分析教案成果

雙極晶體管的結(jié)構(gòu)及雜質(zhì)有效基區(qū)寬度B 半導體器

?Dr.B.三個極：發(fā)射極E(Emitter)，集電極C(Collector)，基極B(Base)extrinsic(外基區(qū)extrinsic(外基區(qū)器件物器件物 ?Dr.B.半導體器4.1.2雙極晶體管的硅雙擴散平面外延NPN晶體管 x

xNCEN沿0一x方向的凈摻雜濃度分布N=ND-N函數(shù)分布基區(qū)雜質(zhì)緩 →緩變基區(qū)晶體NN 3.發(fā)射結(jié)和集電結(jié)邊緣部分是曲NNX 4.發(fā)射結(jié)面積小于集電結(jié)面積半導體器

?Dr.B. 半導體器

?Dr.B.晶體管的放大雙極晶體管的四個工作半導體器

?Dr.B.雙極晶體管中的電流傳PNEPN-xE

NWB NB

(a)NPN管結(jié)構(gòu)示意N凈復

P半導體器件物理- . 載流子(對npn晶體管為電子)的輸運過程包括發(fā)射結(jié)的注基區(qū)的輸運與復集電結(jié)的收對于一個晶體管，對于一個晶體管，Ic和Ie十分接近，而Ib很小，只有Ic半導體器

?Dr.B. 發(fā)射結(jié)加正偏時，從發(fā)射，形成的電流為IEN。與 從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴散運動，但其數(shù)量小，形成的電流為IEP。這是因為發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠大于基區(qū)的進入基區(qū)的電子流因基區(qū)的空穴濃度低，被復合的機ICN。在基區(qū)被復合的電子形成的電流是IBN。半導體器

?Dr.B.另外因集電結(jié)反偏，使集電于是可得如下電流關(guān)系式:IE=IEN+++

且有且有IENIBN IE半導體器

?Dr.B.雙極晶體管的電流關(guān)（1）（1）三種接共集電極接法，集電極作為公共電極，用表示;半導體器

?Dr.B.(2)三極管的電流放大系數(shù)共基極直流電流放大系數(shù)：上式表示最后達到集電極的電子電流IC與總發(fā)射極電流IE的比值。IC與IE相比，因IC中沒有IEP和IBN，所以的值小于1,表示在發(fā)射極電流IE中由多大的比例傳輸?shù)绞占瘶O成為輸出電流IC。越大，說明晶體管的放大能半導體器

?Dr.B.==IC/IE-

因 所以基極電流具有非常重要的控制作用。在共基極電路中基極電流具有非常重要的控制作用。在共基極電路中是通過IE控制IC，而在共發(fā)射極電路中卻是通過IB控制。為使足夠大，這兩種電路都希望在同樣的IEIB越小越好，但IB不能為零半導體器

?Dr.B.描述晶體管電流放大性能的中間參集電區(qū)倍增因子*和雪崩倍增因子

I**M I**M 發(fā)射結(jié)注入效率：注入基區(qū)的少子電流與發(fā)射極總電流IE之比為為了提高、，需要提高和 雙極晶體管中的直流特性曲晶體管的直流特性曲線是指晶體管的輸入和輸出的電流－電壓關(guān)系，根據(jù)這些特性曲線可以鑒別晶體晶體管有共發(fā)射極、共基極和共集電極三種聯(lián)接方式，其中有實用價值、常常用到的包括：共發(fā)射極半導體器

?Dr.B.1.共發(fā)射極連接的直流特性曲線

NPNNPN

共發(fā)射極直流輸入特性曲線圖中VCE的那一條相當于發(fā)射結(jié)的正向特性曲線。當VCE≥1V時，VCB=VCE-VBE>0，集電結(jié)已進入反偏狀態(tài)，開始收集電子，且基區(qū)復合減少，IC/IB增大，特性曲線將向右稍微移

I-I

VCE半導體器

?Dr.B. IB IB

C-

曲線當當VCE=0V，因集電極無收，IC。當VCE稍增大時，發(fā)射結(jié)雖處，但集電結(jié)反偏電壓很小，如VCE1VVBE=0.7V集電區(qū)收集電子的能力很弱，主要由 當VCE增加到使集電結(jié)反偏電壓較大時(如VCE≥1V,VBE≥0.7V),運動到集電結(jié)的電子基本上都可以被集電區(qū)收集，此后VCE再增加，電流也沒有明顯的增加，特性曲線進入與VCE軸基本平行的區(qū)域。飽和區(qū)——IC受顯著控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)的數(shù)值較小，一般VCE＜0.7V(硅管)。此時發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏放大區(qū)——IC平行于軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。此時，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，電壓大于0.7V左右(硅管)。半導體器

