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全球碳化硅產(chǎn)業(yè)向好國際大廠市場占有率高國內(nèi)企業(yè)持續(xù)擴(kuò)大投資加速追趕碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料,在低功耗、小型化、高壓、高頻的應(yīng)用場景有極大優(yōu)勢。碳化硅制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點(diǎn),具有開關(guān)速度快、效率高的優(yōu)勢,可大幅降低產(chǎn)品功耗、提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積,下游應(yīng)用廣泛,包括半導(dǎo)體器件、耐火材料、功能陶瓷、冶金原料、磨具磨料等。在碳化硅器件成本結(jié)構(gòu)中,襯底成本約占50%。碳化硅器件成本結(jié)構(gòu)\t"/market/202112/_blank",隨著新能源汽車、工業(yè)電源行業(yè)發(fā)展,全球碳化硅器件需求增多,行業(yè)市場規(guī)??焖僭鲩L。數(shù)據(jù)顯示,全球電力電子碳化硅市場規(guī)模為5。64億美元,較上年同比增長31。2%;2020年,全球電力電子碳化硅市場規(guī)模約為6。03億美元,較上年同比增長6。9%。2018-2020年全球電力電子碳化硅市場規(guī)模、增速及預(yù)測現(xiàn)階段,國際龍頭企業(yè)占據(jù)碳化硅市場主要位置,其中美國Cree領(lǐng)先發(fā)展。數(shù)據(jù)顯示,2020上半年美國Cree半導(dǎo)體SiC晶片出貨量占據(jù)全球45%。2020年H1全球半導(dǎo)體SiC晶片出貨量占比情況從國內(nèi)企業(yè)來看,經(jīng)過十余年的技術(shù)自主研發(fā),國內(nèi)龍頭碳化硅襯底企業(yè)已經(jīng)掌握2-6英寸的碳化硅襯底制備方法,產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到國際先進(jìn)水平,并持續(xù)擴(kuò)大投資碳化硅襯底項(xiàng)目,逐步提升市場份額。國內(nèi)廠商碳化硅投資情況公司名稱地點(diǎn)碳化硅投資情況三安光電湖南長沙2021年6月,總投資160億元的湖南三安半導(dǎo)體基地一期項(xiàng)目正式投產(chǎn),產(chǎn)能規(guī)模達(dá)到6寸3萬片/月。露笑科技浙江紹興公司項(xiàng)目計劃總投資6.95億元,主要采用碳化硅升華法長晶工藝及SiC襯底加工工藝,建成后形成年產(chǎn)8.8萬片碳化硅襯底片的生產(chǎn)能力。天科合達(dá)北京2020年投資第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目95,706.00萬元,建設(shè)一個包括晶體生長、晶片加工和清洗檢測等全生產(chǎn)環(huán)節(jié)的生產(chǎn)基地。項(xiàng)目投產(chǎn)后年產(chǎn)12萬片6英寸碳化硅晶片,其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶片約為8.2萬片,6英寸半絕緣型碳化硅晶片約為3.8萬片。山東天岳山東濟(jì)南在上海臨港新片區(qū)建設(shè)碳化硅襯底生產(chǎn)基地,滿足不斷擴(kuò)大的碳化硅半導(dǎo)體襯底材料的需求。公司的“碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目”已被上海市發(fā)改委列入《2021年上海市重大建設(shè)項(xiàng)目清單》。為實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能擴(kuò)張,正在募資建立25億元項(xiàng)目。同光晶體河北保定公司已完成自主搭建200臺單晶生長爐
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