸反應(yīng)產(chǎn)生氫氣，金屬鋁也可以和鹽酸反應(yīng)產(chǎn)生氫氣，A正確；

B.SiO2不溶于水，B錯(cuò)誤；

C.SO2不可與BaCl2溶液反應(yīng)生成BaSO3，C3.【答案】D

【解析】【分析】

本題考查了物質(zhì)性質(zhì)、物質(zhì)轉(zhuǎn)化、反應(yīng)產(chǎn)物的分析判斷等，掌握基礎(chǔ)是解題關(guān)鍵，題目難度不大。

【解答】

A.碳酸氫鈉受熱分解生成碳酸鈉，碳酸鈉和氫氧化鈣反應(yīng)生成氫氧化鈉和碳酸鈣，NaHCO3(s)→△Na2CO3澄清石灰水NaOH(aq)可以實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)化，故A不選；

B.硅和氫氧化鈉溶液反應(yīng)生成硅酸鈉，硅酸鈉與二氧化碳、水反應(yīng)生成硅酸和碳酸鈉，SiO2(s)4.【答案】A

【解析】【分析】

本題考查了化學(xué)與生產(chǎn)生活關(guān)系，側(cè)重考查生活中常見的環(huán)境污染問題，明確聚乙烯塑料、蛋白質(zhì)、纖維素成分，熟悉垃圾成分及處理方法是解題關(guān)鍵，題目難度不大。

【解答】

A.廢舊電池中含有鎳、鎘等重金屬，能夠引起土壤、水體污染，不可用填埋法處理，故A正確；

B.各種玻璃制品的主要成分是硅酸鹽，可回收利用，屬于可回收垃圾，故B錯(cuò)誤；

C.聚乙烯中不含碳碳雙鍵，不能使溴水褪色，故C錯(cuò)誤；

D.絲、毛成分為蛋白質(zhì)，含有氮、碳、氧、氫等元素，灼燒除了生成二氧化碳和水，還會(huì)生成含氮物質(zhì)，故D錯(cuò)誤；

故選：A。

5.【答案】B

【解析】解：A.高溫時(shí)，F(xiàn)e與H2O(g)反應(yīng)生成四氧化三鐵和氫氣，不生成Fe2O3，不能實(shí)現(xiàn)物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化，故A錯(cuò)誤；

B.Br2與SO2、水反應(yīng)生成HBr，HBr是強(qiáng)酸，能與金屬氧化物反應(yīng)，所以HBr能與氧化鋁反應(yīng)生成AlBr3溶液，能實(shí)現(xiàn)物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化，故B正確；

C.CuCl2溶液與葡萄糖不反應(yīng)，在加熱條件下，葡萄糖溶液能與新制的氫氧化銅懸濁液反應(yīng)生成Cu2O，不能實(shí)現(xiàn)物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化，故C錯(cuò)誤；

D.Si與HCl溶液不反應(yīng)，Si與氯氣在高溫下反應(yīng)生成SiCl4，不能實(shí)現(xiàn)物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化，故D錯(cuò)誤；

故選：B。

A.高溫時(shí)，F(xiàn)e與H2O(g)反應(yīng)生成四氧化三鐵和氫氣；

B.Br6.【答案】B

【解析】【分析】

本題考查了材料的分類、能源的劃分、物質(zhì)的用途，熟悉常見材料類型、能源分類依據(jù)，把握硅及其化合物性質(zhì)用途是解題關(guān)鍵，題目難度不大。

【解答】

A.我國近年來大量減少化石燃料的燃燒，大力發(fā)展核電、光電、風(fēng)電、水電，電能屬于二次能源，故A正確；

B.高溫結(jié)構(gòu)陶瓷屬于新型無機(jī)非金屬材料，主要成分不是硅酸鹽材料，故B錯(cuò)誤；

C.光纜的主要成分是二氧化硅，故C正確；

D.金屬材料包括純金屬以及它們的合金，鋁鋰合金屬于金屬材料，故D正確。

故選B。

7.【答案】C

【解析】解：A.由化學(xué)式可知，斜長石、輝石、橄欖石的主要成分中都含硅元素，屬于硅酸鹽材料；金屬材料是指金屬元素或以金屬元素為主構(gòu)成的具有金屬特性的材料的統(tǒng)稱，主要包括純金屬或合金，則三石不屬于金屬材料，故A錯(cuò)誤；