?Dr.B.在在放大區(qū)基本不變。在共發(fā)射極輸出特性曲線上，通過垂于X軸的直線(VCE=const)來求?。↖C/IB）半導體器

?Dr.B. c2.共基極連接的直流特性曲線b NPN對于不同的VCB，測量IE與VBE的關(guān)系曲線，可得IE-VBE

IVCB=VCB=從右圖可見，隨著的增加，集電結(jié)的從右圖可見，隨著的增加，集電結(jié)的勢壘區(qū)向基區(qū)擴展，使基區(qū)寬度変窄，從而引起少子在基區(qū)的濃度增加，導致IE半導體器

?Dr.B. 線IE為參變量的一組IC-

共基極直流輸出特性曲在IE在IE一定的條件下，IC基本上與IE同樣增加。半導體器

?Dr.B.共發(fā)射極與共基極連接的唯一區(qū)別在于前者的電壓都是共發(fā)射極與共基極連接的唯一區(qū)別在于前者的電壓都是相對于發(fā)射極的，而后者則是相對于基極的，電流流動的方向和電流間的關(guān)系并沒有改變，因此由共發(fā)射極的直流特性曲線完全可以得出共基極的直流特性曲線。通 bbNPNcbeNPN共發(fā)射 共基半導體器

?Dr.B.晶體管直流放大系數(shù)影影響電流放大系數(shù)的一些因晶體管，發(fā)射結(jié)正偏時，發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)的載流子濃度高于平衡值，因而存在凈復合。發(fā)射極電子流通過發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)復合損失部分轉(zhuǎn)換成空穴電流IrE，從而使發(fā)射區(qū)注入效率降低。②基區(qū)表面復合(使基區(qū)輸運系數(shù)降低注入到基區(qū)少子中，部分流向表面，并在基區(qū)表面被復合掉，不被集電極收集，使基區(qū)輸運系數(shù)降半導體器

?Dr.B. 發(fā)射區(qū)平衡少子濃度由原來的n2i/NE變成了(n2ie/NE)exp(ΔEg/kT)，增加了exp(ΔEg/kT)倍，因此在同樣偏壓下，從基區(qū)注入到發(fā)射區(qū)的半導體器

?Dr.B.俄歇復合(Auger復合):帶間復合(直接復合)間接復合(SHR復合):Shockley,Hall,Real提出，指載流子通過復合中心的復合(這種復合在輕摻雜半導體器

?Dr.B.提高電流增益的途電流，并減小基區(qū)復合，但要注意Early效應(yīng)的影響(后面要講). 增加載流子的擴散長度，即提高載流子的和遷移 摻雜濃度受到和Auger復合的限制，基區(qū)濃度的降淡基區(qū))，外基區(qū)采用濃摻雜（濃基區(qū))的方法。改善器件的表面狀況及減小表面復合提高基區(qū)的自建電場因子半導體器

?Dr.B.SSS基極電阻可看作是由四個電SSSrr rr rrIBIBrb＝rb1+rb2+ xxR口口xR口B1求y＝0-SE/2范圍內(nèi)IB(y)可表示IB IB(y)

2 SE/

IB為總基極用等功率法建

r

SSrb3S

SSrS?Dr.B.s?Dr.B.s202B(y)2BlEdyI2BrsRBeIBIB半導體器

q

NB rb2(外基區(qū)電直 歐姆定律(考慮到兩條基極求rb3求基極接觸電阻rbc ss

rbrbRBe bRBe

?Dr.B.雙基極接觸條形發(fā)射區(qū)晶體管的基極電阻的公式rr12RBRB12RBeees pn高頻管，通常將基極電極下面部分制成濃基區(qū)，達到既保半導體器

?Dr.B.區(qū)擴展效應(yīng)(Kirk效應(yīng))以及發(fā)射極電流集邊效應(yīng)。 大電流效應(yīng)嚴格地說應(yīng)該稱為大電流密度效應(yīng)。 大電流效應(yīng)這部分研究BJT工作在正向有源區(qū)半導體器

