標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的測(cè)定-間隙氧含量減少法》這一標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了使用間隙氧含量減少法來(lái)測(cè)定硅片中氧沉淀特性的方法。不過(guò)，您提供的信息似乎期望對(duì)比該標(biāo)準(zhǔn)與另一個(gè)未明確給出的標(biāo)準(zhǔn)或版本的差異，這在當(dāng)前的請(qǐng)求中沒(méi)有直接指出。由于缺乏具體的對(duì)比對(duì)象，我無(wú)法直接列出詳細(xì)的變更內(nèi)容。

但若要討論一般性的標(biāo)準(zhǔn)更新或修訂可能包含的變更類(lèi)型，通常涉及以下幾個(gè)方面：

  1. 測(cè)量技術(shù)與方法的改進(jìn)：新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)引入更精確、更高效的測(cè)量技術(shù)，以提高測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。
  2. 術(shù)語(yǔ)和定義的更新：隨著行業(yè)的發(fā)展，一些術(shù)語(yǔ)可能有了新的解釋或新增了相關(guān)術(shù)語(yǔ)，以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化的要求。
  3. 測(cè)試條件與程序的調(diào)整：包括樣品制備、測(cè)試環(huán)境控制、數(shù)據(jù)分析等方面的具體要求可能有所變化，以反映最佳實(shí)踐或解決舊標(biāo)準(zhǔn)中發(fā)現(xiàn)的問(wèn)題。
  4. 精度與誤差要求的修訂：新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)測(cè)試結(jié)果的精度提出更高要求，或者調(diào)整可接受的誤差范圍。
  5. 適用范圍的擴(kuò)展或限定：可能根據(jù)技術(shù)發(fā)展或市場(chǎng)需求，擴(kuò)大或縮小了標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍，比如涵蓋了更多類(lèi)型的硅片或特定的應(yīng)用場(chǎng)景。
  6. 引用標(biāo)準(zhǔn)的更新：隨著相關(guān)基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)或配套標(biāo)準(zhǔn)的更新，新標(biāo)準(zhǔn)會(huì)引用最新版本的其他標(biāo)準(zhǔn)，確保整個(gè)標(biāo)準(zhǔn)體系的一致性和先進(jìn)性。


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  • 2004-02-05 頒布
  • 2004-07-01 實(shí)施
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GB/T 19444-2004硅片氧沉淀特性的測(cè)定-間隙氧含量減少法_第1頁(yè)
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ICS29.040.01H26中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T19444-2004硅片氧沉淀特性的測(cè)定一間隙氧含量減少法Oxygenprecipitationcharacterizationofsiliconwafersbymeasurementofinterstitialoxygenreduction2004-02-05發(fā)布2004-07-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局愛(ài)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T19444一2004前本標(biāo)準(zhǔn)等同采用ASTMF1239:1994《用間隙氧含量減少法測(cè)定硅片氧沉淀特性》本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)歸口本標(biāo)準(zhǔn)由洛陽(yáng)單品硅有限責(zé)任公司和中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所起草本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：蔣建國(guó)、屠妹英、賀東江、章云杰。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)負(fù)責(zé)解釋

GB/T19444一2004氧原子含量是表征直拉硅單晶性能的重要技術(shù)參數(shù)，其含量大小影響半導(dǎo)體器件的性能和成品率這一事實(shí)·早已引起了材料和器件研究者的極大關(guān)注·并進(jìn)行了深人的研究。結(jié)果表明：器件工藝的熱循環(huán)過(guò)程使間隙氧發(fā)生沉淀現(xiàn)象。沉淀的氧有吸附體內(nèi)金屬雜質(zhì)的能力.在硅片表面形成潔凈層.從而提高器件的性能和成品率。而氧的沉淀特性與原始氧含量的大小相關(guān)。因此·通過(guò)熱循環(huán)的模擬試驗(yàn)獲得硅片的氧沉淀特性，對(duì)硅單品生產(chǎn)和硅器件的生產(chǎn)具有指導(dǎo)性作用

GB/T19444一2004硅片氧沉淀特性的測(cè)定-間隙氧含量減少法1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由測(cè)量硅片間隙氧含量的減少量來(lái)檢驗(yàn)硅片氧沉淀特性的方法原理、取樣規(guī)則、熱處理程序、試驗(yàn)步驛、數(shù)據(jù)計(jì)算等內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)用于定性比較兩批或多批集成電路用硅片間隙氧沉淀特性2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而.鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。（B/T1557硅品體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法。GB/T14143300～900m硅片間隙氧含量紅外吸收測(cè)量方法。GB/T14144硅品體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法.3方法原理按照制作集成電路的熱循環(huán)過(guò)程·對(duì)硅片作模擬熱處理。用紅外吸收的方法·測(cè)量硅片熱處理前和熱處理后的間隙氧含量，其差值視為間隙氧發(fā)生沉淀的量。沉淀量的大小變化與硅片原始氧及其他雜質(zhì)含量、缺陷、熱處理過(guò)程有關(guān).并稱(chēng)為硅片間隙氧的沉淀特性。4儀器與設(shè)備4.1紅外分光光度計(jì)或傅里葉紅外光譜儀、儀器在1107cm-處的分辨率小于5cm2。4.2熱處理爐：爐溫750/1050℃±5C，有足夠放置試驗(yàn)硅片的恒溫區(qū)長(zhǎng)度，并滿(mǎn)足以下條件：4.2.1氣體進(jìn)氣管路：允許干氧和氮?dú)獍匆蟮谋嚷屎土髁炕旌?.2.27石英管或硅管，其直徑適合被測(cè)硅片。4.2.3石英舟或硅舟，確保硅片表面充分暴露在氣氯中。4.3厚度測(cè)量?jī)x：精度優(yōu)于2m。5試劑與氣體5.1超純?nèi)ルx子水:電阻率>10MQ·cm5.2化學(xué)試劑5.2.1氨水：優(yōu)級(jí)純;5.2.2鹽酸：優(yōu)級(jí)純；5.2.3雙氧水：優(yōu)級(jí)純；5.2.4氫氟酸：電子級(jí)純度；5

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