B.由化學(xué)式可知，斜長石是性質(zhì)穩(wěn)定、不易水解的硅酸鹽，故B錯(cuò)誤；

C.若輝石中n=1，Y為V3+，由化學(xué)式可知，輝石中不含有鋁元素，設(shè)X元素的化合價(jià)為+a，由化合價(jià)代數(shù)和為0可得：a+3+4×2—2×6=0，解得a=1，則X可能為Na+，故C正確；

D.橄欖石屬于硅酸鹽，可以用鹽的形式表示，也可以用氧化物的形式表示，當(dāng)用氧化物形式表示時(shí)，若橄欖石中M只表示Mg，氧化物形式為2MgO?SiO2，則橄欖石的氧化物形式不一定為MgO?FeO?SiO2，故D錯(cuò)誤；

故選：C。

A.硅酸鹽屬于非金屬材料；

B.各種硅酸鹽材料在常溫條件下穩(wěn)定，不易分解；8.【答案】C

【解析】【分析】

本題考查了鋁土礦中提取Al的工藝流程，注意除雜試劑的選擇和物質(zhì)的分離方法，同時(shí)涉及了鋁的化合物的性質(zhì)，題目難度中等。

【解答】

鋁土礦加鹽酸生成Al3+和Fe3+，二氧化硅不溶于鹽酸，所以要過濾，分離出二氧化硅和雜質(zhì)；濾液中加過量NaOH，Al3+轉(zhuǎn)化為AlO2?、Fe3+轉(zhuǎn)化為Fe(OH)3沉淀，過濾除去Fe(OH)3沉淀，向?yàn)V液中通過量的二氧化碳，會(huì)生成Al(OH)3沉淀，Al(OH)3分解生成Al2O3，最后電解熔融的Al2O3生成Al，

A、①、②分別過濾后得到的濾渣主要是SiO2、Fe(OH)3，故A正確；

B、b溶液是偏鋁酸鈉、氯化鈉和氫氧化鈉的混合溶液，所以溶液中大量存在的離子有Na+、OH?、AlO2?、9.【答案】C

【解析】解：由信息可知，相連環(huán)物質(zhì)間能發(fā)生反應(yīng)，不相連環(huán)物質(zhì)間不能發(fā)生反應(yīng)，F(xiàn)e+2HCl=FeCl2+H2↑，HCl+NaOH=NaCl+H2O，二氧化碳為酸性氧化物和氫氧化鈉溶液反應(yīng)生成鹽和水，二氧化碳高溫下和碳反應(yīng)生成一氧化碳，CO2+2NaOH=Na2CO3+H2O，CO10.【答案】D

【解析】【分析】

本題考查無機(jī)物的推斷，為高頻考點(diǎn)，側(cè)重考查學(xué)生的分析能力以及元素化合物知識(shí)的綜合理解和運(yùn)用，熟悉物質(zhì)的性質(zhì)及轉(zhuǎn)化關(guān)系圖中的反應(yīng)是解答本題的關(guān)鍵，注意選項(xiàng)D為解答的難點(diǎn)，符合甲、丙、戊中同種元素的化合價(jià)升高為非金屬元素或變價(jià)金屬元素，題目難度較大。

【解答】

A.甲為單質(zhì)，若甲可以與NaOH溶液反應(yīng)放出H2，則甲為Al或Si，所以丙可能是氧化鋁，也可能是二氧化硅，不一定是兩性氧化物，故A錯(cuò)誤；

B.若甲為短周期中最活潑的金屬，且戊為堿，則甲為Na，乙為氧氣，所以丙可以為氧化鈉或過氧化鈉，當(dāng)丙為氧化鈉時(shí)，丙生成戊不是氧化還原反應(yīng)，故B錯(cuò)誤；

C.丙、丁混合產(chǎn)生白煙，則丙、丁可為HCl和NH3或HNO3和NH3等，甲、乙均為單質(zhì)，則乙可能是氯氣、氫氣或氮?dú)?，都不能使高錳酸鉀溶液褪色，故C錯(cuò)誤；

D.若甲、丙、戊含有同一種元素，例如當(dāng)甲為S、乙為氧氣、丙為二氧化硫、丁為HClO等具有強(qiáng)氧化性的物質(zhì)、戊為硫酸時(shí)，則含S元素的物質(zhì)中S的化合價(jià)由低到高的順序?yàn)榧?lt;丙<戊，故11.【答案】C

