半導(dǎo)體物理-第7講

半導(dǎo)體物理光源與照明第五章非平衡載流子處于熱平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體，在一定溫度下，載流子濃度是一定的。這種處于熱平衡狀態(tài)下的載流子濃度稱為平衡載流子濃度。熱平衡時(shí)，載流子的產(chǎn)生及復(fù)合相等，則有G＝R。統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)是熱平衡狀態(tài)的標(biāo)志。非平衡態(tài)是指在外界因素影響下，載流子數(shù)目發(fā)生變化，有G＞R，呈現(xiàn)出與熱平衡態(tài)相偏離的狀態(tài)。外界因素消失后，馬上回到熱平衡態(tài)。非平衡載流子△n,△p稱為非平衡載流子，也稱過剩載流子。根據(jù)電子和空穴數(shù)量的多少或N型和P型材料的種類，分別稱為非平衡多數(shù)載流子和非平衡少數(shù)載流子。本章內(nèi)容非平衡載流子的注入與復(fù)合，壽命，準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)復(fù)合理論陷阱效應(yīng)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，愛因斯坦關(guān)系式連續(xù)性方程式§5.1非平衡載流子的產(chǎn)生，壽命，準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)非平衡載流子的產(chǎn)生非平衡載流子的壽命非平衡載流子的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)非平衡載流子的產(chǎn)生載流子的產(chǎn)生方法有兩種：光注入：即用光照方法產(chǎn)生過剩載流子的方法。當(dāng)光子進(jìn)入半導(dǎo)體時(shí)，其能量hv>Eg，電子吸收后躍遷到導(dǎo)帶中，從而產(chǎn)生光電導(dǎo)。光吸收實(shí)驗(yàn)光照產(chǎn)生示意圖非平衡載流子的產(chǎn)生電注入：對(duì)PN結(jié)或?qū)鸢虢佑|上加電壓，也可產(chǎn)生非平衡載流子。注入的分類大注入：即產(chǎn)生的非平衡載流子濃度接近或大于平衡載流子濃度。小注入：注入的非平衡載流子濃度比平衡時(shí)的多數(shù)載流子濃度小得多。

非平衡載流子的產(chǎn)生小注入情況下，非平衡少數(shù)載流子濃度比平衡少數(shù)載流子濃度大得多，影響十分重要。小注入情況下，注入的非平衡載流子濃度比平衡多數(shù)載流子濃度小得多，其影響可以忽略。例，n-Si，n0=2×1015cm-3p0=105cm-3,若有注入的非平衡載流子濃度△p＝1010cm-3，則空穴增加幾個(gè)量級(jí),而電子濃度幾乎不受影響。非平衡載流子的復(fù)合注入的非平衡載流子并不能一直存在下去，在外界因素消失后，會(huì)逐漸消失，即原來激發(fā)到導(dǎo)帶的電子又回到價(jià)帶。產(chǎn)生非平衡載流子的外部作用撤除后，由于半導(dǎo)體的內(nèi)部作用，使它由非平衡態(tài)恢復(fù)到平衡態(tài)，這一過程稱為非平衡載流子的復(fù)合。復(fù)合及產(chǎn)生非平衡載流子的壽命非平衡載流子并不是立刻消失，而是有一個(gè)過程，它們?cè)趯?dǎo)帶和價(jià)帶中有一定的生存時(shí)間。定義：非平衡載流子的平均生存時(shí)間。由于相對(duì)之下，非平衡少數(shù)載流子的影響處于主導(dǎo)的決定的地位，所以也稱少子壽命，用τ表示。非平衡載流子的壽命非平衡載流子的復(fù)合率：單位時(shí)間單位體積內(nèi)凈復(fù)合消失的電子－空穴對(duì)數(shù)。非平衡載流子的復(fù)合幾率：1/τ即為單位時(shí)間內(nèi)非平衡載流子的復(fù)合幾率，用P表示。復(fù)合幾率可以理解為每個(gè)過剩載流子，在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)生復(fù)合的次數(shù)。