?Dr.B.①大注入

nnPpB0 ε 1）什么是大注入(高電平注入)：指壓時，注入少數(shù)載流子密度等于或超過多子平衡態(tài)大注入時，注入電子密度超過空穴平衡態(tài)密度，電中性要求，空穴的密度梯度與電子的密度梯度相等。由于存在密度梯度，空穴將自發(fā)射結(jié)向集電結(jié)擴散，而離化的受主中心固定不動，由此造成正負電荷分離，建立電場。這個電場就是大注入內(nèi)建電場，其方向是從集電結(jié)指向發(fā)射結(jié)，對注入到基區(qū)的電子起加速作半導體器

?Dr.B.半導體器

?Dr.B.電阻率下降，發(fā)射效率降低，使電流增益下降，此現(xiàn)象稱為Rittner效應(yīng)。大注入自建電場，在極大注入下，電子擴散系數(shù)由變成

電流增益增加。也可以這樣理解：β*1B.τB/τnB，在極大注入下，τB變成小注入下的1/2，基區(qū)復合減小了，電流增益增加了。大注入基區(qū)內(nèi)建電場減緩大電流增益的下降，通常稱此效應(yīng)為Webster(斯脫)B.半導體器②有效基區(qū)擴展效應(yīng)(Kirk效應(yīng))密度增加而展寬，準中性基區(qū)擴展進入集電區(qū)的現(xiàn)象。C.T.Kirk首先解釋了這一效應(yīng)，所以通常稱之為Kirk效應(yīng)。耗盡區(qū)中可動電荷中和離化的雜質(zhì)中心電荷導致空間電荷半導體器

?Dr.B.注入電流對集電結(jié)空間電荷區(qū)電場分布的影四層結(jié)構(gòu)，從發(fā)射結(jié)注入的電子，在通過集電結(jié)電荷區(qū)時，對耗盡區(qū)的正(n側(cè))負(p側(cè))空間電荷分別起著中和和添加作用。使n側(cè)正空間電荷減小，p側(cè)負空隨nC的增加n側(cè)的|dE/dx|隨nCN側(cè)dqNCn隨nC的增加n側(cè)的|dE/dx|隨nC s0 s0P側(cè)dqNBnCqNBJC半導體器

? 強場 N

N J JJ W

CJ=Ja,Jb時，N側(cè)的空間J=J1，時，N區(qū)變成大電場在處，PN結(jié)面強場情形下集電結(jié)過渡區(qū)強場情形下集電結(jié)過渡區(qū)電場分J1

J

2S(VCBVBJC)C qvlNCC

qW 半導體器

?Dr.B.在弱場下,空間電荷區(qū)內(nèi)大部分區(qū)域的電場E近似為常數(shù).即使電流繼續(xù)增加,只要空間電荷區(qū)內(nèi)電場還沒有達到強場狀態(tài),通過空間電荷區(qū)的濃度仍然維持nc=Nc,而電場則隨增大而增強,以滿足JC=qoEnc的關(guān)系.這種關(guān)系一直維持到空間電荷區(qū)電場達到強場為止.半導體器

?Dr.B.③發(fā)射極電流集邊在狹長的基區(qū)電阻rb上將產(chǎn)生橫向壓降，使發(fā)射結(jié)的正向偏置電壓從邊緣到中心逐漸減小，發(fā)射極電流密度則從中心到邊緣逐漸增大，由此產(chǎn)生發(fā)射極電流集邊效應(yīng)(也稱基區(qū)電阻自偏壓效應(yīng))。LeLeJeLeJBEBn0y 半導體器

?Dr.B. 基區(qū)寬變效應(yīng)(Early效應(yīng))工作在正向有源區(qū)的BJT的集電結(jié)，其空間電荷區(qū)寬度及基區(qū)一側(cè)的擴展距離，隨反偏電壓數(shù)值增大而增大，有效基區(qū)寬度因而隨之減小，通常將有效基區(qū)寬度隨集電極——基極偏壓變化，并影響器件特性的現(xiàn)象稱作基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)。J.M.Early首先分析了這種效應(yīng)，所以也I'

I

II

半導體器

?Dr.B.晶體管反向擊穿電（1）擊穿電nn1

* M 1 1半導體器

?Dr.B.晶體管交流特半導體器

?Dr.B.頻率較低時，交流放大系數(shù)、幾乎不隨頻率變化，接近于直流放大系數(shù)0、0。頻率較高時，、將明顯電流放大系數(shù)的頻率特fffT<f<半導體器