【解析】【分析】

本題以物質(zhì)的制備流程為載體考查離子方程式正誤判斷、物質(zhì)分離的方法以及物質(zhì)成分的判斷等，試題難度一般。

【解答】

A.鋁土礦加入鹽酸后，氧化鋁、氧化鐵溶解，二氧化硅不反應(yīng)，因此固體a為二氧化硅，故A正確；

B.II中加入過量的氫氧化鈉溶液產(chǎn)生的紅褐色沉淀為氫氧化鐵，故B正確；

C.Ⅲ中通入足量CO2氣體發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為：AlO2?+CO2+2H2O=HCO3?+Al(OH)3↓12.【答案】C

【解析】解：A、A2B的化學(xué)式為Mg2Si，故A正確；

B、如在溶液中，則可生成氫氧化鎂沉淀，由流程可知MgCl2?6NH3分別加熱、與鹽酸反應(yīng)，可生成氨氣、氯化銨，可用于反應(yīng)①而循環(huán)使用，故B正確；

C、分別將MgCl2溶液和Mg(OH)2懸濁液加熱，灼燒，都是氧化鎂，最終得到的固體相同，故C錯(cuò)誤；

D、電子層越小半徑越小，電子層數(shù)相同核電荷數(shù)越大半徑越小，所以三種原子半徑由小到大的順序H<Cl<Mg，故D正確；

故選：C。

由反應(yīng)①可知A2B應(yīng)為Mg13.【答案】B

【解析】【分析】

本題以流程題為載體考查高純硅的制備，題目難度中等，掌握硅及硅的化合物的性質(zhì)是解答本題的關(guān)鍵，側(cè)重考查學(xué)生分析與解決問題的能力。

【解答】

A.硅屬于親氧元素，在自然界中不能以游離態(tài)存在，主要以硅酸鹽和二氧化硅形式存在，故A錯(cuò)誤；

B.SiHCl3和SiCl4的沸點(diǎn)有較大差距，所以可以通過蒸餾提純SiHCl3，故B正確；

C.二氧化硅和硅都能與氫氟酸反應(yīng)，故C錯(cuò)誤；

D.二氧化硅高溫下與C反應(yīng)生成CO氣體，即步驟①的化學(xué)方程式為：Si14.【答案】第三周期ⅣA族

難溶

SiO32?+2H【解析】解：(1)Si是14號(hào)元素，核外3個(gè)電子層，最外層4個(gè)電子，Si是14號(hào)元素，在元素周期表中的位置是第三周期ⅣA族，

故答案為：第三周期ⅣA族；

(2)SiO2為常見的摩擦劑，其在牙膏中以固體形式存在，因此SiO2在水中難溶，

故答案為：難溶；

(3)①硅酸鈉與硫酸反應(yīng)生成硅酸沉淀和硫酸鈉，離子方程式為：SiO32?+2H+=H2SiO3↓，

故答案為：SiO32?+2H+=H2SiO3↓；

②依據(jù)強(qiáng)酸制備弱酸規(guī)律判斷，硫酸的酸性大于硅酸，

故答案為：>；

(4)a.Sn為主族元素，主族元素的最高正化合價(jià)等于其族序數(shù)，Sn為第ⅣA族元素，因此Sn的最高正化合價(jià)為+4價(jià)，故a正確；

b.同一主族元素原子從上到下原子半徑逐漸增大，因此Sn的原子半徑大于Si，故b正確；

c.Sn為金屬元素，可以導(dǎo)電，Sn不是半導(dǎo)體，Si為非金屬元素，可以導(dǎo)電，Si是半導(dǎo)體，故c錯(cuò)誤；

故答案為：ab。

(1)Si是1415.【答案】第三周期第IVA族

5

3s23p2

極性鍵

非極性

3

>

前者為共價(jià)晶體，后者為分子晶體，其熔點(diǎn)分別與共價(jià)鍵和范德華力有關(guān)，一般情況下破壞共價(jià)鍵所需的能量比范德華力大，因此熔點(diǎn)SiO2>CO2

Si>C>O

cd【解析】解：(1)硅的核電荷數(shù)14，核外電子層數(shù)三個(gè)，最外層電子數(shù)4個(gè)，位于周期表的第三周期第IVA族，電子排布式為：1s22S22p63s23p2，硅原子核外具有5種能量不同的電子，最外層電子的電子排布式：3s23p2，