非平衡載流子的壽命例，設(shè)一束光在一塊n型半導(dǎo)體內(nèi)部均勻地產(chǎn)生非平衡載流子△n和△p,在t=0時(shí)刻突然光照停止。則△p將隨時(shí)間變化。單位時(shí)間內(nèi)非平衡載流子濃度的減少應(yīng)等于非平衡載流子復(fù)合率。即非平衡載流子濃度隨時(shí)間按指數(shù)規(guī)律衰減光照開始階段光照停止階段非平衡載流子的壽命特點(diǎn)只在小注入時(shí)成立受材料性質(zhì)，制備方法和條件的影響一般器件，τ越高越好開關(guān)器件，τ越低越好舉例：單晶Geτ>=104us單晶Siτ>=103usGaAsτ=10-8~10-9us準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)處于熱平衡態(tài)的半導(dǎo)體有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)。統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)是平衡狀態(tài)的標(biāo)志。電子系統(tǒng)的熱平衡狀態(tài)是通過熱躍遷實(shí)現(xiàn)的。在一個(gè)能帶范圍內(nèi)，熱躍遷十分頻繁，極短時(shí)間內(nèi)就可以實(shí)現(xiàn)；而能帶之間熱躍遷則少得多，因?yàn)橹g隔著禁帶。準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)平衡：通常指電子與晶格振動(dòng)之間交換能量達(dá)到平衡熱平衡：G＝R（無外界因素）。伴隨著電子－空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合的平衡非平衡：G＞R（有外界因素），為準(zhǔn)平衡態(tài)。是把導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴看成子系，電子子系與空穴子系分別與晶格達(dá)到平衡非平衡僅指數(shù)量上的偏離平衡值，能量分布仍可與平衡分布相同準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)當(dāng)平衡態(tài)被破壞存在非平衡載流子時(shí)，價(jià)帶和導(dǎo)帶中的電子分別各自處于平衡態(tài)，而導(dǎo)帶和價(jià)帶之間處于不平衡狀態(tài)。費(fèi)米能級(jí)和統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)對(duì)導(dǎo)帶和價(jià)帶各自仍是適用的，從而可分別引入導(dǎo)帶費(fèi)米能級(jí)和價(jià)帶費(fèi)米能級(jí)，均是局部的費(fèi)米能級(jí)，稱為準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。導(dǎo)帶的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)也稱為電子準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)，價(jià)帶的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)稱為空穴準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)，分別用EFn,EFp表示。導(dǎo)帶和價(jià)帶之間的不平衡表現(xiàn)為它們的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)是不重合的。準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)非平衡態(tài)下載流子濃度表示式：適用條件：載流子濃度不是太高，以致使得準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)進(jìn)入導(dǎo)帶或價(jià)帶中。