GB/T 19921-2018硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法

ICS77040

H21.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T19921—2018

代替

GB/T19921—2005

硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法

Testmethodforparticlesonpolishedsiliconwafersurfaces

2018-12-28發(fā)布2019-07-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T19921—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

方法提要

4…………………4

干擾因素

5…………………5

設(shè)備

6………………………7

測(cè)試環(huán)境

7…………………7

參考樣片

8…………………8

校準(zhǔn)

9………………………8

測(cè)試步驟

10…………………9

精密度

11……………………9

試驗(yàn)報(bào)告

12…………………9

附錄規(guī)范性附錄針對(duì)線寬技術(shù)用硅片的掃描表面檢查系統(tǒng)的要求指南

A()130nm~11nm…11

附錄規(guī)范性附錄測(cè)定掃描表面檢查系統(tǒng)XY坐標(biāo)不確定性的方法

B()……………18

附錄規(guī)范性附錄采用覆蓋法確定掃描表面檢查系統(tǒng)俘獲率和虛假計(jì)數(shù)率的測(cè)試方法

C()………20

Ⅰ

GB/T19921—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法與相比除編

GB/T19921—2005《》,GB/T19921—2005,

輯性修改外主要技術(shù)變化如下

:

修改了適用范圍見(jiàn)第章年版第章

———(1,20051)。

規(guī)范性引用文件中刪除了和增加了

———ASTMF1620-1996、ASTMF1621-1996SEMIM1-0302,

GB/T6624、GB/T12964、GB/T12965、GB/T14264、GB/T25915.1、GB/T29506、SEMI

及見(jiàn)第章年版第章

M35、SEMIM52、SEMIM53SEMIM58(2,20052)。

術(shù)語(yǔ)和定義中刪除了分布圖亮點(diǎn)缺陷漏報(bào)的計(jì)數(shù)微粗糙度重復(fù)性再現(xiàn)性劃痕增加了

———、、、、、、,

晶體原生凹坑虛假計(jì)數(shù)率累計(jì)虛假計(jì)數(shù)率變化率水平靜態(tài)方法動(dòng)態(tài)方法匹配公差標(biāo)

、、、、、、、

準(zhǔn)機(jī)械接口系統(tǒng)的定義并根據(jù)修改了部分已有術(shù)語(yǔ)的定義見(jiàn)第章年

,GB/T14264(3,2005

版第章

3)。

方法提要中增加了關(guān)于局部光散射體延伸光散射體及晶體原生凹坑霧的測(cè)試原理見(jiàn)

———、、(4.1、

4.3、4.4、4.5)。

根據(jù)測(cè)試方法使用情況增加了影響測(cè)試結(jié)果的干擾因素見(jiàn)

———,(5.2、5.4、5.10、5.12、5.13、5.14、

5.16、5.19、5.20、5.21、5.23)。

修改了測(cè)試設(shè)備明確分為晶片夾持裝載系統(tǒng)激光掃描及信號(hào)收集系統(tǒng)數(shù)據(jù)分析處理傳

———,、、、、

輸系統(tǒng)操作系統(tǒng)和機(jī)械系統(tǒng)見(jiàn)第章年版第章

、(6,20056)。

增加了測(cè)試環(huán)境將原標(biāo)準(zhǔn)方法概述中對(duì)環(huán)境的描述列為第章條款見(jiàn)第章年版

———“”,7(7,2005

第章

4)。

參考樣片中增加了關(guān)于凹坑和劃傷參考樣片的內(nèi)容見(jiàn)

———“”“”(8.10、8.11)。

將除上述沉積聚苯乙烯乳膠球的參考樣片外有條件的用戶可選擇對(duì)掃描表面檢查系統(tǒng)的定

———“,

位準(zhǔn)確性能力進(jìn)行測(cè)定的參考樣片詳見(jiàn)中第章參考樣片修改為應(yīng)選

。ASTMF121-968”“

擇具有有效證書(shū)的樣片作為參考樣片參考樣片應(yīng)符合中的規(guī)定見(jiàn)年

,SEMIM53”(8.1,2005

版

7.9)。

細(xì)化了使用參考樣片校準(zhǔn)掃描表面檢查系統(tǒng)的程序增加了中通過(guò)重復(fù)校準(zhǔn)來(lái)確認(rèn)

