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文檔簡介
中國計量學院1李靜材料科學基礎(chǔ)(二)辦公室:方圓南樓A407-2
Tel:86875600E-mail:jingli@中國計量學院2考核方法及成績評定1、考核方式:閉卷考試2、成績評定:平時成績30%,期末考試70%。3、平時成績評定:考勤(5×8,缺16個學時取消考試資格)作業(yè)和課堂練習/課堂表現(xiàn)(60)中國計量學院3《材料科學基礎(chǔ)》,胡賡祥,上海交通大學出版社《材料科學基礎(chǔ)教程》,趙品等,哈爾濱工業(yè)大學出版社參考書目《材料科學名人典故與經(jīng)典文獻》,楊平,高等教育出版社《迷人的材料—10種改變世界的神奇物質(zhì)和它們背后的科學故事》,馬克.米奧多尼克,北京聯(lián)合出版公司中國計量學院4課程的主要內(nèi)容及教學學時安排教學內(nèi)容教學時數(shù)緒論和回顧1
第6章
固體中的擴散9第7章固態(tài)相變10
第8章材料的形變與再結(jié)晶16
第9章
材料的功能特性10復習課248材料發(fā)展歷史中國計量學院5緒論中國計量學院6緒論國外科技媒體最新評選出十大顛覆性新材料。液態(tài)金屬石墨烯Willow玻璃柔性O(shè)LED屏幕Starlite新型塑料金屬泡沫緒論中國計量學院7材料科學研究四要素成分與結(jié)構(gòu)(原子、晶體、微觀級別)性能合成與加工使用行為中國計量學院8上冊主要內(nèi)容包括:晶體學晶體結(jié)構(gòu)晶體缺陷相平衡與相圖晶體的凝固回顧本學期的主要學習內(nèi)容:擴散固態(tài)相變形變與再結(jié)晶材料的功能特性十四種布拉菲點陣中國計量學院9中國計量學院10回顧
金屬鍵
共價鍵
離子鍵
分子鍵(范德瓦爾鍵)
氫
鍵原子能夠相互結(jié)合成分子或晶體,說明原子間存在著某種強烈的相互作用---化學鍵晶體結(jié)構(gòu)金屬晶體共價晶體離子晶體1bcc-體心立方(a-Fe、Cr、V、Nb、Mo……)晶胞內(nèi)原子數(shù):2密排面:{110}、密排方向:<111>配位數(shù):8致密度:68%2hcp-密排六方(a-Ti、a-Zr、Be、Mg、Zn、Cd……)晶胞內(nèi)原子數(shù):6密排面:{0001}、密排方向:<1120>配位數(shù):12、6+6致密度:74%3fcc-面心立方(Al、g-Fe、Ni、Cu、Ag、Au……)晶胞內(nèi)原子數(shù):4密排面:{111}、密排方向:<110>配位數(shù)(CoodinativeNumber):12致密度(EfficiencyofSpaceFilling):74%
金剛石屬于哪種晶體?哪種空間點陣?晶胞結(jié)構(gòu)?回顧中國計量學院15回顧—幾種典型離子晶體結(jié)構(gòu)
(l)閃鋅礦結(jié)構(gòu)(金剛石型)超硬材料立方氮化硼、半導體GaAs、高溫結(jié)構(gòu)陶瓷β-SiC都屬于閃鋅礦結(jié)構(gòu)。具有這種結(jié)構(gòu)的化合物有ZnS、CuCl、AgI、ZnSe等。
(2)纖鋅礦結(jié)構(gòu)
纖鋅礦也是以ZnS為主要成分的礦石,六方晶系。實際上是由兩個密排六方點陣疊加而成的,其中一個相對另一個平移了r=0a+0b+1/3c的點陣矢量。超硬材料密排六方氮化硼、結(jié)構(gòu)材料AlN、氧化物BeO、ZnO以及化合物ZnS、ZnSe、AgI等都具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)。
(3)
NaCl結(jié)構(gòu)6:6配位,立方晶系。NaCl晶體點陣實際上是由兩個面心立方點陣疊加而成的。具有NaCl結(jié)構(gòu)的化合物特別多,如CaO、CoO、MgO、NiO、TiC、VC、TiN、VN、LiF等。具有這種結(jié)構(gòu)的化合物,多數(shù)具有熔點高、穩(wěn)定性好等特性。
