標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 16525-2015 半導(dǎo)體集成電路 塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范》相比于《GB/T 16525-1996 塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范》,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新和調(diào)整:
-
技術(shù)內(nèi)容的更新:新版標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的最新發(fā)展,對引線框架的材料、設(shè)計(jì)、尺寸精度、電鍍要求等方面進(jìn)行了修訂,以適應(yīng)更高性能、更小尺寸集成電路封裝的需求。
-
測試方法的改進(jìn):詳細(xì)規(guī)定了更先進(jìn)的檢測技術(shù)和方法,包括但不限于尺寸測量、表面粗糙度評估、鍍層厚度及均勻性測試等,以確保引線框架質(zhì)量的準(zhǔn)確評價(jià)。
-
環(huán)保要求的增加:考慮到環(huán)境保護(hù)和可持續(xù)發(fā)展的需要,新標(biāo)準(zhǔn)可能加入了對原材料、生產(chǎn)過程及廢棄處理等方面的環(huán)保要求,如限制有害物質(zhì)使用(如RoHS指令),鼓勵(lì)采用環(huán)境友好型材料和工藝。
-
術(shù)語和定義的完善:為了與國際標(biāo)準(zhǔn)接軌并清晰界定專業(yè)術(shù)語,新標(biāo)準(zhǔn)對相關(guān)定義進(jìn)行了補(bǔ)充和修訂,使得標(biāo)準(zhǔn)的適用性和可理解性得到提升。
-
兼容性和互操作性考慮:隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的融合與發(fā)展,新標(biāo)準(zhǔn)可能強(qiáng)調(diào)了引線框架設(shè)計(jì)的兼容性與不同封裝形式間的互操作性,以便于集成電路在全球范圍內(nèi)的應(yīng)用和交流。
-
標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)與表述的優(yōu)化:為便于使用者查閱和執(zhí)行,新標(biāo)準(zhǔn)在結(jié)構(gòu)編排、條款邏輯、語言表述上做了優(yōu)化,使其更加系統(tǒng)化、條理化。
這些變化反映了從1996年到2015年間,半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)進(jìn)步、市場變化以及對環(huán)境保護(hù)意識增強(qiáng)的趨勢。通過這些修訂,新標(biāo)準(zhǔn)旨在提高我國半導(dǎo)體封裝材料的技術(shù)水平,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 正在執(zhí)行有效
- 2015-05-15 頒布
- 2016-01-01 實(shí)施
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GB/T 16525-2015半導(dǎo)體集成電路塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范-免費(fèi)下載試讀頁文檔簡介
ICS31200
L56.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T16525—2015
代替
GB/T16525—1996
半導(dǎo)體集成電路
塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范
Semiconductorintegratedcircuits—
Specificationofleadframesforplasticleadedchipcarrierpackage
2015-05-15發(fā)布2016-01-01實(shí)施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T16525—2015
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
技術(shù)要求
4…………………1
引線框架尺寸
4.1………………………1
引線框架形狀和位置公差
4.2…………1
引線框架外觀
4.3………………………3
引線框架鍍層
4.4………………………3
引線框架外引線強(qiáng)度
4.5………………3
銅剝離試驗(yàn)
4.6…………………………4
銀剝離試驗(yàn)
4.7…………………………4
檢驗(yàn)規(guī)則
5…………………4
檢驗(yàn)批的構(gòu)成
5.1………………………4
鑒定批準(zhǔn)程序
5.2………………………4
質(zhì)量一致性檢驗(yàn)
5.3……………………4
訂貨資料
6…………………7
標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存
7、、、……………………7
標(biāo)志包裝
7.1、……………7
運(yùn)輸貯存
7.2、……………7
附錄規(guī)范性附錄引線框架機(jī)械測量
A()………………8
Ⅰ
GB/T16525—2015
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)代替塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范
GB/T16525—1996《》。
本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要變化如下
GB/T16525—1996:
按照標(biāo)準(zhǔn)的使用范圍將原標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為半導(dǎo)體集成電路塑料有引線片式載體封
———,“
裝引線框架規(guī)范
”;
關(guān)于規(guī)范性引用文件增加引導(dǎo)語抽樣標(biāo)準(zhǔn)由代替增
———:;GB/T2828.1—2012SJ/Z9007—87;
加引用文件
GB/T2423.60—2008、SJ20129;
標(biāo)準(zhǔn)中的由設(shè)計(jì)改為引線框架尺寸并將精壓深度絕緣間隙和水平引線間距和
———4.1“”“”,“”“”“
位置引線端部的有關(guān)內(nèi)容調(diào)整到
()”4.2;
對標(biāo)準(zhǔn)的引線框架形狀和位置公差中相應(yīng)條款順序進(jìn)行了調(diào)整并增加了芯片粘接
———“4.2”,“
區(qū)下陷的有關(guān)要求
”;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對側(cè)彎的要求見原標(biāo)準(zhǔn)僅規(guī)定了標(biāo)稱條長上側(cè)
———“”(4.2.1):(203.2±50.8)mm,
彎應(yīng)不大于本標(biāo)準(zhǔn)在整個(gè)標(biāo)稱長度上進(jìn)行規(guī)定
