全球碳化硅產(chǎn)業(yè)向好國際大廠市場占有率高國內(nèi)企業(yè)持續(xù)擴(kuò)大投資加速追趕

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)向好國際大廠市場占有率高國內(nèi)企業(yè)持續(xù)擴(kuò)大投資加速追趕碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，在低功耗、小型化、高壓、高頻的應(yīng)用場景有極大優(yōu)勢。碳化硅制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關(guān)速度快、效率高的優(yōu)勢，可大幅降低產(chǎn)品功耗、提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積，下游應(yīng)用廣泛，包括半導(dǎo)體器件、耐火材料、功能陶瓷、冶金原料、磨具磨料等。在碳化硅器件成本結(jié)構(gòu)中，襯底成本約占50%。碳化硅器件成本結(jié)構(gòu)\t"/market/202112/_blank"，隨著新能源汽車、工業(yè)電源行業(yè)發(fā)展，全球碳化硅器件需求增多，行業(yè)市場規(guī)?？焖僭鲩L。數(shù)據(jù)顯示，全球電力電子碳化硅市場規(guī)模為5。64億美元，較上年同比增長31。2%；2020年，全球電力電子碳化硅市場規(guī)模約為6。03億美元，較上年同比增長6。9%。2018-2020年全球電力電子碳化硅市場規(guī)模、增速及預(yù)測現(xiàn)階段，國際龍頭企業(yè)占據(jù)碳化硅市場主要位置，其中美國Cree領(lǐng)先發(fā)展。數(shù)據(jù)顯示，2020上半年美國Cree半導(dǎo)體SiC晶片出貨量占據(jù)全球45%。2020年H1全球半導(dǎo)體SiC晶片出貨量占比情況從國內(nèi)企業(yè)來看，經(jīng)過十余年的技術(shù)自主研發(fā)，國內(nèi)龍頭碳化硅襯底企業(yè)已經(jīng)掌握2-6英寸的碳化硅襯底制備方法，產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到國際先進(jìn)水平，并持續(xù)擴(kuò)大投資碳化硅襯底項目，逐步提升市場份額。國內(nèi)廠商碳化硅投資情況公司名稱地點碳化硅投資情況三安光電湖南長沙2021年6月，總投資160億元的湖南三安半導(dǎo)體基地一期項目正式投產(chǎn)，產(chǎn)能規(guī)模達(dá)到6寸3萬片/月。露笑科技浙江紹興公司項目計劃總投資6.95億元，主要采用碳化硅升華法長晶工藝及SiC襯底加工工藝，建成后形成年產(chǎn)8.8萬片碳化硅襯底片的生產(chǎn)能力。天科合達(dá)北京2020年投資第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目95,706.00萬元，建設(shè)一個包括晶體生長、晶片加工和清洗檢測等全生產(chǎn)環(huán)節(jié)的生產(chǎn)基地。項目投產(chǎn)后年產(chǎn)12萬片6英寸碳化硅晶片，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶片約為8.2萬片，6英寸半絕緣型碳化硅晶片約為3.8萬片。山東天岳山東濟(jì)南在上海臨港新片區(qū)建設(shè)碳化硅襯底生產(chǎn)基地，滿足不斷擴(kuò)大的碳化硅半導(dǎo)體襯底材料的需求。公司的“碳化硅半導(dǎo)體材料項目”已被上海市發(fā)改委列入《2021年上海市重大建設(shè)項目清單》。為實現(xiàn)產(chǎn)能擴(kuò)張，正在募資建立25億元項目。同光晶體河北保定公司已完成自主搭建200臺單晶生長爐