?Dr.B.（1）截止頻率：＝0/2 （2）截止頻率：＝0/ 3特征頻率fT: 應(yīng)的頻率。fT反映了共發(fā)射極運用時的頻率限制，當工作頻率等于fT，晶體管不再具有放大作用。半導體器

?Dr.B.輸入端施加信號電壓，則器件內(nèi)部改變狀態(tài)，從起始狀態(tài)過渡到另一個穩(wěn)定狀態(tài)，為實現(xiàn)電荷的建立與，必將需要一定的時間，這就是延遲時間的。

dbc dbc半導體器

?Dr.B.③影響fT的主要因素和提高fTl）基區(qū)渡越時間2）發(fā)射區(qū)渡越時間I）發(fā)射區(qū)寬度化以后要能保證不發(fā)射區(qū)，以避免e-b短路。為兼顧各種因素的不同要求，淺結(jié)器件一般控制xjc／xje＝1.3～2.0。II發(fā)射區(qū)少子擴散系數(shù)III）發(fā)射區(qū)雜質(zhì)分布形式。從基區(qū)注入到發(fā)射區(qū)的空穴起作用。IV)發(fā)射區(qū)歐姆接觸的界面復合發(fā)射區(qū)越薄，歐姆接觸界面復合對τe3）集電結(jié)耗盡區(qū)渡越時間。4）τc(集電結(jié)過渡區(qū)電容與集電區(qū)串聯(lián)電阻引起的延遲時間)τc正比于集電區(qū)電阻率、集電區(qū)寬度及集電結(jié)單位面積過渡。半導體器

?Dr.B.④fT小電流段，τe反比于Ic因而Ic增大總渡越時間減小ffT升高。Ic增加到τe遠小于其它時間常數(shù)之和時，τec趨近于常數(shù),fT達到最高值。隨著Ic繼續(xù)增大fT出現(xiàn)下降趨勢是由于有效基區(qū)的縱向擴

IC或VVCB增加，fT增加的原因：VCB增加，xmc增加①WB下降→τb下降；②CTC下降→τc下降。③電場增加，速度增加。半導體器

?Dr.B.指明測試條件。此外，在晶體管應(yīng)用中，應(yīng)將工作點半導體器

?Dr.B.ii半導體器fβ<<fα,說明共射極截止頻率遠遠低于共基極截止頻率，特征頻率略小于共基極截止頻率。即隨頻率的增加β值的下降要比α值下降得快。這是因為在交流下，交流電流的矢量滿足ie=ic+ib。如圖所表示的那樣。隨ic相移的增加，|ib|迅速增大，且|ib|增大的幅度比|ic|減小的幅度大。 |β| =|ic|/|ib|中|ic|略有下降而|ib|急劇增大，而|α|=|ic|/|ie|僅與|ic|下降有關(guān)而與相移無關(guān)。故隨頻率的升高β下降比α快得多。這一點在實際中有重要意義，它說明共基極接法晶體管比較適合于寬帶放大電路，而共射極接法晶體管比較適合于選頻放大電半導體器開關(guān)工作和開關(guān)時1、開關(guān)工

在右圖的共發(fā)射極電路中，輸入電壓vi=-VB1時，發(fā)射結(jié)反偏，VCC經(jīng)RL接在集電極上使集電結(jié)也為反偏，晶體管工作在截止區(qū)，集電極只流過很小的反向電流，因而RL上壓降輸入高電位vi=VB2，只要VB2足夠高，晶體管就導通，并進入飽和狀態(tài)。集電極到發(fā)射極間壓降為數(shù)值不大的飽和壓它的輸出波形是輸入波形的倒相開關(guān)工作實際上是在兩種狀態(tài)之間交替變換。發(fā)射結(jié)反偏，發(fā)電極電流比較大的狀態(tài)稱為導通態(tài)。當VCE=VCB+VBE=VCC-ICRL≤

V Vt-VIB1t延遲過程t0t’l(對勢壘電容充電)上升過程t’1t’2(導通到臨界飽和-I超 電 過程t3

VCE下降過程t’4t’5(臨界飽和到截止 開關(guān)時間就按下列各式定義

0

延遲時

=t一 上升時間tr=t2一時間ts=t4一

0.1I

t1

t t4開啟時tont開啟時tontd

t' t' t'關(guān)斷時間tofft關(guān)斷時間tofftS半導體器

?Dr.B.②電荷控制大信號工作條件下BJT特性的非線性特征，使嚴格計算開關(guān)時間變得相當。如將晶體管看作電荷控制器件，那么數(shù)學處理將變得簡單，可以得到可接受的簡單解析電荷控制分析方法的基本微分方程可以從少子的連續(xù)性

qn

qnnqndV

V半導體器

?Dr.B.等式右邊第一項積分， 定律進行變JndV(Jnn)dSJneAEJncAcieic 等式右邊第二

V

nn

dVnidQBn n它表明：基極電流主要有兩個作用：一是增加基區(qū)電荷的積累(dQB/dt)，二是補充基區(qū)非平衡少子復合所需的空穴QB/τn半導體器

