GB/T 21039.1-2007半導(dǎo)體器件分立器件第4-1部分：微波二極管和晶體管微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

ICS31.080.30L41中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T21039.1-2007/IEC60747-4-1:2000半導(dǎo)體器件分立器件第4-1部分：微波二極管和晶體管微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductordevices-Discretedeyices-Part4-1：Microwavediodesandtransistors--Microwavefieldeffecttransistors-Blankdetailspecification（IEC60747-4-1:2000,IDT)2007-06-29發(fā)布2007-11-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T21039.1-2007/IEC60747-4-1:2000前本部分是《半導(dǎo)體器件分立器件》系列國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之一。下面列出本系列已有的和正在制定的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：-GB/T4589.1—2006《半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范》;GGB/T12560—1999《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》：GB/T17573-1998《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第1部分：總則》；GB/T4023—1997《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分：整流二極管》：（B/T6571—1995《半導(dǎo)體器件分立器件第3部分：信號(hào)(包括開(kāi)關(guān))和調(diào)整二極管》：-GB/T20516—2006《半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件》；GB/T21039.1—2007《半導(dǎo)體器件分立器件第4-1部分.微波二極管和晶體管微波場(chǎng)效應(yīng)品體管空白詳細(xì)規(guī)范》；-GB/T15291—1994《半導(dǎo)體器件第6部分：品閘管》;-GB/T4587-1994《半導(dǎo)體器件→分立器件和集成電路第7部分：雙極型品體管》GB/T4586—1994《半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)品體管》：《半導(dǎo)體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極型品體管》。本部分等同采用IEC60747-4-1:2000《半導(dǎo)體器件分立器件第4-1部分：微波二極管和品體管微波場(chǎng)效應(yīng)品體管空白詳細(xì)規(guī)范》英文版)。為了便于使用，本部分作了如下編輯性修改：a）用小數(shù)點(diǎn)"."代替作為小數(shù)點(diǎn)的迎號(hào)"."：刪除國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的前言；第7章訂貨資料“....3.7規(guī)定的質(zhì)量評(píng)定類別·.."和".....3.6規(guī)定的篩選順序·..“原文中章條號(hào)編輯性錯(cuò)誤,應(yīng)為"...3.8規(guī)定的質(zhì)量評(píng)定類別·..“和".....3.7規(guī)定的篩洗順序·...."：第第8章試驗(yàn)條件和檢驗(yàn)要求"…….引用或重新規(guī)定GB/T12560—1999中3.8的數(shù)伯。”原文中章條號(hào)編輯性錯(cuò)誤,應(yīng)為"……….引用或重新規(guī)定GB/T12560—1999中3.7的數(shù)值。"；（3分組檢驗(yàn)要求極限中"》無(wú)損壞".原文編輯性錯(cuò)誤;應(yīng)為"無(wú)損壞"；e經(jīng)比較本部分C8分組的引用標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-8-1附錄1在內(nèi)容上與本部分附錄A一致,因此本部分中C8分組的引用標(biāo)準(zhǔn)改為本部分附錄A。本部分中引用的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)等同采用的IEC標(biāo)準(zhǔn)是：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)IEC標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)GB/T4589.1-2006TEC60747-10(1991GB/T20516-2006IEC60747-4（2001GB/T12560-1999TEC60747-11（1985)本部分中引用的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)及試驗(yàn)方法號(hào)相對(duì)應(yīng)等同采用的IEC標(biāo)準(zhǔn)中的試驗(yàn)方法是：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)及方法號(hào)IEC標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法號(hào)GB/T4586-19944.2T071GB/T4586-19944.5T-O74T-072GB/T4587-19954.1.13.6T-044

GB/T21039.1-2007/IEC60747-4-1：2000本部分附錄A是規(guī)范性附錄本部分由中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部提出。本部分由全國(guó)半導(dǎo)體分立器件標(biāo)準(zhǔn)化分技術(shù)委員會(huì)歸口本部分由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所本部分起草人：羅發(fā)明、劉春勛。

GB/T21039.1一2007/IEC60747-4-1:2000半導(dǎo)體器件分立器件第4-1部分：微波二極管和晶體管微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范引言IEC電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系遵循IEC章程并在IEC授權(quán)下工作。該體系的目的是確定質(zhì)量評(píng)定程序,以這種方式使一個(gè)參加國(guó)按有關(guān)規(guī)范要求放行的電子元器件無(wú)需進(jìn)一步試驗(yàn)而為其他所有參加國(guó)同樣接受。本空白詳細(xì)規(guī)范是半導(dǎo)體器件的一系列空白詳細(xì)規(guī)范之一,并應(yīng)與下列國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)一起使用GB/T4589.1—2006半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范(IEC60747-10:1991.IDT)GB/T12560-1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范(idtIEC60747-11:1996)要求的資料本頁(yè)及下頁(yè)方括號(hào)內(nèi)的數(shù)字與下列各項(xiàng)要求的資料相對(duì)應(yīng),這些資料應(yīng)填入相應(yīng)欄中。詳細(xì)規(guī)范的識(shí)別口1」授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)名稱，C2詳細(xì)規(guī)范的IECQ編號(hào)?？傄?guī)范和分規(guī)范的編號(hào)及版本號(hào)。【4詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家編號(hào)、發(fā)布日期及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)體系要求的任何資料器件的識(shí)別L5器件的類型典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用資料。如果一種器件有幾種應(yīng)用,則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中說(shuō)明。這些應(yīng)用的特性、極限值和檢驗(yàn)要求均應(yīng)予以滿足。如果器件是靜電敏感型或含有危險(xiǎn)材料，如氧化皺,應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中給出注意事項(xiàng)?？谕庑螆D和（或）引用有關(guān)的外形標(biāo)準(zhǔn)C8質(zhì)量評(píng)定類別。L9能能在器件型號(hào)之間比較的最重要特性的參考數(shù)據(jù)【在本規(guī)范中.方括號(hào)里給出的文字是用于指導(dǎo)詳細(xì)規(guī)范的編寫(xiě)者，不應(yīng)納入詳細(xì)規(guī)范中?！冈诒疽?guī)范中,×"表示應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中規(guī)定特性或額定值的值。【負(fù)責(zé)發(fā)布規(guī)范的國(guó)家代表機(jī)構(gòu)(NAI)或團(tuán)體的名稱(地IECQ詳細(xì)規(guī)范編號(hào)、版本號(hào)和（或）日期址）QC750115評(píng)定電子元器件質(zhì)量的依據(jù)：總規(guī)范：GB/T4589.1-200