GB/T 17865-1999焦深與最佳聚焦的測量規(guī)范

ICS31.200L56中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T17865—1999idtSEMIP25:1994焦深與最佳聚焦的測量規(guī)范Specificationformeasuringdepthoffocusandbestfocus1999-09-13發(fā)布2000-06-01實(shí)施國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T17865-1999目次前言oooooo范圍引引用標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語方法報(bào)告

GB/T17865--1999本標(biāo)準(zhǔn)等同采用1994年SEMI標(biāo)準(zhǔn)版本“微型構(gòu)圖”部分中的SEMIP25:1994《焦深與最佳聚焦的測量規(guī)范》（Specificationformeasuringdepthoffocusandbestfocus)。SEMI標(biāo)準(zhǔn)是國際上公認(rèn)的一套半導(dǎo)體設(shè)備和材料國際標(biāo)準(zhǔn).SEMIP25：1994《焦深與最佳聚焦的測量規(guī)范》是其中的一項(xiàng).它將與已經(jīng)轉(zhuǎn)化的八項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T15870—1995《硬面光掩模用鉻薄膜》(eqvSEMIP2:1986)：GB/T15871一1995《硬面光掩?；濉?neqSEMIP1:1992)GB/T16527—1996《硬面感光板中光致抗蝕劑和電子束抗蝕劑規(guī)范》eqvSEMIP3:1990)；GB/T16523—1996《圓形石英玻璃光掩?；逡?guī)范》(eqvSEMIP4:1992）；GB/T16524—1996《光掩模對準(zhǔn)標(biāo)記規(guī)范》(eqvSEMIP6:1988)；GB/T16878—1997《用于集成電路制造技術(shù)的檢測圖形單元規(guī)范》idtSEMIP19:1992)；GB/T16879-1997《掩模噪光系統(tǒng)精密度和準(zhǔn)確度的表示準(zhǔn)則》idtSEMIP21:1992):GB/T16880—1997《光掩模缺陷分類和尺寸定義的準(zhǔn)則》(idtSEMIP22:1993），以及與本標(biāo)準(zhǔn)同時轉(zhuǎn)化的GB/T17866—1999《掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準(zhǔn)則》（idtSEMIP23:1993)和GB/T17864一1999《關(guān)鍵尺寸（CD）計(jì)量方法》idtSEMIP24:1994)兩項(xiàng)SEMI標(biāo)準(zhǔn)形成一個國家標(biāo)準(zhǔn)微型構(gòu)圖系列本標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)P25:1994《焦深與最佳聚焦的測量規(guī)范》制定的。在技術(shù)內(nèi)容上等同地采用了該國際標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)從2000年6月1日起實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)由中國科學(xué)院提出。本標(biāo)準(zhǔn)由SEMI中國標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國科學(xué)院微電子中心本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：陳寶欽、陳森錦、廖溫初、劉明。

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)焦深與最佳聚焦的測量規(guī)范GBT17865-1999idtSEMIP25：1994Specificationformeasuringdepthoffocusandbestfocus范圍1.1IC行業(yè)中的光刻及光掩模制造工藝需要對IC光刻設(shè)備如光學(xué)圖形發(fā)生器、分步重復(fù)精縮機(jī)、分步重復(fù)投影光刻機(jī)、掃描瞬光系統(tǒng)等(以下簡稱為設(shè)備)的聚焦深度、像散和場畸變進(jìn)行測量并提出報(bào)告·本標(biāo)準(zhǔn)解釋他們常用的術(shù)語的含義和所用的基本技術(shù)。1.2本標(biāo)準(zhǔn)只涉及集成電路生產(chǎn)中所用的光刻技術(shù)及其關(guān)系密切的技術(shù)的聚焦與焦深測量問題。由于設(shè)備技術(shù)多種多樣.因而不可能提出這些參數(shù)的明確測量方法。本標(biāo)準(zhǔn)只提供基本準(zhǔn)則。注：在確定適合某項(xiàng)應(yīng)用的最佳焦點(diǎn)時.這個方法是顏有價(jià)值的。但它的主要目的是通過測定焦深、像散和場畸變來比較不同的設(shè)備和工藝。1.3對于某一個具體設(shè)備來說，焦深、像散和場畸變數(shù)值的測定離不開圖像幾何尺寸和圖像轉(zhuǎn)印工藝的影響。這些數(shù)值必須在適應(yīng)該設(shè)備的某個實(shí)際使用過程的各種限制條件下進(jìn)行測定，包括照明、工藝、目標(biāo)圖形和環(huán)境。因此·為了公正測定設(shè)備的性能.所用的工藝必須適合相應(yīng)設(shè)備和使用條件，而且應(yīng)針對相應(yīng)設(shè)備和應(yīng)用過程進(jìn)行優(yōu)化。兩個不同設(shè)備的性能比較實(shí)質(zhì)上是綜合應(yīng)用的比較,其中包括該設(shè)備專用的工藝。在焦深、像散或場畸變的測量報(bào)告中.工藝描述是必不可少的部分。如果借鑒的數(shù)據(jù)是從與相應(yīng)設(shè)備所需應(yīng)用條件偏離太大的情況下取得的，則這樣的數(shù)據(jù)將引入誤差·還可能引起意想不到的工藝失敗。引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性GGB/T16878—1997用于集成電路制造技術(shù)的檢測圖形單元規(guī)范SJ/T10584-1994微電子學(xué)光掩蔽技術(shù)術(shù)語3術(shù)語3.1圖像image下列情況出現(xiàn)的任何一種幾何形狀：“）繪制的圖形：原圖的一部分;b）光學(xué)像：投影在屏幕上的或看到的.通常經(jīng)過某種程度的放大或縮?。篊）氧化層上的圖形：在硅片上二氧化硅層中刻蝕出來的；d）照相的圖形：在光刻掩模中.或者在照相膠片或超微粒干板的乳膠里；e）光致抗蝕劑的圖形：在硅片襯底上或鉻版上經(jīng)過瞬光和顯影的