準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)以n型半導(dǎo)體為例。小注入時(shí)，即△n<<n0時(shí)，有n>n0,且n≈n0，則EFn比EF更靠近導(dǎo)帶，但偏離EF甚小。而△p>>p0,P>>p0,則EFP比EF更靠近價(jià)帶，且比EFN更顯著地偏離了EF。EFP和EFn的偏離大小直接反映出np與ni2相差的程度，反映了半導(dǎo)體偏離平衡態(tài)的程度。準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的深入理解準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的平衡，是一種準(zhǔn)平衡，指把導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴看成子系，電子子系和空穴子系分別與晶格達(dá)到平衡。從化學(xué)勢來看，存在過剩載流子時(shí)，由于導(dǎo)帶和價(jià)帶這兩個(gè)子系的化學(xué)勢不相等，子系之間是不平衡的。電子將從化學(xué)勢較高的子系導(dǎo)帶流入化學(xué)勢較低的子系－－價(jià)帶，直到最后兩者化學(xué)勢相等。若由于某種原因造成少數(shù)載流子的欠缺，則不難看出價(jià)帶化學(xué)勢將超過導(dǎo)帶，這時(shí)將出現(xiàn)相反的情況，價(jià)帶電子要轉(zhuǎn)移到導(dǎo)帶中，形成電子空穴對(duì)，直到恢復(fù)平衡?？梢婋娮恿鲃?dòng)的方向并不是由它所處的能級(jí)的高低決定的，而是決定于它所處的子系統(tǒng)的化學(xué)勢，即準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的高低。§5.2復(fù)合復(fù)合的概念直接復(fù)合間接復(fù)合復(fù)合的概念復(fù)合由半導(dǎo)體的內(nèi)因決定。復(fù)合的過程是一微觀過程。根據(jù)不同的因素，有以下分類。根據(jù)復(fù)合的微觀機(jī)構(gòu)，復(fù)合可分為兩類：直接復(fù)合：電子在導(dǎo)、價(jià)帶之間的直接復(fù)合。間接復(fù)合：電子與空穴通過禁帶的復(fù)合能級(jí)進(jìn)行復(fù)合。根據(jù)復(fù)合過程發(fā)生的位置，有以下兩類：體內(nèi)復(fù)合表面復(fù)合復(fù)合的概念根據(jù)復(fù)合時(shí)能量釋放的形式，分為：輻射復(fù)合（發(fā)光復(fù)合）：伴隨發(fā)光，發(fā)射光子。通過和電磁波的作用，能量以光子形式釋放。非輻射復(fù)合：多余能量傳給晶格，發(fā)射聲子。載流子將多余的能量傳給晶格，增強(qiáng)晶格的振動(dòng)。俄歇復(fù)合：能量給予其它載流子，增加它們的動(dòng)能。直接復(fù)合產(chǎn)生率：單位時(shí)間和單位體積內(nèi)所產(chǎn)生的電子－空穴對(duì)數(shù)稱為產(chǎn)生率。復(fù)合率：單位時(shí)間和單位體積內(nèi)復(fù)合掉的電子－空穴對(duì)數(shù)稱為復(fù)合率。由電子在導(dǎo)帶與價(jià)帶間直接躍遷而引起的非平衡載流子的復(fù)合過程就是直接復(fù)合。直接復(fù)合復(fù)合率表示為：R＝rnp其中，n,p為電子和空穴濃度。r為電子－空穴復(fù)合幾率。物理意義：單位體積內(nèi)，每一個(gè)電子在單位時(shí)間內(nèi)都有一定的幾率和空穴相遇而復(fù)合，這一幾率與空穴濃度成正比。復(fù)合率R是溫度的函數(shù)，與np無關(guān)。直接復(fù)合產(chǎn)生率僅是溫度的函數(shù)，與n，p無關(guān)。熱平衡時(shí)，產(chǎn)生率必須等于復(fù)合率。有非平衡載流子的凈復(fù)合率：復(fù)合率減去產(chǎn)生率，有直接復(fù)合小注入非簡并時(shí)，非平衡時(shí)的產(chǎn)生率與平衡態(tài)時(shí)相同，且僅是溫度的函數(shù)。