標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 22452-2008 硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件通用技術(shù)條件》是一項國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在為硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件的設(shè)計、生產(chǎn)、測試及使用提供指導(dǎo)。該標(biāo)準(zhǔn)適用于以硼酸鹽為基礎(chǔ)材料的各類非線性光學(xué)晶體元件，如LBO（三硼酸鋰）、BBO（β-硼酸鋇）等，在激光頻率轉(zhuǎn)換、光參量振蕩等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。

標(biāo)準(zhǔn)中詳細(xì)規(guī)定了硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件的基本要求，包括但不限于晶體生長方法的選擇、晶體尺寸與表面質(zhì)量控制、光學(xué)均勻性評估、損傷閾值測定等方面的內(nèi)容。對于晶體生長，推薦采用提拉法或溶液法等技術(shù)，并對不同方法下可能影響晶體性能的因素進(jìn)行了分析；關(guān)于尺寸與表面質(zhì)量，則明確了允許的最大缺陷尺寸、最小有效工作面積以及表面粗糙度的具體數(shù)值范圍；在評價光學(xué)均勻性時，通過測量晶體內(nèi)部折射率分布情況來判斷其是否滿足特定應(yīng)用需求；此外，還特別強(qiáng)調(diào)了對晶體抗激光損傷能力進(jìn)行測試的重要性，給出了相應(yīng)的方法和標(biāo)準(zhǔn)。

針對成品元件，本標(biāo)準(zhǔn)也制定了嚴(yán)格的驗收準(zhǔn)則，包括外觀檢查、幾何參數(shù)測量、光學(xué)特性測試等多個環(huán)節(jié)，確保每一件出廠產(chǎn)品都能達(dá)到預(yù)期的技術(shù)指標(biāo)。同時，為了保證長期穩(wěn)定性和可靠性，還提出了儲存環(huán)境的要求，比如溫度濕度控制、防塵措施等。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2008-10-07 頒布
  • 2009-04-01 實施
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GB/T 22452-2008硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件通用技術(shù)條件_第1頁
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文檔簡介

犐犆犛１７．１８０

犃６０

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜２２４５２—２００８

硼酸鹽非線性光學(xué)

單晶元件通用技術(shù)條件

犌犲狀犲狉犪犾狋犲犮犺狀犻犮犪犾犮狅狀犱犻狋犻狅狀狅犳

狀狅狀犾犻狀犲犪狉狅狆狋犻犮犪犾犫狅狉犪狋犲犮狉狔狊狋犪犾犱犲狏犻犮犲狊

２００８１００７發(fā)布２００９０４０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

犌犅／犜２２４５２—２００８

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國光輻射安全和激光設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（ＳＡＣ／ＴＣ２８４）提出并歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所、福建光電子材料工程技術(shù)研究中心和福建福晶

科技股份有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：蘭國政、吳少凡、林文雄、謝發(fā)利、吳季、李雄。

Ⅰ

書

犌犅／犜２２４５２—２００８

硼酸鹽非線性光學(xué)

單晶元件通用技術(shù)條件

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件β相偏硼酸鋇（βＢａＢ２Ｏ４，簡稱ＢＢＯ）和三硼酸鋰

（ＬｉＢ３Ｏ５，簡稱ＬＢＯ）的術(shù)語、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢測規(guī)則及包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸、貯存等。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件ＢＢＯ和ＬＢＯ，其他種類的硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件

也可參照使用。該元件主要用于制作激光器。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１１２９７．１—２００２激光棒波前畸變的測量方法

ＧＢ／Ｔ１６６０１—１９９６光學(xué)表面激光損傷閾值測試方法

ＧＢ／Ｔ２２４５３—２００８硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件質(zhì)量測試方法

ＪＢ／Ｔ９４９５．３—１９９９光學(xué)晶體透過率測量方法

３術(shù)語和定義

３．１

硼酸鹽非線性光學(xué)單晶犖狅狀犾犻狀犲犪狉狅狆狋犻犮犪犾犫狅狉犪狋犲犮狉狔狊狋犪犾

陰離子基團(tuán)為硼氧基團(tuán)的非線性光學(xué)單晶。

３．２

硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件犖狅狀犾犻狀犲犪狉狅狆狋犻犮犪犾犫狅狉犪狋犲犮狉狔狊狋犪犾犱犲狏犻犮犲狊

硼酸鹽非線性光學(xué)單晶經(jīng)過定向、切割、拋光，必要時鍍膜后加工成的光學(xué)元件。

３．３

垂直度犘犲狉狆犲狀犱犻犮狌犾犪狉犻狋狔

單晶元件通光面與側(cè)面之間的垂直程度。

３．４

切割角度和角度偏差犆狌狋狋犻狀犵犪狀犵犾犲犪狀犱犪狀犵犾犲狋狅犾犲狉犪狀犮犲

切割角度用θ和表示，角度偏差用Δθ和Δ表示。

θ是單晶元件通光面的法線和犣軸之間的夾角。

是單晶元件通光面的法線在犡犢平面內(nèi)的投影與犡軸之間的夾角。

單晶元

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