GB/T 14146-2021硅外延層載流子濃度的測(cè)試電容-電壓法

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T14146—2021

代替GB/T14146—2009

硅外延層載流子濃度的測(cè)試

電容-電壓法

Testmethodforcarrierconcentrationofsiliconepitaxiallayers—

Capacitance-voltagemethod

2021-05-21發(fā)布2021-12-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T14146—2021

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅外延層載流子濃度測(cè)定汞探針電容電壓法與

GB/T14146—2009《—》,

相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

GB/T14146—2009,,:

更改了本文件的范圍包括規(guī)定的內(nèi)容和適用范圍見(jiàn)第章年版的第章

a),(1,20091);

刪除了規(guī)范性引用文件中的增加了見(jiàn)第

b)GB/T1552,GB/T1551、GB/T6624、GB/T14264(2

章年版的第章

,20092);

增加了術(shù)語(yǔ)和定義見(jiàn)第章

c)(3);

更改了試驗(yàn)條件的要求見(jiàn)第章年版的

d)(4,20096.2);

刪除了汞探針電容電壓法原理中的公式更改了原理的表述見(jiàn)年版的第章

e)-,(5.1,20093);

增加了樣品制備測(cè)試儀器操作測(cè)試機(jī)臺(tái)維護(hù)后的汞探針調(diào)試對(duì)測(cè)試結(jié)果影響的干擾因素

f)、、

見(jiàn)

(5.2.1);

更改了樣品表面汞裝汞毛細(xì)管對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響見(jiàn)年版的

g)、、(5.2.2、5.2.3、5.2.4,20094.1);

增加了確定補(bǔ)償電容用標(biāo)準(zhǔn)樣片厚度對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響見(jiàn)

h)(5.2.7);

增加了補(bǔ)償電容歸零調(diào)整或數(shù)值確定電容測(cè)量電路串聯(lián)電阻校準(zhǔn)儀器用質(zhì)量監(jiān)控片對(duì)測(cè)試

i)、、

結(jié)果的影響見(jiàn)

(5.2.8、5.2.9、5.2.10);

更改了試劑中去離子水氮?dú)獾囊笠?jiàn)年版的

j)“”、(5.3.4、5.3.5,20095.3、5.5);

增加了試劑中壓縮空氣的要求見(jiàn)

k)“”(5.3.6);

更改了電容儀的要求見(jiàn)年版的

l)[5.4.1c),20096.1.2、6.1.3];

更改了汞探針電容電壓測(cè)試儀器中數(shù)字伏特計(jì)的要求見(jiàn)年版的

m)-[5.4.1d),20096.1.3];

增加了甩干設(shè)備烘干設(shè)備密閉烘烤腔的要求見(jiàn)

n)、、(5.4.2、5.4.3、5.4.4);

增加了樣品處理后表面目檢應(yīng)光亮潔凈的要求見(jiàn)更改了樣品的化學(xué)試劑處理步驟

o)(5.5.1),

見(jiàn)年版的增加了采用非破壞性方法對(duì)樣品進(jìn)行鈍化處理的步驟見(jiàn)

(5.5.2,20097.1~7.4),(

5.5.3);

刪除了儀器校準(zhǔn)中低電阻電極的制備見(jiàn)年版的試驗(yàn)步驟中增加了對(duì)應(yīng)內(nèi)容

p)“”(20098.4),“”

見(jiàn)

(5.7.2);

增加了試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理見(jiàn)

q)“”(5.8);

更改了精密度見(jiàn)

r)“”(5.9);

增加了無(wú)接觸電容電壓法測(cè)試載流子濃度的方法見(jiàn)第章

s)-(6);

更改了試驗(yàn)報(bào)告的內(nèi)容見(jiàn)第章年版的第章

t)(7,200911)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位南京國(guó)盛電子有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司中電晶華

:、、

天津半導(dǎo)體材料有限公司有研半導(dǎo)體材料有限公司河北普興電子科技股份有限公司浙江金瑞

()、、、

泓科技股份有限公司瑟米萊伯貿(mào)易上海有限公司無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司義烏力邁新材料

、()、、

有限公司

。

Ⅰ

GB/T14146—2021

本文件主要起草人駱紅潘文賓楊素心趙揚(yáng)趙而敬張佳磊李慎重黃黎嚴(yán)琴黃宇程

:、、、、、、、、、、

皮坤林

。

本文件于年首次發(fā)布年第一次修訂本次為第二次修訂

1993,2009,。

Ⅱ

GB/T14146—2021

硅外延層載流子濃度的測(cè)試

電容-電壓法

1范圍

本文件規(guī)定了電容電壓法測(cè)試硅外延層載流子濃度的方法包括汞探針電容電壓法和無(wú)接觸電

-,-

容電壓法

-。

本文件適用于同質(zhì)硅外延層載流子濃度的測(cè)試測(cè)試范圍為13-316-3其中硅

,4×10cm~8×10cm,

外延層的厚度大于測(cè)試偏壓下耗盡層深度的兩倍硅單晶拋光片和同質(zhì)碳化硅外延片載流子濃度的測(cè)

。

試也可以參照本文件進(jìn)行其中無(wú)接觸電容電壓法不適用于同質(zhì)碳化硅外延片載流子濃度的測(cè)試

,-。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率的測(cè)定直排回探針?lè)ê椭绷鲀商结樂(lè)?/p>

GB/T1551

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法

GB/T14847

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4試驗(yàn)條件

41環(huán)境溫度溫度波動(dòng)小于