———(9.2),9.3

系統(tǒng)的穩(wěn)定性的要求增加了中的在靜態(tài)或動(dòng)態(tài)方法條件下測(cè)試確定掃描表面檢查系

;9.4“,

統(tǒng)的XY坐標(biāo)不確定性的要求增加了對(duì)掃描表面檢查系統(tǒng)的虛假計(jì)數(shù)進(jìn)行評(píng)估獲得

”;9.5“,

測(cè)試系統(tǒng)的俘獲率乳膠球尺寸的標(biāo)準(zhǔn)偏差虛假計(jì)數(shù)率和累計(jì)虛假計(jì)數(shù)率的要求在中

、、”;9.6

進(jìn)行設(shè)備校準(zhǔn)前后測(cè)試結(jié)果的比對(duì)增加了有條件的可進(jìn)行多臺(tái)掃描表面檢查系統(tǒng)的比對(duì)

,“,

并進(jìn)行匹配公差計(jì)算增加了推薦使用中的凹坑或劃傷尺寸的參考樣片來(lái)規(guī)

”;9.7“8.10、8.11

范晶片表面的凹坑及劃傷也可將相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)模型保存在掃描表面檢查系統(tǒng)的軟件中的內(nèi)

?！?/p>

容見(jiàn)第章年版第章

(9,20058)。

根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果修改了精密度的內(nèi)容第章年版第章

———(11,200511)。

增加了規(guī)范性附錄規(guī)范性附錄規(guī)范性附錄見(jiàn)附錄附錄附錄

———A、B、C(A、B、C)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

Ⅲ

GB/T19921—2018

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料有限公司上海合晶硅材料有限公司浙江金瑞泓科技股份有限

:、、

公司南京國(guó)盛電子有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司

、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫燕劉卓馮泉林徐新華張海英駱紅劉義楊素心張雪囡

:、、、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T19921—2005。

Ⅳ

GB/T19921—2018

硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了應(yīng)用掃描表面檢查系統(tǒng)對(duì)拋光片外延片等鏡面晶片表面的局部光散射體進(jìn)行測(cè)試

、,

對(duì)局部光散射體與延伸光散射體散射光與反射光進(jìn)行區(qū)分識(shí)別和測(cè)試的方法針對(duì)

、、。130nm~11nm

線寬工藝用硅片本標(biāo)準(zhǔn)提供了掃描表面檢查系統(tǒng)的設(shè)置

,。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于使用掃描表面檢查系統(tǒng)對(duì)硅拋光片和外延片的表面局部光散射體進(jìn)行檢測(cè)計(jì)數(shù)及

、

分類也適用于對(duì)硅拋光片和外延片表面的劃傷晶體原生凹坑進(jìn)行檢測(cè)計(jì)數(shù)及分類對(duì)硅拋光片和外

,、、,

延片表面的桔皮波紋霧以及外延片的棱錐乳突等缺陷進(jìn)行觀測(cè)和識(shí)別本標(biāo)準(zhǔn)同樣適用于鍺拋光

、、、。

片化合物拋光片等鏡面晶片表面局部光散射體的測(cè)試

、。

注本標(biāo)準(zhǔn)中將硅鍺砷化鎵材料的拋光片和外延片及其他材料的鏡面拋光片外延片等統(tǒng)稱為晶片

:、、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅單晶拋光片

GB/T12964

硅單晶切割片和研磨片

GB/T12965

硅外延片

GB/T14139

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級(jí)

GB/T25915.11:

硅單晶拋光片

GB/T29506300mm

自動(dòng)檢測(cè)硅片表面特征的發(fā)展規(guī)范指南

SEMIM35(Guidefordevelopingspecificationsfor

siliconwafersurfacefeaturesdetectedbyautomatedinspection)

關(guān)于線寬工藝用硅片的掃描表面檢查系統(tǒng)指南

SEMIM52130nm~11nm