GB/T 17626.12-2013電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)振鈴波抗擾度試驗(yàn)

ICS3310020

L06..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1762612—2013/IEC610004122006

.代替--:

GB/T17626.12—1998

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

振鈴波抗擾度試驗(yàn)

Electromagneticcompatibility—Testingandmeasurement

techniques—Ringwaveimmunitytest

[IEC61000-4-12:2006,Electromagneticcompatibility(EMC)—Part4-12:

Testingandmeasurementtechniques—Ringwaveimmunitytest,IDT]

2013-12-17發(fā)布2014-04-09實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T1762612—2013/IEC61000-4-122006

.:

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

概述

4………………………2

現(xiàn)象的描述

4.1…………………………2

相關(guān)參數(shù)

4.2……………3

試驗(yàn)等級(jí)

5…………………4

試驗(yàn)設(shè)備

6…………………4

試驗(yàn)信號(hào)發(fā)生器

6.1……………………4

耦合去耦網(wǎng)絡(luò)技術(shù)規(guī)范

6.2/……………6

試驗(yàn)布置

7…………………7

電源端口試驗(yàn)

7.1………………………8

輸入輸出端口試驗(yàn)

7.2/…………………8

通信端口試驗(yàn)

7.3………………………8

接地

7.4…………………9

受試設(shè)備

7.5……………9

耦合去耦網(wǎng)絡(luò)

7.6/……………………10

試驗(yàn)程序

8…………………10

試驗(yàn)室參考條件

8.1……………………10

試驗(yàn)實(shí)施

8.2……………10

試驗(yàn)結(jié)果評(píng)定

9……………12

試驗(yàn)報(bào)告

10………………12

附錄資料性附錄振鈴波試驗(yàn)等級(jí)信息

A()……………18

參考文獻(xiàn)

……………………19

GB/T1762612—2013/IEC61000-4-122006

.:

前言

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)包括以下部分

GB/T17626《》:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論

———GB/T17626.1—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.2—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.3—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.4—2008;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌沖擊抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.5—2008();

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

———GB/T17626.6—2008;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波諧間波的測(cè)

———GB/T17626.7—2008、

量和測(cè)量儀器導(dǎo)則

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.8—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.9—2011;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.10—1998;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化的抗

———GB/T17626.11—2008、

擾度試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)振鈴波抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.12—2013;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)交流電源端口諧波諧間波及電網(wǎng)信

———GB/T17626.13—2006、

號(hào)的低頻抗擾度試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.14—2005;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)閃爍儀功能和設(shè)計(jì)規(guī)范

———GB/T17626.15—2011;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度

———GB/T17626.16—20070Hz~150kHz

試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.17—2005;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)

———GB/T17626.24—2012HEMP

方法

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.27—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.28—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口電壓暫降短時(shí)中

———GB/T17626.29—2006、

斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電能質(zhì)量測(cè)量方法

———GB/T17626.30—2012;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)主電源每相電流大于的設(shè)備的

———GB/T17626.34—201216A

電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)

、。

本部分為的第部分

GB/T1762612。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)振蕩波抗擾度試驗(yàn)本部分與

GB/T17626.12—1998《》。

相比除編輯性修改外主要技術(shù)變化如下

GB/T17626.12—1998,,:

變更了標(biāo)準(zhǔn)名稱見封面

———();

刪除了阻尼振蕩波的相關(guān)內(nèi)容見第章

———(6);

刪除了定義和縮略語中的脈沖群修改了耦合耦合網(wǎng)絡(luò)增加了猝發(fā)校

———“EUT”、“”,“”、“”,“”、“

Ⅰ

GB/T1762612—2013/IEC61000-4-122006

.:

準(zhǔn)校驗(yàn)見第章

”、“”(3);

修改了概述將原標(biāo)準(zhǔn)的概述和附錄進(jìn)行了整合見第章

———,A(4);

修改了試驗(yàn)等級(jí)將原標(biāo)準(zhǔn)的試驗(yàn)等級(jí)和附錄中的部分內(nèi)容進(jìn)行了整合見第章

———,B(5);

修改了試驗(yàn)設(shè)備結(jié)合原標(biāo)準(zhǔn)的附錄進(jìn)行了重新修訂見第章

———,C(6);

修改了氣候條件要求見第章

———(8);

修改了試驗(yàn)結(jié)果的評(píng)定方法見第章

———(9);

修改了試驗(yàn)報(bào)告的要求見第章

———(10);

刪除了原標(biāo)準(zhǔn)的附錄附錄附錄以及附錄的部分內(nèi)容將原標(biāo)準(zhǔn)附錄的部分內(nèi)容

———A、C、DB,B

修訂為本部分的附錄見附錄

A(A)。

本部分使用翻譯法等同采用國際標(biāo)準(zhǔn)電磁兼容第部分試驗(yàn)

IEC61000-4-12:2006《(EMC)4-12:

和測(cè)量技術(shù)振鈴波抗擾度試驗(yàn)

》。

與本部分中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國文件如下

:

電工術(shù)語電磁兼容

———GB/T4365—2003[IEC60050(161):1990,IDT]

本部分進(jìn)行了下列編輯性修改

:

刪除了國際標(biāo)準(zhǔn)的前言和引言將有關(guān)內(nèi)容寫入本部分前言中

———,;

的本部分改為的本部分

———“IEC61000-4”“GB/T17626”;

規(guī)范性引用文件中增加了國際電工詞匯第章電磁兼容

———IEC60050(161)(IEV)161:[In-

ternationalElectrotechnicalVocabulary(IEV)—Chapter161:Electromagneticcompatibili-

ty]。

本部分由全國電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC246)。

本部分起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第三研究所上海電器科學(xué)研究院上海市計(jì)量測(cè)試技術(shù)

:、、

研究院

。

本部分主要起草人朱琳徐嵬邢琳龔增馬效愚林京平

:、、、、、。

本部分于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

1998,。

Ⅱ

GB/T1762612—2013/IEC61000-4-122006

.:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

振鈴波抗擾度試驗(yàn)

1范圍

的本部分是關(guān)于運(yùn)行狀態(tài)下的電子電氣設(shè)備抵御由公共或非公共網(wǎng)絡(luò)中低壓電源

GB/T17626、

控制和信號(hào)線產(chǎn)生的非重復(fù)的衰落振蕩瞬態(tài)現(xiàn)象振鈴波的抗擾度要求和測(cè)試方法

()。

本部分的目的是為在試驗(yàn)室中評(píng)估居住商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用中的電子電氣設(shè)備的性能建立抗擾度要

、

求和共同參考同樣也適用于發(fā)電站和變電站的設(shè)備

,。

注如導(dǎo)則所述這是由產(chǎn)品委員會(huì)使用的電磁兼容基礎(chǔ)出版物導(dǎo)則還提及的產(chǎn)品委員

:IEC107,IEC。107IEC

會(huì)負(fù)責(zé)決定是否采用本部分中的抗擾度試驗(yàn)如果得到采用他們還負(fù)責(zé)確定適當(dāng)?shù)脑囼?yàn)等級(jí)和性能判據(jù)

。,。

全國電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)和其分委員會(huì)可以和產(chǎn)品委員會(huì)進(jìn)行合作以評(píng)估產(chǎn)品采用特定的抗擾度試

,

驗(yàn)的意義

。

本部分的目的在于規(guī)定

:

試驗(yàn)電壓和電流波形

———