GB/T 16525-2015半導體集成電路塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范

ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標準

GB/T16525—2015

代替

GB/T16525—1996

半導體集成電路

塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范

Semiconductorintegratedcircuits—

Specificationofleadframesforplasticleadedchipcarrierpackage

2015-05-15發(fā)布2016-01-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T16525—2015

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

技術要求

4…………………1

引線框架尺寸

4.1………………………1

引線框架形狀和位置公差

4.2…………1

引線框架外觀

4.3………………………3

引線框架鍍層

4.4………………………3

引線框架外引線強度

4.5………………3

銅剝離試驗

4.6…………………………4

銀剝離試驗

4.7…………………………4

檢驗規(guī)則

5…………………4

檢驗批的構成

5.1………………………4

鑒定批準程序

5.2………………………4

質量一致性檢驗

5.3……………………4

訂貨資料

6…………………7

標志包裝運輸貯存

7、、、……………………7

標志包裝

7.1、……………7

運輸貯存

7.2、……………7

附錄規(guī)范性附錄引線框架機械測量

A()………………8

Ⅰ

GB/T16525—2015

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范

GB/T16525—1996《》。

本標準與相比主要變化如下

GB/T16525—1996:

按照標準的使用范圍將原標準的標準名稱修改為半導體集成電路塑料有引線片式載體封

———,“

裝引線框架規(guī)范

”;

關于規(guī)范性引用文件增加引導語抽樣標準由代替增

———:;GB/T2828.1—2012SJ/Z9007—87;

加引用文件

GB/T2423.60—2008、SJ20129;

標準中的由設計改為引線框架尺寸并將精壓深度絕緣間隙和水平引線間距和

———4.1“”“”,“”“”“

位置引線端部的有關內容調整到

()”4.2;

對標準的引線框架形狀和位置公差中相應條款順序進行了調整并增加了芯片粘接

———“4.2”,“

區(qū)下陷的有關要求

”;

修改了標準中對側彎的要求見原標準僅規(guī)定了標稱條長上側

———“”(4.2.1):(203.2±50.8)mm,

彎應不大于本標準在整個標稱長度上進行規(guī)定

0.051mm,;

修改了標準中對卷曲的要求見原標準中僅規(guī)定了卷曲變形小于本標準

———“”(4.2.2):0.51mm,

根據材料的厚度分別進行了規(guī)定

;

修改了標準中對條帶扭曲的要求見原標準中僅規(guī)定了框架扭曲不超過

———“”(4.2.4):0.51mm,

本標準將框架扭曲修改為條帶扭曲并根據材料的厚度分別進行了規(guī)定

,;

修改了標準中對引線扭曲的要求見原標準中規(guī)定了引線扭曲的角度及引線寬度上

———“”(4.2.5):

的最大偏移量本標準刪除了引線寬度上最大偏移量的規(guī)定

,;

修改了標準中對精壓深度的要求見原標準未考慮精壓深度對精壓寬度的影響簡

———“”(4.2.6):,

單的規(guī)定了精壓深度的尺寸范圍本標準修改為在保證精壓寬度不小于引線寬度的條

。:90%

件下精壓深度不大于材料厚度的其參考值為

,30%,0.015mm~0.06mm;

將金屬間隙修改為絕緣間隙見并修改了標準中對絕緣間隙的要求原標準規(guī)

———“”“”(4.2.7),“”:

定每邊最大精壓凸出不超過應受金屬間隙要求的限制本標準修改為相鄰兩精

“0.051mm,”,“

壓區(qū)端點間的間隔及精壓區(qū)端點與芯片粘接區(qū)間的間隔大于

0.076mm”;

修改了標準中對芯片粘接區(qū)斜度的要求見原標準中分別規(guī)定了在打凹和未打凹條

———“”(4.2.9):

件下的最大斜度本標準統(tǒng)一規(guī)定為在長或寬每尺寸最大傾斜

,2.54mm0.05mm;

修改了標準中對芯片粘接區(qū)平面度的要求見原標準芯片粘接區(qū)平面度與

———“”(4.2.11):4.2.8.2

原標準重復本標準予以刪除本標準取消了原標準中每芯片粘接

4.2.2.2,。4.2.2.22.54mm

區(qū)長度的限制

;

修改了標準中對毛刺的要求見取消了原標準中連筋內外不同區(qū)域垂直毛刺的不同

———“”(4.3.1):

要求本標準統(tǒng)一規(guī)定為

,0.025mm;

修改了標準中對凹坑壓痕和劃痕的要求見在原標準的基礎上增加劃痕的有關

———“、”(4.3.2):

要求

;

修改了標準中對局部鍍銀層厚度的要求見原標準僅規(guī)定了局部鍍銀層的厚度本

———“”(4.4.1):,

標準對局部鍍銀層厚度及任意點分別進行了規(guī)定

;

修改了標準中對鍍層外觀的要求見在原標準的基礎上增加了對鍍層外觀的相關

———“”(4.4.2):,

要求

;

Ⅲ

GB/T16525—2015

增加了銅剝離試驗的有關要求見

———“”(4.6);

增加了銀剝離試驗的有關要求見

———“”(4.7);

對標準檢驗規(guī)則中相應條款進行修改并增加了鑒定批準程序和質量一致性檢驗的有關

———“5”,

內容

;

修改了標準中對貯存的有關要求原標準有鍍層的保存期為三個月本標準規(guī)定為個月

———“”:,6

見

(7.2);

增加了規(guī)范性附錄引線框架機械測量

———A“”。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標準起草單位廈門永紅科技有限公司

:。

本標準主要起草人林桂賢許金圍洪玉云

:、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T16525—1996。

Ⅳ

GB/T16525—2015

半導體集成電路

塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范

1范圍

本標準規(guī)定了半導體集成電路塑料有引線片式載體封裝引線框架以下簡稱引線框架的

(PLCC)()

技術要求及檢驗規(guī)則

。

本標準適用于半導體集成電路塑料有引線片式載體封裝引線框架的研制生產和采購

(PLCC)、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工電子產品環(huán)境試驗第部分試驗方法試驗引出端及整體安

GB/T2423.60—20082: