GB/T 22319.11-2018石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量第11部分：采用自動(dòng)網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù)和誤差校正確定負(fù)載諧振頻率和有效負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)方法

ICS31140

L21.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T2231911—2018/IEC60444-112010

.:

石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量

第11部分采用自動(dòng)網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù)和

:

誤差校正確定負(fù)載諧振頻率和

有效負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)方法

Measurementofquartzcrystalunitparameters—

Part11Standardmethodforthedeterminationoftheloadresonance

:

frequencyfLandtheeffectiveloadcapacitanceCLeff

usingautomaticnetworkanalyzertechniquesanderrorcorrection

(IEC60444-11:2010,IDT)

2018-03-15發(fā)布2018-10-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T2231911—2018/IEC60444-112010

.:

前言

石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量分為以下部分

GB/T22319《》:

第部分用型網(wǎng)絡(luò)零相位法測(cè)量石英晶體元件諧振頻率和諧振電阻的基本方法

———1:π;

第部分測(cè)量石英晶體元件動(dòng)態(tài)電容的相位偏置法

———2:;

第部分頻率達(dá)石英晶體元件負(fù)載諧振頻率和負(fù)載諧振電阻R的測(cè)量方法及其他

———4:30MHzL

導(dǎo)出參數(shù)的計(jì)算

;

第部分采用自動(dòng)網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù)和誤差校正確定等效電參數(shù)的方法

———5:;

第部分激勵(lì)電平相關(guān)性的測(cè)量

———6:(DLD);

第部分石英晶體元件活性跳變的測(cè)量

———7:;

第部分表面貼裝石英晶體元件用測(cè)量夾具

———8:;

第部分石英晶體元件寄生諧振的測(cè)量

———9:;

第部分采用自動(dòng)網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù)和誤差校正確定負(fù)載諧振頻率和有效負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)

———11:

方法

。

本部分為的第部分

GB/T2231911。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量第部分采用自動(dòng)

IEC60444-11:2010《11:

網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù)和誤差校正確定負(fù)載諧振頻率f和有效負(fù)載電容C的標(biāo)準(zhǔn)方法

LLeff》。

與本部分中規(guī)范性引用的國(guó)際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國(guó)文件如下

:

有質(zhì)量評(píng)定的石英晶體元件第部分總規(guī)范

———GB/T12273.1—20171:(IEC60122-1:2002,

MOD)

石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量第部分頻率達(dá)石英晶體元件負(fù)

———SJ/T11210—19994:30MHz

載諧振頻率f和負(fù)載諧振電阻R的測(cè)量方法及其他導(dǎo)出參數(shù)的計(jì)算

LL(IEC60444-4:1988,

IDT)

本部分作了下列編輯性修改

:

中負(fù)載諧振頻率f是二個(gè)頻率中較低的頻率改為實(shí)用中負(fù)載諧振頻率f是二個(gè)頻

———3.1“L”“,L

率中較低的頻率

”;

的式分母中ZVV改為ZVV

———4.2b)(5)“3(2-2)”“3(1-2)”;

圖中的圖例虛線表示X改為V實(shí)線表示V改為X

———2,“C(Ω)”“C”,“C”“C(Ω)”。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本部分由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國(guó)頻率控制和選擇用壓電器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC182)。

本部分起草單位中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)壓電晶體分會(huì)南京中電熊貓晶體科技有限公司鄭州原

:、、

創(chuàng)電子科技有限公司

。

本部分主要起草人章怡高志祥鄒飛

:、、。

Ⅰ

GB/T2231911—2018/IEC60444-112010

.:

石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量

第11部分采用自動(dòng)網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù)和

:

誤差校正確定負(fù)載諧振頻率和

有效負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)方法

1范圍

的本部分規(guī)定了石英晶體元件的優(yōu)值M大于時(shí)標(biāo)稱負(fù)載電容C對(duì)應(yīng)的石英晶體

GB/T223194,L

元件負(fù)載諧振頻率f以及標(biāo)稱頻率時(shí)有效負(fù)載電容C的測(cè)量方法

LLeff。

按照中表中的定義M用式表征

IEC60122-1:20021,(1):

Q

M==1

γωCR…………(1)

01

式中

:

M石英晶體元件的優(yōu)值

———;

Q品質(zhì)因數(shù)

———;

γ電容比

———;

ω角頻率單位為弧度每秒

———,(rad/s);

C等效電路中的并電容單位為法拉

0———,(F);

R等效電路中的動(dòng)態(tài)電阻單位為歐姆

1———,(Ω)。

頻率達(dá)及以下時(shí)本部分能得出良好的結(jié)果并可由此計(jì)算得出負(fù)載諧振頻率偏置f

200MHz,,ΔL,

頻率牽引范圍f及按照中的定義計(jì)算牽引靈敏度S與

ΔL1,L2IEC60122-1:20022.2.31。IEC60444-4

的簡(jiǎn)易測(cè)量相反本測(cè)量技術(shù)避免了使用物理負(fù)載電容因此有更高的測(cè)量準(zhǔn)確度更好的重現(xiàn)性及相

,,,

關(guān)應(yīng)用本部分還突破了的頻率上限測(cè)量上限達(dá)本部分基于

。IEC60444-430MHz,200MHz。

的誤差校正測(cè)量技術(shù)因此在確定f和C的同時(shí)無需改變測(cè)試夾具一次得到石

SJ/T11211—1999,LLeff,

英晶體元件的多個(gè)等效電參數(shù)

。

本部分中當(dāng)石英晶體的電抗X與負(fù)載電容的電抗X數(shù)值相等且符號(hào)相反時(shí)就得到了頻率f

,CCL,L

見式

[(2)]:

X=-X=1

CCLωC…………(2)

LL

式中

:

X石英晶體的電抗單位為歐姆

C———,(Ω);

X負(fù)載電容的電抗單位為歐姆

CL———