?Dr.B.作為完整的電荷控制方程，還需要加進去的是由于電荷隨時間變化而出現(xiàn)的其它分量，其中包括發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)和集電結(jié)空間電荷區(qū)電荷的瞬態(tài)值(dQTE/dt及dQTC/dt)。瞬idQBQBdQTEdQTCdQBQB

dVBE b n b

這表明，基極電流除了用于基區(qū)電荷積累，補充基區(qū)復合外，還要用作對勢壘電容進行充放電，維持勢壘區(qū)電荷隨結(jié)電壓的變化半導體器

?Dr.B.半導體器

?Dr.B.③開啟時開啟過程是指基極輸入電壓脈沖的上升沿到來之后，集電極可以分作兩部份，t＝t0－t’1為延遲過程，這段時間內(nèi)iC一直保持反向電流值，無明顯變化；t=t’1—t’2為上升過程，iC逐延遲過程開始時BJT處于截止狀態(tài)，vBE（t0）V1，此時ic0vBC（t0）=-VCC-V1。t＞t0輸入回路中有了驅(qū)動電流IB1≈V2/RS，基極電流提供的空穴的一部份從基區(qū)側(cè)填充發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)，中和離化的受主；發(fā)射極流入的電子在另一側(cè)填充空間電荷區(qū)，中和離化的施主；結(jié)果是發(fā)射結(jié)勢壘區(qū)變窄，發(fā)射結(jié)從反偏轉(zhuǎn)向正偏，直 vBE上升

(開始導通電壓，對Si0.5V)，這一過程實際上是實現(xiàn)了發(fā)射結(jié)過渡區(qū)電容的充電半導體器

?Dr.B.從發(fā)射區(qū)傳輸?shù)郊娊Y(jié)的電子對集電結(jié)過渡區(qū)電容充電而半導體器

?Dr.B.影響延遲過程的因素及減小td延遲過程的長→開態(tài)時需要補充的可動電荷數(shù)目越多。當IB1一定時， td越IB1越大，單位時間可提供充電的電荷數(shù)目越多，所需td因此減小td2)使用角度：①減小|-V1|；②增大IB1。但IB1太大會使導通后的飽和深度增加，從而加長了時間，所以要選半導體器

?Dr.B.上升過程右，ic上升到飽和值ICS，VBC上升到零，晶體管達到臨界飽和，即ic（t’2）=ICS，vBC（t’2）=0。

dQBQBdQTEdQTCdQBQB n n

半導體器

?Dr.B.已知td＝tdl＋td2，其中td2=t1—t’1。為由零上升到0.1ICS所需的時間。利用ic（t1）=0.1ICS這一條件，可求出

td

CTCRL

上升時間tr=t2一t1，藉助ic（t1）＝0.1ICS，ic（t2）=0.9ICStr CTCRL

IB1

半導體器

?Dr.B.影響上升過程的因素及減小上升時間tr決定著建立一定的基區(qū)少子濃度梯度(對應(yīng)一定的Ie)所需的基區(qū)少 影響著復合損失的多少 基極充電電流(驅(qū)動電流IB1)的大小決定著充電速度。因此減小上升時間tr方法：減小結(jié)面積，以減小電容。增加基區(qū)少 增大IB1半導體器

?Dr.B.關(guān)斷過程開始于基極輸入電壓脈沖的下降沿。集電極電流下t=t3-t’4為退飽和過程，或稱超量電荷過程，這段時間里集電極電流保持飽和值不變。t=t’4~t’5為下降過程。t＝t’5時ic假定基極輸入電壓脈沖持續(xù)時間足夠長，t3時開啟過渡過程已結(jié)束，晶體管處于穩(wěn)定的飽和狀

態(tài)，中性基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)都積累起來超量 電荷，右圖表示了各中性區(qū)少數(shù)載流子的分布、和都已注在圖上。

p

半導體器

?Dr.B.

