GB/T 17866-1999掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評(píng)估測(cè)量方法準(zhǔn)則

ICS31.200L56中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T17866—1999idtSEMiP23.1993掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評(píng)估測(cè)量方法準(zhǔn)則Guidelineforprogrammeddefectmasksandbenchmarkproceduresforsensitivityanalysisofmaskdefectinspectionsystems1999-09-13發(fā)布2000-06-01實(shí)施國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T17866-1999目次前言……………·上范圍2引用標(biāo)準(zhǔn)……3特制缺陷的類(lèi)別4特制缺陷的尺寸定義基本單元與基本子單元6侍制缺陷的識(shí)別符號(hào)7缺陷單元在芯片圖形上的排列規(guī)則特制缺陷掩模中芯片布局9測(cè)試掩模用于靈敏度評(píng)估10測(cè)試掩模的名稱(chēng)、比例和標(biāo)題

GB/T17866--1999本標(biāo)準(zhǔn)等同采用1994年SEMI標(biāo)準(zhǔn)版本“微型構(gòu)圖”部分中的SEMIP23:1993《掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評(píng)估測(cè)量方法準(zhǔn)則》（Guidelineforprogrammeddefectmasksandbenchmarkproceduresforsensitivityanalysisofmaskdefectinspectionsystems)。SEMI標(biāo)準(zhǔn)是國(guó)際上公認(rèn)的一套半導(dǎo)體設(shè)備和材料國(guó)際標(biāo)準(zhǔn).SEMIP23：1993(搶模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評(píng)估測(cè)量方法準(zhǔn)則》是其中的一項(xiàng)，它將與如下已經(jīng)轉(zhuǎn)化的八項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T15870-1995《硬面光掩模用鉻薄膜》(eqvSEMIP2:1986)：GB/T15871-1995《硬面光掩模基板》(neqSEMIP1:1992)；GB/T16527-1996《硬面感光板中光致抗蝕劑和電子束抗蝕劑規(guī)范》eqvSEMIP3:1990）GB/T16523—1996《圓形石英玻璃光掩?；逡?guī)范》(eqvSEMIP4:1992):GB/T16524—1996《光掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記規(guī)范》(eqvSEMIP6:1988);GB/T16878-1997《用于集成電路制造技術(shù)的檢測(cè)圖形單元規(guī)范》idtSEMIP19:1992):GB/T16879-1997《掩模曝光系統(tǒng)精密度和準(zhǔn)確度的表示準(zhǔn)則》(idtSEMIP21:1992)；GB/T16880—1997《光掩模缺陷分類(lèi)和尺寸定義的準(zhǔn)則》(idtSEMIP22:1993），以及與本標(biāo)準(zhǔn)同時(shí)轉(zhuǎn)化的GB/T17864—1999關(guān)鍵尺寸（CD)計(jì)量方法》idtSEMIP24:1994)和GB/T17865—1999《焦深與最佳聚焦的測(cè)量規(guī)范》idrSEMIP25:1994)兩項(xiàng)SEMI標(biāo)準(zhǔn)形成一個(gè)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)微型構(gòu)圖系列。本標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)P23：1993《掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評(píng)估測(cè)量方法準(zhǔn)則》制定的。在技術(shù)內(nèi)容上等同地采用了該國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)從2000年6月1日起實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)院提出。本標(biāo)準(zhǔn)由SEMI中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國(guó)科學(xué)院微電子中心。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：陳寶欽、陳森錦、廖溫初、劉明

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷撞模和GB/T1999評(píng)估測(cè)量方法準(zhǔn)則Guidelineforprogrammeddefectmasksandbenchmarkproceduresforsensitivityanalysisofmaskdefectinspectionsystems1范圍本標(biāo)準(zhǔn)的目的是制定一套可用于評(píng)估掩模缺陷檢查系統(tǒng)靈敏度的測(cè)試掩模。這套測(cè)試掩模包括：含特制圖形缺陷的測(cè)試芯片，以及不含特制圖形缺陷的參考測(cè)試芯片。由于測(cè)試芯片是由各種單元集合而成·所以在本標(biāo)準(zhǔn)中，測(cè)試芯片是用單元圖形、單元圖形中的特制缺陷、以及單元的布局來(lái)定義的。此外.測(cè)試掩模是通過(guò)規(guī)定測(cè)試芯片的排列來(lái)定義的。本標(biāo)準(zhǔn)還講述這套掩模的用法。過(guò)去的設(shè)備在靈敏度測(cè)試中.許多設(shè)備生產(chǎn)廠(chǎng)家和用戶(hù)使用不同的掩模，而且每個(gè)廠(chǎng)家和用戶(hù)各自決定不同的測(cè)試方法。在某些情況下·逸今還沒(méi)有統(tǒng)一的測(cè)量方法或靈敏度分析方法。所以·在對(duì)各廠(chǎng)家的設(shè)備進(jìn)行靈敏度比較時(shí),在廠(chǎng)家與用戶(hù)商定規(guī)范時(shí),在用戶(hù)與用戶(hù)商定規(guī)范時(shí).都免不了要發(fā)生混湯。所以在評(píng)估掩模缺陷檢查系統(tǒng)的靈敏度時(shí)，最好采用本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)試掩模2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過(guò)在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí)，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性GB/T16880—1997光掩模缺陷分類(lèi)和尺寸定義的準(zhǔn)則SJ/T10584-1994微微電子學(xué)光掩蔽技術(shù)術(shù)語(yǔ)特制缺陷的類(lèi)別本標(biāo)準(zhǔn)所述的特制缺陷是利用兩種背景圖形來(lái)定義的。這兩種背景圖形是a）接觸孔圖形（contactpattern）；b）線(xiàn)條套圈圖形(wiringpattern)圖形的設(shè)計(jì)規(guī)則規(guī)定為3Pm(在掩模上)。本章對(duì)這兩種背景圖形中的特制缺陷進(jìn)行分類(lèi)、定義并編號(hào)在接觸孔圖形中的特制缺陷稱(chēng)為“接觸孔缺陷"：在線(xiàn)