標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 14143-1993 300~900μm硅片間隙氧含量紅外吸收測量方法》這一標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了如何利用紅外吸收技術(shù)來測定厚度在300至900微米范圍內(nèi)的硅片中的間隙氧含量。然而,您未提供另一個具體的標(biāo)準(zhǔn)或版本以進(jìn)行直接的變更對比。沒有指定比較對象的情況下,無法直接列出相對于某個特定前任或后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)的具體變化。
不過,通常來說,當(dāng)一個標(biāo)準(zhǔn)被更新或者替代時,變更可能涉及以下幾個方面:
- 技術(shù)方法的改進(jìn):新標(biāo)準(zhǔn)可能會采用更先進(jìn)的測量技術(shù)或儀器,提高測試精度和效率。
- 參數(shù)范圍調(diào)整:可能會擴(kuò)展或縮小測試對象的適用范圍,比如測試硅片的厚度范圍、氧含量的測量極限等。
- 測試程序的優(yōu)化:更新標(biāo)準(zhǔn)可能會簡化測試步驟,明確操作流程,以增強(qiáng)可執(zhí)行性。
- 精度與誤差要求的修訂:根據(jù)技術(shù)進(jìn)步和實踐經(jīng)驗,對測量結(jié)果的精度要求和允許誤差范圍進(jìn)行調(diào)整。
- 術(shù)語與定義的統(tǒng)一:為保持與國際標(biāo)準(zhǔn)的一致性,可能會更新或新增專業(yè)術(shù)語定義。
- 質(zhì)量控制與校準(zhǔn)要求:加強(qiáng)對檢測設(shè)備的校準(zhǔn)要求,確保測量結(jié)果的可比性和重復(fù)性。
- 合規(guī)性與認(rèn)證:增加或修改與國際標(biāo)準(zhǔn)、法規(guī)的符合性要求,以及產(chǎn)品認(rèn)證的相關(guān)規(guī)定。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 1557-2006
- 1993-02-06 頒布
- 1993-10-01 實施
文檔簡介
9DC.669.782百26中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T:14143—93300~900㎡m硅片間隙氧含量紅外吸收測量方法300~900:mSiliconsliccs-MeasuringofinterstitialloxygencontentInfraredabsorptionmethod1993-02-06發(fā)布1993-10-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)300~900um硅片間隙氧含量紅外吸收測量方法GB/T14143-93300~900umSiliconslices-Measuringorinterstitialoxygencontent-Infraredabsorptionmethod主題內(nèi)客與適用范田本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用紅外吸收法測定厚度為300~900m的硅片間隙氧含量的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.10·cm的硅片間隙氧含量的測量。測量范圍為3×10"·cm-至間隙氧在硅中的最大固溶度。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法。方法原理本方法借助于硅單品中氧含量與硅-氧鍵在1107cm~9.033m)處吸收系數(shù)間的關(guān)系,用紅外光譜儀測定1107cm-處吸收系數(shù)來確定300~900m硅片中間隙氧含量。4測量儀器4.1付里葉變換紅外光譜儀或雙光束紅外分光光度計,儀器在1107cm-"處的分辨率小于5cm2。4.2樣品架。具有調(diào)整功能,通光孔徑為6~10mm.4.3厚度測量儀,精度小于2rm.5試樣要求5.1試樣5.1.1試樣測試部位厚度偏差應(yīng)小于0.5%。5.1.2元武樣在1300~1000m范圍的透射特性應(yīng)符合附錄A的規(guī)定5.1.3對于仲裁測量,試樣在1300~1000cm~范圍基線透過率不低于30%。5.2參比樣品5.2.1參比樣品氧含量應(yīng)小于5×10"at·cm-",可以從高真空多次區(qū)熔制得的硅單品中選取,5.2.2參比樣品與試樣應(yīng)具有相同的透射特性,厚度差小于0.5%。6測量步驃6.1l選取通光孔徑為6~lomm的樣品架。6.2對雙光束紅外分光光度計.測量程序參照GB1557中的5.2
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