臨界飽和及飽和區(qū)少子分布t=t3輸入電壓脈沖下降沿到來，從此開始這些超量電荷過零之前等于常數(shù)，其數(shù)值IB2=V1/RS?；鶚O電流自基區(qū)向基極外引出端流動，抽取各中性區(qū)電荷，促使超量電荷；集電結(jié)偏壓未下降到零以前，晶體管一直在飽和區(qū)過渡，集電極到發(fā)射極間維持低數(shù)值的飽和壓降，因而集電極電流等于飽和值Ics不變。一旦集電結(jié)偏壓和，退飽和過程結(jié)束時超量電荷全部。各中性區(qū)過剩載流子通過復合中心的復合是超量電荷衰減的另一個半導體器

?Dr.B.減 由以上分析可見，影響時間有兩個因素：一是晶體管進入飽和狀態(tài)時積存的超量電荷量的多少，二是關(guān)斷過程中超量存儲電荷的快慢，因此可從下面幾個方面來縮短時間： 加大抽取電流IB2 半導體器

?Dr.B.退飽和過程結(jié)束，下降過程開始，發(fā)射結(jié)仍正偏，基極電流保持等于IB2不變，通過基極向外抽出空穴，促使發(fā)射區(qū)和基 通過上述分析可以看到，下降過程實質(zhì)上是上升的逆過 半導體器

?Dr.B.縮短下降時間的途徑增大-IB2。但欲增大-IB2必須減小RS；而RS太小時又會使增大，加深飽和深度，使ts要提高開關(guān)速度，應(yīng)縮短四個開關(guān)時間。但BJT的四個開關(guān)時間不能同時縮短，常常時間最長，所以如何縮短ts便成為縮短開關(guān)時間的主要目標。ECL電路采用非飽和邏輯，不存在時間，每門平均延遲時間已可作到零點幾個納秒；TTL中現(xiàn)已廣泛使用肖特基二極管箝位抗飽和電路，由于限制了飽和深度，也使開關(guān)速度大大提高；有源泄放TTL，則在一定程度上解決了對于IB1和IB2的要求的。半導體器

?Dr.B.雙極晶體管開關(guān)過程中發(fā)射結(jié)偏壓和集電結(jié)偏.過程集電結(jié)偏壓由半導體器

?Dr.B.??

信噪比 半導體器

?Dr.B.噪聲系數(shù)晶體管工作時，由輸入端輸入信號功率Psi的同時也輸入了噪聲功率Pni，經(jīng)過晶體管放大后，在輸出端既有信號功率也有噪聲功率，分別為Pso、Poo。在輸半導體器

?Dr.B.噪聲是一種無規(guī)則的擾動，它是時間的隨機函數(shù)，半導體材料體內(nèi)載流子熱運動的起伏而產(chǎn)生的熱噪通過pn結(jié)載流子的數(shù)量和速度的不規(guī)則變化而產(chǎn)生的散粒噪聲。散粒噪聲正比于pn結(jié)的注入電流。與與表面現(xiàn)象有關(guān)的1/f噪聲。1/f噪聲是一種低頻噪聲，一般出現(xiàn)在1000Hz以下的頻段。通過提高材料質(zhì)量及改善工藝措施，1/f噪聲可控制到很小。半導體器

?Dr.B.噪聲系數(shù)的頻率特半導體器

?Dr.B.半導體器

?Dr.B.4.7晶體管直流-電壓方程（E-M方程二十世紀50年代初出現(xiàn)雙極型晶體管后不久， 模。M模型把晶體管看成由一個正向晶體管和一個反晶體管中的兩個N結(jié)分別用兩個二極管來代表，方程的建立，是為了用計算機來模擬BJT的特性。模型使器件的電學特性和器件的工藝參數(shù)相聯(lián)系；GP模型則建立在器件電學特性和基區(qū)多子電半導體器

?Dr.B. qV

qV I a11

1a12 1 IC

aeae

1a22

11半導體器

?Dr.B.規(guī)定IE、IC、IB壓降.I IS0

qV

1半導體器

?Dr.B.E-方程中所包含的系 IEBO——集電極開路時的發(fā)射結(jié)飽和電流(>ICBO——發(fā)射極開路時的集電結(jié)飽和電流(>F——發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)零偏時的正向電流增益R——集電結(jié)正偏，發(fā)射結(jié)零偏時的反向電流增益半導體器

?Dr.B.αR