故答案為：第三周期第IVA族；5；3s23p2；

(2)二氧化碳是共價(jià)化合物，分子中碳原子和兩個(gè)氧原子分別形成兩對(duì)共用電子對(duì)，CO2的電子式為：，其中含有的化學(xué)鍵是極性鍵，分子結(jié)構(gòu)為直線型，屬于非極性分子，

故答案為：；極性；非極性；

(3)Na2CO3+SiO2??高溫??Na2SiO3+CO2↑，反應(yīng)中碳酸鈉和硅酸鈉為離子晶體，二氧化硅為共價(jià)晶體，二氧化碳為分子晶體，反應(yīng)物和生成物的晶體類型共有3種，二氧化硅為共價(jià)晶體，二氧化碳形成的晶體為分子晶體，其熔點(diǎn)分別與共價(jià)鍵和范德華力有關(guān)，一般情況下破壞共價(jià)鍵所需的能量比范德華力大，因此熔點(diǎn)SiO2>CO2，

故答案為：3；>；二氧化硅為共價(jià)晶體，二氧化碳形成的晶體為分子晶體，其熔點(diǎn)分別與共價(jià)鍵和范德華力有關(guān)，一般情況下破壞共價(jià)鍵所需的能量比范德華力大，因此熔點(diǎn)SiO2>CO2；

(4)電子層多半徑大，電子層一樣，核電荷數(shù)越多半徑小，非金屬元素原子半徑由大到小順序?yàn)镾i>C>O；

a.氣態(tài)氫化物的熔沸點(diǎn)屬于物理性質(zhì)，和得電子能力無關(guān)，故錯(cuò)誤；

b.最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性強(qiáng)則元素的非金屬性強(qiáng)，但是氧元素不存在最高價(jià)含氧酸，故錯(cuò)誤；

c.氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性強(qiáng)，說明非金屬性越強(qiáng)，故正確；

d.三種元素兩兩形成的化合物中電子對(duì)偏向哪一方，則該方的得電子的能力強(qiáng)，故正確，

故答案為：Si>C>O；cd；

(5)常溫下，相同物質(zhì)的量濃度的Na2SiO3和16.【答案】

?3

c

SiHCl3+H2?【解析】解；(1)硅為14號(hào)元素，核內(nèi)14個(gè)質(zhì)子，核外14個(gè)電子，原子結(jié)構(gòu)示意圖為；氮化硅中氮的電負(fù)性大于硅，氮顯?3價(jià)，依據(jù)化合物中各元素化合價(jià)代數(shù)和為0可知，氮化硅中氮為?3價(jià)、硅為+4價(jià)，

故答案為：；?3；

(2)二氧化硅常溫下能夠與氫氟酸和氫氧化鈉溶液反應(yīng)，加熱條件下與碳酸鈉反應(yīng)，與硫酸不反應(yīng)，

故答案為：c；

(3)由SiHCl3制取高純硅是三氯甲硅烷與氫氣發(fā)生氧化還原反應(yīng)，反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiHCl3+H2??高溫??Si+3HCl；依據(jù)流程圖可知二氧化硅與碳、氮?dú)飧邷胤磻?yīng)生成氮化硅，氧化劑為氮?dú)?，還原劑為C，氧化劑和還原劑的物質(zhì)的量之比為1：3，則生成產(chǎn)物為一氧化碳和氮化硅，依據(jù)原子個(gè)數(shù)守恒和氧化還原反應(yīng)得失電子守恒可知反應(yīng)方程式為：3SiO2+6C+2N2??高溫??6CO+Si3N4，

故答案為：SiHCl3+H2??高溫??Si+3HCl；3SiO2+6C+2N2??高溫??6CO+Si3N417.【答案】SiO2+2C??高溫??Si+2CO↑

Si+3HCl???△???SiHCl3+H【解析】解：(1)二氧化硅與碳反應(yīng)生成硅與CO，反應(yīng)方程式為：SiO2+2C

??高溫??Si+2CO↑，

故答案為：SiO2+2C

??高溫??Si+2CO↑；

(2)硅與HCl反應(yīng)生成SiH3Cl與氫氣，反應(yīng)方程式為：Si+3HCl???△???SiHCl3+H2，

故答案為：Si+3HCl???△???SiHCl3+H2；

(3)SiHCl3大約占85%，還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等，它們沸點(diǎn)相差比較大，提純SiHCl3的主要工藝操作經(jīng)過沉降、冷凝后，再進(jìn)行蒸餾進(jìn)行分離提純；SiHCl3極易水解，其完