(4)
CsCl結(jié)構(gòu)陰陽離子總體來看為BCC結(jié)構(gòu),Cl-位于單胞的頂角,而Cs+位于體心。中心的1個Cs+與頂角上的8個Cl-相結(jié)合,因此配位數(shù)為8:8。具有這種結(jié)構(gòu)的化合物還有CsBr、CdI等。中國計量學院19回顧⑴合金(alloy)例:Fe—C合金、Cu—Zn合金
注意:1、A和B的比例不同,合金的結(jié)構(gòu)可能不同;
2、溫度變化時合金的結(jié)構(gòu)可能變化。
描述結(jié)構(gòu)、成分、溫度之間的關(guān)系—相圖⑵組元(component)
合金的成分單元,可以是純元素,也可以是穩(wěn)定化合物。
例:Fe—C,Cu—Zn,F(xiàn)e—Fe3C,F(xiàn)e-FeS等。⑶相(phase)
是從組織角度說明合金中具有同一聚集狀態(tài)、同一結(jié)構(gòu),以及成分性質(zhì)完全相同的均勻組成部分。
單相合金、兩相合金、多相合金。
彈殼黃銅-H68黃銅,單α相
;商業(yè)黃銅-H62黃銅,α+β兩相?;仡欀袊嬃繉W院20合金相的分類:固溶體(SolidSolution):置換固溶體,間隙固溶體。化合物(compound):也稱中間相。1、正常價化合物;2、電子化合物(相);3、NiAs型結(jié)構(gòu);4、間隙相和間隙化合物5、拓撲密堆相(TCP)6、
超結(jié)構(gòu)。中國計量學院21金屬鑄件的凝固及均勻化退火各種表面處理(滲碳、滲氮)燒結(jié)冷變形金屬的回復和再結(jié)晶半導體摻雜、PN結(jié)大多數(shù)固態(tài)相變過程氧化腐蝕、蠕變等第六章固體中的擴散鋼件表面滲氮擴散廣泛存在于大多數(shù)材料加工成形及使用服役過程中中國計量學院22
本章主要內(nèi)容
一、
擴散概述二、擴散的唯象理論(菲克定律)三、擴散的微觀理論和熱力學分析四、影響擴散的因素五、幾種特殊的擴散問題反應擴散,離子晶體中的擴散中國計量學院23一、擴散的本質(zhì)
固體中原子的運動方式?6.1概述遷移:離開平衡位置的遷移振動:在平衡位置附近振動稱之為晶格振動中國計量學院24在固體中原子為什么能遷移?
熱激活
原子在平衡位置附近振動時的能量起伏
晶格中的間隙及晶體缺陷(空位、位錯和界面)擴散是大量原子無序躍遷的統(tǒng)計結(jié)果中國計量學院25二、擴散的條件1、要有驅(qū)動力濃度梯度?偏析現(xiàn)象熱力學決定了原子總是從化學位高的地方自發(fā)遷移到化學位低的地方,以降低系統(tǒng)的自由能。當每種組元原子的化學位在系統(tǒng)中各點都相等,達到動態(tài)平衡,沒有宏觀的物質(zhì)轉(zhuǎn)移。不是濃度梯度,而是化學位梯度。2、原子在基體中要有一定的固溶度工程應用:鉛不溶于鋼鐵,因此鋼板可以在鉛浴中加熱獲得光潔表面,而不用擔心鉛層會粘附或擴散進入鋼材表面。中國計量學院264、時間要足夠長3、溫度要足夠高固體中的擴散是依靠原子熱激活而進行的過程。雖然原則上熱力學溫度大于零時總有部分原子被激活而遷移,但溫度越低,原子被激活的幾率越小,低于一定溫度被激活的幾率趨于零。例如:C原子必須在100℃以上,而Fe原子必須在500℃以上,擴散過程才能有效進行。工程應用:均勻化退火中國計量學院27三、擴散分類1、按擴散濃度隨時間的變化率分:穩(wěn)態(tài)擴散Fick’sfirstlaw非穩(wěn)態(tài)擴散Fick’ssecondlaw中國計量學院282、按擴散濃度梯度分:自擴散(純金屬或均勻固溶體合金)互擴散(擴散偶)如高溫蠕變,晶粒長大中國計量學院292、按擴散濃度梯度分:自擴散(純金屬或均勻固溶體合金)互擴散(擴散偶)上坡擴散下坡擴散3、擴散方向滲碳、均勻化退火共析珠光體偏析晶粒長大中國計量學院304、