凈復(fù)合率為非平衡載流子的壽命為：R越大，凈復(fù)合率越大，τ值越小。直接復(fù)合對(duì)上式作分析，可得小注入時(shí)：大注入時(shí)，有直接復(fù)合總結(jié)：小注入時(shí)，當(dāng)溫度和摻雜一定時(shí)，壽命是一個(gè)常數(shù)，壽命與多數(shù)載流子的濃度成反比。大注入時(shí)，壽命隨非平衡載流子濃度而改變，不再是常數(shù)。壽命的大小，首先取決于復(fù)合幾率r。一般的半導(dǎo)體，并不完全是由直接復(fù)合過程所決定的，還有另外的復(fù)合機(jī)構(gòu)。禁帶越小，直接復(fù)合幾率越大。間接復(fù)合半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷有促進(jìn)復(fù)合的作用。這些促進(jìn)復(fù)合的雜質(zhì)和缺陷稱為復(fù)合中心。間接復(fù)合是指非平衡載流子通過復(fù)合中心的復(fù)合。電子－空穴的復(fù)合可分兩步走：第一步，導(dǎo)帶電子落入復(fù)合中心能級(jí)；第二步，電子再落入價(jià)帶與空穴復(fù)合。當(dāng)然也存在以上過程的逆過程。間接復(fù)合間接復(fù)合的四個(gè)微觀過程：甲：俘獲電子過程。復(fù)合中心能級(jí)從導(dǎo)帶俘獲電子。乙：發(fā)射電子過程。復(fù)合中心能級(jí)上的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶。（甲逆）丙：俘獲空穴過程。電子由復(fù)合中心落入價(jià)帶與空穴復(fù)合。?。喊l(fā)射空穴過程。價(jià)帶電子被激發(fā)到復(fù)合中心上。（丙逆）間接復(fù)合的相關(guān)概念設(shè)Nt為復(fù)合中心濃度，nt表示復(fù)合中心能級(jí)上的電子濃度。Nt-nt表示未被電子占據(jù)的復(fù)合中心濃度。電子俘獲率：單位時(shí)間單位體積被復(fù)合中心俘獲的電子數(shù)。Rn:電子俘獲系數(shù)。反映復(fù)合中心俘獲能力的大小電子產(chǎn)生率：單位時(shí)間單位體積復(fù)合中心向?qū)Оl(fā)射的電子數(shù)。S-稱電子激發(fā)幾率。間接復(fù)合的相關(guān)概念空穴俘獲率：單位時(shí)間單位體積被復(fù)合中心俘獲的空穴數(shù)。

rp空穴俘獲系數(shù)。只有被電子占據(jù)的復(fù)合中心能級(jí)才能俘獲空穴?？昭óa(chǎn)生率：單位時(shí)間單位體積復(fù)合中心向價(jià)帶發(fā)射的空穴數(shù)。S+:空穴激發(fā)幾率

間接復(fù)合平衡時(shí)，有甲＝乙，丙＝丁，得最后有N1:等于費(fèi)米能級(jí)EF與復(fù)合中心能級(jí)Et重合時(shí)導(dǎo)帶的平衡電子濃度P1：等于費(fèi)米能級(jí)EF與復(fù)合中心能級(jí)Et重合時(shí)價(jià)帶的平衡空穴濃度間接復(fù)合非平衡，在穩(wěn)定情況時(shí)，有所以要保持復(fù)合中心上的電子數(shù)不變甲＋?。揭沂麨镋t能級(jí)上電子的積累＝Et能級(jí)上電子的減少把各個(gè)情況的表達(dá)代入，有間接復(fù)合穩(wěn)定條件又可寫為，甲－乙＝丙一丁為導(dǎo)帶上電子的減少＝價(jià)帶空穴的減少表示導(dǎo)帶損失一個(gè)電子，價(jià)帶損失一個(gè)空穴，兩者在復(fù)合中心復(fù)合，從而為凈復(fù)合率。最終有，間接復(fù)合利用n1p1=ni2,有非平衡載流子的復(fù)合率，此即通過復(fù)合中心復(fù)合的普遍理論公式間接復(fù)合討論熱平衡條件下，np=ni2，所以U＝0注入非平衡載流子后，np>ni2,由于n=n0+Δn,p=p0+Δp,Δn=Δp,有間接復(fù)合對(duì)復(fù)合率來說，非平衡偏離的程度（np-ni2)是復(fù)合的動(dòng)力；Et=Ei時(shí)，U最大，即禁帶中央附近的深能級(jí)是最有效的復(fù)合中心。淺能級(jí)不能起有效的復(fù)合中心作用。間接復(fù)合小注入時(shí)非平衡載流子壽命（Δp<<(n0+p0)）壽命τ取決于Et和EF的位置（即與n0,p0,n1,p1有關(guān)），而與非平衡載流子濃度無關(guān)。濃度n0—(Ec-Ef),P0—(Ef-Ev),n1--(Ec-Et),p1—(Et-Ev)間接復(fù)合討論強(qiáng)n型,n0>>p0,n1,p1，有弱n型，p1>>n0>>p0>>n1,有