0.051mm,;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對卷曲的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了卷曲變形小于本標(biāo)準(zhǔn)
———“”(4.2.2):0.51mm,
根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定
;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對條帶扭曲的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了框架扭曲不超過
———“”(4.2.4):0.51mm,
本標(biāo)準(zhǔn)將框架扭曲修改為條帶扭曲并根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定
,;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對引線扭曲的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了引線扭曲的角度及引線寬度上
———“”(4.2.5):
的最大偏移量本標(biāo)準(zhǔn)刪除了引線寬度上最大偏移量的規(guī)定
,;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對精壓深度的要求見原標(biāo)準(zhǔn)未考慮精壓深度對精壓寬度的影響簡
———“”(4.2.6):,
單的規(guī)定了精壓深度的尺寸范圍本標(biāo)準(zhǔn)修改為在保證精壓寬度不小于引線寬度的條
。:90%
件下精壓深度不大于材料厚度的其參考值為
,30%,0.015mm~0.06mm;
將金屬間隙修改為絕緣間隙見并修改了標(biāo)準(zhǔn)中對絕緣間隙的要求原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)
———“”“”(4.2.7),“”:
定每邊最大精壓凸出不超過應(yīng)受金屬間隙要求的限制本標(biāo)準(zhǔn)修改為相鄰兩精
“0.051mm,”,“
壓區(qū)端點(diǎn)間的間隔及精壓區(qū)端點(diǎn)與芯片粘接區(qū)間的間隔大于
0.076mm”;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對芯片粘接區(qū)斜度的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中分別規(guī)定了在打凹和未打凹條
———“”(4.2.9):
件下的最大斜度本標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一規(guī)定為在長或?qū)捗砍叽缱畲髢A斜
,2.54mm0.05mm;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對芯片粘接區(qū)平面度的要求見原標(biāo)準(zhǔn)芯片粘接區(qū)平面度與
———“”(4.2.11):4.2.8.2
原標(biāo)準(zhǔn)重復(fù)本標(biāo)準(zhǔn)予以刪除本標(biāo)準(zhǔn)取消了原標(biāo)準(zhǔn)中每芯片粘接
4.2.2.2,。4.2.2.22.54mm
區(qū)長度的限制
;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對毛刺的要求見取消了原標(biāo)準(zhǔn)中連筋內(nèi)外不同區(qū)域垂直毛刺的不同
———“”(4.3.1):
要求本標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一規(guī)定為
,0.025mm;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對凹坑壓痕和劃痕的要求見在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加劃痕的有關(guān)
———“、”(4.3.2):
要求
;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對局部鍍銀層厚度的要求見原標(biāo)準(zhǔn)僅規(guī)定了局部鍍銀層的厚度本
———“”(4.4.1):,
標(biāo)準(zhǔn)對局部鍍銀層厚度及任意點(diǎn)分別進(jìn)行了規(guī)定
;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對鍍層外觀的要求見在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加了對鍍層外觀的相關(guān)
———“”(4.4.2):,
要求
;
Ⅲ
GB/T16525—2015
增加了銅剝離試驗(yàn)的有關(guān)要求見
———“”(4.6);
增加了銀剝離試驗(yàn)的有關(guān)要求見
———“”(4.7);
對標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)規(guī)則中相應(yīng)條款進(jìn)行修改并增加了鑒定批準(zhǔn)程序和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的有關(guān)
———“5”,
內(nèi)容
;
修改了標(biāo)準(zhǔn)中對貯存的有關(guān)要求原標(biāo)準(zhǔn)有鍍層的保存期為三個(gè)月本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為個(gè)月
———“”:,6
見
(7.2);
增加了規(guī)范性附錄引線框架機(jī)械測量
———A“”。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任
。。
本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC78)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位廈門永紅科技有限公司
:。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人林桂賢許金圍洪玉云
:、、。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為
:
———GB/T16525—1996。
Ⅳ
GB/T16525—2015
半導(dǎo)體集成電路
塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路塑料有引線片式載體封裝引線框架以下簡稱引線框架的
(PLCC)()
技術(shù)要求及檢驗(yàn)規(guī)則
。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路塑料有引線片式載體封裝引線框架的研制生產(chǎn)和采購
(PLCC)、。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)引出端及整體安
GB/T2423.60—20082:
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