按擴散途徑分:
在晶粒內(nèi)部進行的擴散─體擴散(穿越晶格);在表面進行的擴散─表面擴散;沿晶界進行的擴散─晶界擴散;沿位錯線(or層錯面)進行的擴散短路擴散中國計量學院31固溶體中的擴散唯象理論Fick第一定律Fick第二定律微觀理論擴散機制間隙擴散置換擴散擴散系數(shù)D的微觀本質(zhì),G激活能原子遷移率和熱力學因子點陣平面遷移和
Darken方程影響擴散的因素擴散方程的解Kirkendall效應6.2唯象理論一、現(xiàn)象例:擴散偶可探測到Au*的擴散1)
穩(wěn)態(tài)擴散的含義:濃度不隨時間改變,即:
2)Fick第一定律
6.2.1、穩(wěn)態(tài)擴散方程-Fick第一定律(假設(shè)D與濃度無關(guān))其中,J為單位時間內(nèi)通過單位橫截面的擴散物質(zhì)質(zhì)量;(單位:kg/(m2×s))
ρ為原子的質(zhì)量濃度(單位:kg/m3);
D為擴散系數(shù),一個重要的物理量。
中國計量學院34D0為已知擴散系統(tǒng)的常數(shù);R為氣體常數(shù)(8.314J/mole·K或1.987cal/mole·℃)D為擴散系數(shù)(常用單位:cm2/s),與活化能Q及溫度T有關(guān)中國計量學院353)穩(wěn)態(tài)擴散下的菲克第一定律的應用——計算擴散系數(shù)
空心的薄壁鐵筒滲碳
條件:圓筒內(nèi)外碳濃度保持恒定經(jīng)過一定的時間后,系統(tǒng)達到穩(wěn)定態(tài)此時圓筒內(nèi)各點的碳濃度恒定則有:中國計量學院36列出包含可測參數(shù)量及擴散系數(shù)的關(guān)系式可測量:q,L,t圖解法ρ-lnr3)穩(wěn)態(tài)擴散下的菲克第一定律的應用——計算擴散系數(shù)中國計量學院37圖中曲線各處斜率不等,即D不是常數(shù)3)穩(wěn)態(tài)擴散下的菲克第一定律的應用——計算擴散系數(shù)習題設(shè)有一條內(nèi)徑為30
mm的厚壁管道,被厚度為0.1
mm的鐵膜隔開,在700℃通過管子的一端向管內(nèi)輸入氮氣保持膜片兩側(cè)濃度穩(wěn)定,管道的氮氣流量為2.8*10-8
mol/s.其中鐵膜片一側(cè)的氮氣濃度為1200
mol/m3,另一側(cè)的氮氣濃度為100
mol/m3。求此時氮氣在鐵中的擴散系數(shù)。中國計量學院38中國計量學院396.2.2Fick’ssecondlaw如圖所示,在擴散方向上取體積元A△x,Jx和Jx+xxxx+xxJxJx+x設(shè)擴散系數(shù)與濃度無關(guān)大多數(shù)擴散過程是非穩(wěn)態(tài)擴散過程,某一點的濃度是隨時間變化的,菲克結(jié)合質(zhì)量守恒定律提出菲克第二定律來處理非穩(wěn)態(tài)的擴散問題。分別表示流入體積元及從體積元流出的擴散通量,則在Δt時間內(nèi),體積元中擴散物質(zhì)的積累量為中國計量學院40若假定D與濃度無關(guān),則菲克第二定律可寫為考慮三維擴散的情況,并假定擴散系數(shù)是各向同性的(如立方晶體),則菲克第二定律普遍式為:中國計量學院416.2.3菲克第二定律的應用
非穩(wěn)態(tài)擴散方程需要根據(jù)所研究問題的初始條件和邊界條件而采用不同的方程解(即不同的濃度分布形式)。
幾種常見的擴散情況:
1、兩端成分不受影響的擴散體——擴散偶(一維無限長物體)
2、一端成分不受影響的擴散體——表面滲層(半無限長物體)
又稱恒定源擴散,在整個擴散過程中擴散質(zhì)點在晶體表面的濃度保持不變;
3、定量擴散相由晶體表面向內(nèi)部的擴散——半導體摻雜又稱衰減源擴散或恒定量擴散。
4、成分偏析的均勻化——均勻擴散退火根據(jù)不同的初始和邊界條件求解濃度分布中國計量學院421.誤差函數(shù)解