間接復(fù)合弱P型，p1>>p0>>n0>>n1,強(qiáng)P型，p0>>p1>>n1>>n0間接復(fù)合結(jié)論：多摻雜（強(qiáng)型）取決于非平衡少子壽命輕摻雜（弱型）與平衡時(shí)多子濃度成反比影響τ的因素復(fù)合中心種類，rn,rp濃度摻雜濃度Ef溫度（n,p,rn,rp)注入大小Δn

，Δp

間接復(fù)合實(shí)例金在硅中的復(fù)合作用金在硅中是深能級(jí)雜質(zhì)，在硅中形成多重能級(jí)。主要有兩個(gè)能級(jí)，一個(gè)是受主能級(jí)，一個(gè)是施主能級(jí)。這兩個(gè)能級(jí)不是同時(shí)起作用。無論是n型硅，還是p型硅，金均是有效的復(fù)合中心，對(duì)少數(shù)載流子壽命有極大的影響。金在硅中的復(fù)合作用§5.3其它復(fù)合和陷阱效應(yīng)表面復(fù)合俄歇復(fù)合陷阱效應(yīng)表面復(fù)合定義：半導(dǎo)體表面發(fā)生的復(fù)合。為間接復(fù)合性質(zhì)表面復(fù)合使注入載流子因復(fù)合而減少表面狀態(tài)易受外界影響，從而影響壽命表面復(fù)合實(shí)際上是懸掛鍵的吸附作用引起的表面復(fù)合表面復(fù)合的表示：表面復(fù)合表面復(fù)合速度俄歇復(fù)合定義：載流子從高能級(jí)向低能級(jí)躍遷，發(fā)生電子－空穴復(fù)合，把多余能量傳給另一載流子，使這個(gè)載流子被激發(fā)到更高能級(jí)上去。當(dāng)它重新躍遷回低能級(jí)時(shí)，多余的能量以聲子形式放出為一種非輻射復(fù)合。俄歇復(fù)合幾種復(fù)合形式陷阱效應(yīng)陷阱：有顯著陷阱效應(yīng)的雜質(zhì)能級(jí)陷阱中心：起到陷阱效應(yīng)的雜質(zhì)或缺陷陷阱效應(yīng)：在雜質(zhì)能級(jí)上積累的非平衡載流子的作用。陷阱積累的非平衡載流子數(shù)目可以與導(dǎo)帶或價(jià)帶中非平衡載流子數(shù)目相比擬。

陷阱的存在大大地增長了從非平衡態(tài)到平衡態(tài)的馳豫時(shí)間陷阱效應(yīng)穩(wěn)態(tài)時(shí)，有小注入時(shí)，能級(jí)上的載流子的積累可由下式導(dǎo)出。陷阱效應(yīng)只考慮電子時(shí)，有設(shè)rn>>rp,即為電子陷阱，有陷阱效應(yīng)結(jié)論局部能級(jí)作為施主，受主，復(fù)合中心還是陷阱主要由其能級(jí)位置，數(shù)量以及對(duì)兩種載流子俘獲系數(shù)大小，及溫度有關(guān)。常見的是少子陷阱。陷阱效應(yīng)少子的意義N半：n0大＝＞Nt大＝＞Δnt大P半:n0?。剑綨t不必太大＝＞Δnt較大所以少數(shù)載流子的陷阱效應(yīng)比多數(shù)載流子更加明顯。陷阱效應(yīng)陷阱能級(jí)的位置電子陷阱，費(fèi)米能級(jí)EF以上的能級(jí)，且又靠近EF，陷阱效應(yīng)顯著陷阱作用不參與導(dǎo)電，但間接影響附加電導(dǎo)率§5.4非平衡載流子的擴(kuò)散和漂移擴(kuò)散：完全是由粒子濃度不均勻所引起的，是粒子的有規(guī)則運(yùn)動(dòng)，且與粒子的無規(guī)則運(yùn)動(dòng)密切相關(guān)。擴(kuò)散流密度：單位時(shí)間通過單位面積的粒子數(shù)。Sn,Sp為電子空穴擴(kuò)散流密度。Dn,Dp為電子空穴擴(kuò)散系數(shù)。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散系數(shù)反映了非平衡少數(shù)載流子擴(kuò)散能力的大小。Dn>Dp，單位為cm2/s。Dp/dx,dn/dx為載流子濃度梯度。式中負(fù)號(hào)表示自濃度高向濃度低的位置擴(kuò)散。