標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 19248-2003 封裝引線電阻測試方法》這一標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了對封裝引線電阻進(jìn)行測試的具體方法、要求及評估準(zhǔn)則。與未明確指明的前一版標(biāo)準(zhǔn)或同類標(biāo)準(zhǔn)相比，它主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和改進(jìn)：

  1. 測試精度提升：新標(biāo)準(zhǔn)可能引入了更嚴(yán)格的測量精度要求，確保測試結(jié)果更加準(zhǔn)確可靠，以滿足高性能電子元件的需求。

  2. 測試程序細(xì)化：標(biāo)準(zhǔn)中對測試前的準(zhǔn)備步驟、測試環(huán)境條件（如溫度、濕度）、以及測試儀器的校準(zhǔn)要求進(jìn)行了細(xì)化說明，增強(qiáng)了測試過程的標(biāo)準(zhǔn)化和可重復(fù)性。

  3. 新增測試項(xiàng)目：可能根據(jù)技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用需求，增加了對特定類型封裝引線電阻（如高頻性能、功率耐受性）的測試方法，以全面評估其性能。

  4. 安全規(guī)范更新：針對操作安全，新標(biāo)準(zhǔn)可能加入了最新的安全操作規(guī)程和防護(hù)措施，確保測試過程中人員和設(shè)備的安全。

  5. 術(shù)語和定義完善：為了統(tǒng)一行業(yè)語言，標(biāo)準(zhǔn)中可能對相關(guān)專業(yè)術(shù)語給出了更精確的定義，便于各方準(zhǔn)確理解和執(zhí)行。

  6. 環(huán)境適應(yīng)性考量：可能新增或修訂了關(guān)于不同使用環(huán)境下（如極端溫度、高濕度）封裝引線電阻性能測試的要求，確保產(chǎn)品在各種條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

  7. 國際標(biāo)準(zhǔn)接軌：新標(biāo)準(zhǔn)在制定時(shí)可能參考了國際上先進(jìn)的測試標(biāo)準(zhǔn)和方法，使得國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)與國際標(biāo)準(zhǔn)更加接軌，有利于提高產(chǎn)品的國際競爭力。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2003-07-02 頒布
  • 2003-10-01 實(shí)施
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GB/T 19248-2003封裝引線電阻測試方法_第1頁
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ICS31.200L55中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T19248—2003封裝引線電阻測試方法Testmethodformeasuringtheresistanceofpackageleads2003-07-02發(fā)布2003-10-01實(shí)施中華人民共和國發(fā)布國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

GB/T19248一2003前本標(biāo)淮修改采用國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織(SEMI)標(biāo)準(zhǔn)SEMIG25:1989(試驗(yàn)方法測量封裝引線的電阻》.為我國集成電路封裝引線電阻的測量確定一個(gè)統(tǒng)一的方法.為便于使用，本標(biāo)準(zhǔn)做了下列編輯性修改：a）將英制單位轉(zhuǎn)化為我國的法定計(jì)量單位；b）將第1章目的改為范圍.并將有關(guān)內(nèi)容做了編輯性處理：c）刪除附于標(biāo)準(zhǔn)后面的“注意”。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化分技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：陳裕餛、王琪。

GB/T19248-2003封裝引線電阻測試方法范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測量封裝引線電阻的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于針柵陣列封裝(PGA)引線電阻的測試該測試技術(shù)也適用于其他微電子封裝如無引線片式載體(LCC)、四邊引線扁平封裝（QFP)和陶瓷雙列封裝(CDIP)等引線電阻的測試。2設(shè)備和器材2.1采用四探針方法(開爾文法）.并配有4根電纜的直流歐姆表·準(zhǔn)確度應(yīng)不低于士4mn.2.2配有四個(gè)探針的探針臺。探針的錐度和錐頭直徑應(yīng)允許兩個(gè)探針能同時(shí)觸到邊長0.13mm的方形范圍內(nèi)·而在別處彼此不會接觸。推薦使用帶四個(gè)探針的微動臺。3程序3.1將歐姆表低端的兩個(gè)探針盡可能靠近地置于外部引線的臺肩上或外部引線的中央（見圖1.點(diǎn)A）。3.2將歐姆表高端的兩個(gè)探針置于靠空腔端的引線末端0.13mm內(nèi)(見圖1,點(diǎn)B)3.3將歐姆表調(diào)至盡可能低的量程，而又不致處于"超量程"狀態(tài)3.4讀取電阻值。使用本方法的總誤差為±20mQ,此誤差估計(jì)值包括了儀器基本誤差.探針位置的重復(fù)性和典型的封裝結(jié)構(gòu)（印制圖準(zhǔn)確度)。針柵陣列封裝人_0.13mn一點(diǎn)A封裝材料一最大0.20mm（內(nèi)腔引線）無引線片式載體點(diǎn)點(diǎn)A引線封裝典型例了點(diǎn)A點(diǎn)人或點(diǎn)B的探針位置圖1電阻的測量住意事項(xiàng)只要仔細(xì)旋轉(zhuǎn)探針的位暨.就可進(jìn)行100mQ以下電阻的測量。例如,在測量0.25mm寬的導(dǎo)線時(shí),二組探針間的距離

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