GB/T 14146-2021硅外延層載流子濃度的測試電容-電壓法

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標準

GB/T14146—2021

代替GB/T14146—2009

硅外延層載流子濃度的測試

電容-電壓法

Testmethodforcarrierconcentrationofsiliconepitaxiallayers—

Capacitance-voltagemethod

2021-05-21發(fā)布2021-12-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T14146—2021

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法與

GB/T14146—2009《—》,

相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動外主要技術(shù)變化如下

GB/T14146—2009,,:

更改了本文件的范圍包括規(guī)定的內(nèi)容和適用范圍見第章年版的第章

a),(1,20091);

刪除了規(guī)范性引用文件中的增加了見第

b)GB/T1552,GB/T1551、GB/T6624、GB/T14264(2

章年版的第章

,20092);

增加了術(shù)語和定義見第章

c)(3);

更改了試驗條件的要求見第章年版的

d)(4,20096.2);

刪除了汞探針電容電壓法原理中的公式更改了原理的表述見年版的第章

e)-,(5.1,20093);

增加了樣品制備測試儀器操作測試機臺維護后的汞探針調(diào)試對測試結(jié)果影響的干擾因素

f)、、

見

(5.2.1);

更改了樣品表面汞裝汞毛細管對測試結(jié)果的影響見年版的

g)、、(5.2.2、5.2.3、5.2.4,20094.1);

增加了確定補償電容用標準樣片厚度對測試結(jié)果的影響見

h)(5.2.7);

增加了補償電容歸零調(diào)整或數(shù)值確定電容測量電路串聯(lián)電阻校準儀器用質(zhì)量監(jiān)控片對測試

i)、、

結(jié)果的影響見

(5.2.8、5.2.9、5.2.10);

更改了試劑中去離子水氮氣的要求見年版的

j)“”、(5.3.4、5.3.5,20095.3、5.5);

增加了試劑中壓縮空氣的要求見

k)“”(5.3.6);

更改了電容儀的要求見年版的

l)[5.4.1c),20096.1.2、6.1.3];

更改了汞探針電容電壓測試儀器中數(shù)字伏特計的要求見年版的

m)-[5.4.1d),20096.1.3];

增加了甩干設備烘干設備密閉烘烤腔的要求見

n)、、(5.4.2、5.4.3、5.4.4);

增加了樣品處理后表面目檢應光亮潔凈的要求見更改了樣品的化學試劑處理步驟

o)(5.5.1),

見年版的增加了采用非破壞性方法對樣品進行鈍化處理的步驟見

(5.5.2,20097.1~7.4),(

5.5.3);

刪除了儀器校準中低電阻電極的制備見年版的試驗步驟中增加了對應內(nèi)容

p)“”(20098.4),“”

見

(5.7.2);

增加了試驗數(shù)據(jù)處理見

q)“”(5.8);

更改了精密度見

r)“”(5.9);

增加了無接觸電容電壓法測試載流子濃度的方法見第章

s)-(6);

更改了試驗報告的內(nèi)容見第章年版的第章

t)(7,200911)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位南京國盛電子有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院有限責任公司中電晶華

:、、

天津半導體材料有限公司有研半導體材料有限公司河北普興電子科技股份有限公司浙江金瑞

()、、、

泓科技股份有限公司瑟米萊伯貿(mào)易上海有限公司無錫華潤上華科技有限公司義烏力邁新材料

、()、、

有限公司

。

Ⅰ

GB/T14146—2021

本文件主要起草人駱紅潘文賓楊素心趙揚趙而敬張佳磊李慎重黃黎嚴琴黃宇程

:、、、、、、、、、、

皮坤林

。

本文件于年首次發(fā)布年第一次修訂本次為第二次修訂

1993,2009,。

Ⅱ

GB/T14146—2021

硅外延層載流子濃度的測試

電容-電壓法

1范圍

本文件規(guī)定了電容電壓法測試硅外延層載流子濃度的方法包括汞探針電容電壓法和無接觸電

-,-

容電壓法

-。

本文件適用于同質(zhì)硅外延層載流子濃度的測試測試范圍為13-316-3其中硅

,4×10cm~8×10cm,

外延層的厚度大于測試偏壓下耗盡層深度的兩倍硅單晶拋光片和同質(zhì)碳化硅外延片載流子濃度的測

。

試也可以參照本文件進行其中無接觸電容電壓法不適用于同質(zhì)碳化硅外延片載流子濃度的測試

,-。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率的測定直排回探針法和直流兩探針法

GB/T1551

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

GB/T6624

半導體材料術(shù)語

GB/T14264

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T14847

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4試驗條件

41環(huán)境溫度溫度波動小于