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散系數(shù)與溫度，雜質(zhì)濃度有關(guān)擴(kuò)散電流密度擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)一般情況下，Sp隨x位置而變化，有表示為單位時(shí)間在單位體積內(nèi)積累的空穴數(shù)＝單位時(shí)間單位體積內(nèi)由于復(fù)合而消失的空穴數(shù)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)又有穩(wěn)態(tài)下，Δp(x)/τ為復(fù)合掉的空穴數(shù)，有在體內(nèi)不存在產(chǎn)生過剩少子的其它因素時(shí)，穩(wěn)定條件下，擴(kuò)散造成的積累和復(fù)合之間保持平衡擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)解得Lp為擴(kuò)散長度，有標(biāo)志非平衡載流子深入樣品的平均距離擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)對(duì)所得結(jié)果討論，有當(dāng)樣品足夠厚時(shí)，即W＞＞Lp，邊界為有可見，向內(nèi)擴(kuò)散的空穴流大小就如同表面空穴以Dp/Lp的速度向內(nèi)運(yùn)動(dòng)一樣。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)樣品很薄時(shí)，在樣品另一端設(shè)法將非平衡少子全部引出，有W<<Lp代入穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散方程的解后有擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)因?yàn)閃＜＜Lp,有擴(kuò)散流密度為意味著非平衡載流子在樣品中沒有復(fù)合漂移電流及擴(kuò)散電流外加電場作用下，載流子將作漂移運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生漂移電流，如下擴(kuò)散電流為，漂移運(yùn)動(dòng)在半導(dǎo)體中非平衡載流子不平衡，且有外加電場作用時(shí)，半導(dǎo)體中既有漂移運(yùn)動(dòng)，又有擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。對(duì)半導(dǎo)體來說，有漂移運(yùn)動(dòng)熱平衡態(tài)的非均勻n型半導(dǎo)體，設(shè)施主雜質(zhì)濃度隨x增加而下降，電子空穴也為x的函數(shù)，即載流子沿x方向擴(kuò)散，產(chǎn)生擴(kuò)散電流。由于內(nèi)部不保持電中性，體內(nèi)必然存在抑制擴(kuò)散的電場，從而產(chǎn)生載流子的漂移電流。宏觀電流是不存在的，則總電流分別等于0。愛因斯坦關(guān)系式電場與電勢的關(guān)系為，附加靜電勢為-qV(x)從而使導(dǎo)帶底的能量也有所變化，在非簡并的條件下，電子濃度為愛因斯坦關(guān)系式對(duì)n0求導(dǎo)，有最終有愛因斯坦關(guān)系式為愛因斯坦關(guān)系式意義適于非平衡及平衡態(tài)反映了非簡并情況下載流子遷移率及擴(kuò)散系數(shù)之間的關(guān)系說明了剛激發(fā)的載流子雖然和平衡載流子有不同的速度和能量，但由于和晶格能量交換，在比壽命τ短得多的時(shí)間內(nèi)就取得了與該溫度相適應(yīng)的速度分布。所以在復(fù)合前絕大部分時(shí)間中已和平衡載流子沒有什么區(qū)別§5.5連續(xù)性方程式半導(dǎo)體中的電流連續(xù)性連續(xù)性方程應(yīng)用半導(dǎo)體中的電流連續(xù)性在半導(dǎo)體中的一小塊區(qū)域中，載流子濃度受以下兩種因素影響非平衡載流子的產(chǎn)生及復(fù)合這個(gè)區(qū)域同半導(dǎo)體其它區(qū)域間的載流子通