適用條件:無限長棒和半無限長棒設(shè)A,B是兩根成分均勻的等截面金屬棒,長度符合上述無窮長的要求。A的成分是C2,B的成分是C1。將兩根金屬棒加壓焊上,形成擴散偶,加熱保溫不同時間,則焊接面(坐標原點x=0)附近的質(zhì)量濃度隨時間的變化將發(fā)生不同變化,如圖所示,求解濃度分布函數(shù)ρ(x,t)。(1)兩端成分不受擴散影響的一維無限長棒:擴散偶,焊接件中國計量學院43初始條件t=0時,ρ=ρ1,(x>0)ρ=ρ2,(x<0)邊界條件t≥0時,ρ=ρ1,(x=∞)ρ=ρ2,(x=-∞)采用變量代換法設(shè)中間變量,結(jié)果如下:式中erf(β)為誤差函數(shù)無限長棒擴散的誤差函數(shù)解中國計量學院44方程解的使用:①若已知擴散偶的擴散系數(shù),經(jīng)過擴散時間t,可求出界面附近的濃度分布曲線ρ(x,t)。
步驟:由已知體系的擴散系數(shù)D、t以及確定的x,求出β,查表6.1求出erf(β),代入方程解得到ρ(x,t)
②若
已知ρ
(x,t)的曲線,可求出該溫度下的擴散系數(shù)。步驟:由ρ(x,t)計算出erf(β),查表6.1求出β,根據(jù)已知的t、x,求出擴散系數(shù)D。中國計量學院45
(2)一端成分不受影響的半無限長物體擴散舉例:表面滲層處理例如工業(yè)純鐵原始濃度為ρ0,在927℃進行滲碳處理,假定在滲碳爐內(nèi)工件表面很快就達到碳的飽和濃度ρS
,而后保持不變,同時碳原子不斷向里面擴散,試樣的厚度相對于滲層來講,認為是“無限”厚,則此問題為半無限長物體的擴散問題。初始條件t=0時,ρ=ρ0,(x≥0)邊界條件t>0時,ρ=ρs,(x=0);ρ=ρ0,(x=∞)滿足上述邊界條件的解為:半無限長棒擴散的誤差函數(shù)解中國計量學院46方程解的使用:①可估算一定滲層深度達到某一擴散濃度所需要的時間。步驟:由確定的ρs,ρ0,ρx求出erf(β),查表6.1求出β,查表求出擴散系數(shù)D,根據(jù)已知x,可求出t。②可估算一定時間后某一滲層深度處的擴散原子濃度。步驟:查表求出擴散系數(shù)D,由確定的x,t計算出β,查表6.1求出erf(β),ρs,ρ0已知,可求出擴散濃度ρx
。中國計量學院47練習:含0.20%碳的碳鋼在927℃進行氣體滲碳。假定表面C含量增加到0.9%,已知D(972℃)=1.28×10-11m2/s
1)求距表面0.5mm處的C含量達0.4%所需的時間
2)求滲碳5h后距表面0.5mm處的C含量。例題中國計量學院482)已知ρs,ρ0,x,D,t,代入式得
比較可以看出,滲碳時間由2.41h增加到5h,含0.2%C的碳鋼表面0.5mm處的C含量僅由0.4%增加到0.54%。解:1)已知ρs,ρ0,ρx,代入式得erf(β)=0.7143
查表可得β
≈0.75,因此,t=x2/(4Dβ
2)=8681s=2.41hρx
=0.54%
中國計量學院49
2.正態(tài)分布解
適用條件:衰減薄膜源(恒定量擴散)
如表面離子注入
如在半導體B表面沉積一定厚度的擴散元素A(單位面積質(zhì)量為M),然后進行熱處理退火,A為恒定量擴散源,擴散元素A向B中擴散的濃度將隨退火時間t而改變。邊界條件 :BA滿足上述邊界條件的解為正態(tài)分布解:中國計量學院50
如果在一個金屬B長棒的一端沉積擴散物質(zhì)A(單位面積質(zhì)量為M),與另一個金屬B對接,經(jīng)擴散退火后,A向B中擴散的物質(zhì)質(zhì)量濃度為上述擴散的二分之一。BABX=0中國計量學院511.元素自擴散系數(shù)的測定方程解的使用將前式兩邊取對數(shù),得以lnρ(x,t)—x2作圖,得一直線斜率k=-1/(4Dt),
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