標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14028-1992 半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)測(cè)試方法的基本原理》這一標(biāo)準(zhǔn)文件,詳細(xì)規(guī)定了對(duì)半導(dǎo)體集成電路中模擬開關(guān)性能進(jìn)行評(píng)估和測(cè)試的具體方法與基本理論。該標(biāo)準(zhǔn)旨在為行業(yè)內(nèi)提供統(tǒng)一的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和程序,確保模擬開關(guān)產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性,便于生產(chǎn)商、用戶及檢測(cè)機(jī)構(gòu)之間有共同的語言和評(píng)判基準(zhǔn)。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽:

  1. 范圍:明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用的對(duì)象,即各種類型的半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān),包括單刀單擲(SPST)、單刀雙擲(SPDT)等多種開關(guān)配置。

  2. 引用標(biāo)準(zhǔn):列出了執(zhí)行本標(biāo)準(zhǔn)時(shí)需要參考的其他相關(guān)國家標(biāo)準(zhǔn)或國際標(biāo)準(zhǔn),這些標(biāo)準(zhǔn)通常涉及基本術(shù)語定義、測(cè)試環(huán)境條件、電氣參數(shù)測(cè)量方法等。

  3. 術(shù)語和定義:對(duì)模擬開關(guān)及其測(cè)試中涉及的關(guān)鍵術(shù)語給出了明確的定義,確保所有使用者對(duì)專業(yè)詞匯有統(tǒng)一的理解。

  4. 測(cè)試環(huán)境:描述了進(jìn)行模擬開關(guān)測(cè)試時(shí)所需的環(huán)境條件,如溫度、濕度、電源穩(wěn)定性等,以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。

  5. 測(cè)試項(xiàng)目與方法

    • 直流特性測(cè)試:包括導(dǎo)通電阻、截止隔離度、漏電流等參數(shù)的測(cè)量方法。
    • 交流特性測(cè)試:涵蓋開關(guān)的切換速度、帶寬、信號(hào)完整性等指標(biāo)的評(píng)估。
    • 可靠性測(cè)試:如使用壽命測(cè)試、溫度循環(huán)測(cè)試等,以驗(yàn)證模擬開關(guān)在長期使用或極端條件下的性能穩(wěn)定性和耐用性。
  6. 測(cè)試設(shè)備與儀器:介紹了進(jìn)行上述測(cè)試所需的各種儀器儀表及其校準(zhǔn)要求,確保測(cè)試設(shè)備的準(zhǔn)確性和可靠性。

  7. 測(cè)試步驟與程序:詳細(xì)說明了每個(gè)測(cè)試項(xiàng)目的具體操作流程,包括測(cè)試前的準(zhǔn)備工作、測(cè)試過程中的注意事項(xiàng)、數(shù)據(jù)記錄與分析方法等。

  8. 數(shù)據(jù)處理與報(bào)告:規(guī)定了測(cè)試數(shù)據(jù)的處理規(guī)則、異常數(shù)據(jù)的處理方法以及測(cè)試報(bào)告的格式和內(nèi)容要求,以便于測(cè)試結(jié)果的標(biāo)準(zhǔn)化呈現(xiàn)和交流。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14028-2018
  • 1992-12-18 頒布
  • 1993-08-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 14028-1992半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)測(cè)試方法的基本原理_第1頁
GB/T 14028-1992半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)測(cè)試方法的基本原理_第2頁
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UDC621.382L55中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14028一92半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)測(cè)試方法的基本原理Generalprinciplesofmeasuringmethodsofanalogueswitchesforsemiconductorintegratedcircuits1992-12-18發(fā)布1993-08-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)測(cè)試方法的基本原理GB/T14028-92Ceneralprinciplesofmeasuringmethodsofanalogueswitchesforsemiconductorintegratedcircuits本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了MOS和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)(以下簡(jiǎn)稱器件或模擬開關(guān))電參數(shù)測(cè)試的基本原理。模擬開關(guān)與CMOS電路相同的靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試可參照GB3834《半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理》總的要求1.1若無特殊說明,測(cè)試期間,環(huán)境或參考點(diǎn)溫度偏離規(guī)定值的范圍應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。1.2測(cè)試期間,應(yīng)避免外界干擾對(duì)測(cè)試精度的影響。測(cè)試設(shè)備引起的測(cè)試誤差應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。1.3測(cè)試期間,施于被測(cè)器件的電參量的精度應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定、1.4被測(cè)器件與測(cè)試殺統(tǒng)連接或斷開時(shí),不應(yīng)超過器件的使用極限條件。1.5若有要求時(shí),應(yīng)按器件詳細(xì)規(guī)范規(guī)定的順序接通電源。1.6若電參數(shù)值是由幾步測(cè)試的結(jié)果經(jīng)計(jì)算而確定時(shí),這些測(cè)試的時(shí)間間隔應(yīng)盡可能短。參數(shù)測(cè)試2.1模擬電壓工作范圍VA2.1.1目的在導(dǎo)通電流為額定值時(shí),測(cè)試模擬開關(guān)傳送的模擬電壓范圍。2.1.2測(cè)試原理圖V入測(cè)試原

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