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《低頻電子電路》----------人民郵電出版社21世紀(jì)高等院校信息與通信工程規(guī)劃教材普通高等教育“十一五”國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材課程概述電子電路:特指含半導(dǎo)體元器件的電路,并能
對(duì)電信號(hào)實(shí)現(xiàn)某種處理的功能電路。低頻電子電路:電信號(hào)周期較大的電子電路,本
書(shū)也涉及一些“電子電路基礎(chǔ)”內(nèi)容。半導(dǎo)體元器件:二極管、場(chǎng)效應(yīng)管、集成電路?!兜皖l電子電路》課程結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體非線性分析受控特性分析放大單元與器件電路應(yīng)用結(jié)構(gòu)與改良《低頻電子電路》第1部分半導(dǎo)體非線性分析
第一章
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路1.1
單一類(lèi)型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能1.2
半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)電性能1.3
半導(dǎo)體非線性電路的分析基礎(chǔ)1.4
半導(dǎo)體非線性電路的近似分析
與電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)系《低頻電子電路》第1部分半導(dǎo)體非線性分析
第二章
半導(dǎo)體受控器件基礎(chǔ)2.1
雙極型晶體管的電量制約關(guān)系2.2
場(chǎng)效應(yīng)管的電量制約關(guān)系2.3元器件的模型研究與仿真的工程意義《低頻電子電路》概述三層次的半導(dǎo)體元器件第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路P型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體第1層
單一類(lèi)型半導(dǎo)體材料
--------半導(dǎo)體的電阻性質(zhì)N型半導(dǎo)體概述三層次的半導(dǎo)體元器件第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路第2層
多類(lèi)型半導(dǎo)體材料的不同簡(jiǎn)單組合
--------非線性導(dǎo)體性質(zhì)PN正極負(fù)極NPP+P+P+N概述三層次的半導(dǎo)體元器件第3層
多類(lèi)型半導(dǎo)體材料的復(fù)雜組合
--------半導(dǎo)體的信號(hào)處理功能第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路1.1
單一類(lèi)型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路半導(dǎo)體:導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。本征半導(dǎo)體是純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。
導(dǎo)體:鐵、鋁、銅等金屬元素等低價(jià)元素,其最外層電子在外電場(chǎng)作用下很容易產(chǎn)生定向移動(dòng),形成電流。
絕緣體:惰性氣體、橡膠等,其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強(qiáng),只有在外電場(chǎng)強(qiáng)到一定程度時(shí)才可能導(dǎo)電。
半導(dǎo)體:硅(Si)、鍺(Ge),均為四價(jià)元素,它們?cè)拥淖钔鈱与娮邮茉雍说氖`力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。無(wú)雜質(zhì)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)無(wú)雜質(zhì)的---本征半導(dǎo)體物質(zhì)結(jié)構(gòu):原子按有序排列的晶體結(jié)構(gòu)構(gòu)成半導(dǎo)體導(dǎo)電原理分析方法:共價(jià)鍵方法,能帶理論方法雜質(zhì)半導(dǎo)體(P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體)(1)共價(jià)鍵方法----晶體結(jié)構(gòu),外層電子軌道位置(2)能帶理論方法-----半導(dǎo)體內(nèi)電子流動(dòng)能力分析,半導(dǎo)體導(dǎo)電分析半導(dǎo)體分類(lèi)1硅和鍺晶體的共價(jià)鍵分析法硅(Si)、鍺(Ge)原子結(jié)構(gòu)及簡(jiǎn)化模型:+14284+3228418+4價(jià)電子慣性核第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路1.1.1本征半導(dǎo)體的伏安特性硅或鍺的本征半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu),即共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。它們是制造半導(dǎo)體器件的基本材料。+4+4+4+4+4+4+4+4共價(jià)鍵本征半導(dǎo)體第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路
激發(fā)VS復(fù)合
當(dāng)T
升高或光線照射時(shí)產(chǎn)生自由電子空穴對(duì)。
共價(jià)鍵具有很強(qiáng)的結(jié)合力。當(dāng)T=0K(無(wú)外界影響)
時(shí),共價(jià)鍵中無(wú)自由移動(dòng)的電子。這種現(xiàn)象稱(chēng)結(jié)論
空穴:價(jià)電子層的電子逸出后留下的空位;自由電子:遠(yuǎn)離價(jià)電子層的電子(受原子核作用?。<ぐl(fā);+4+4+4+4+4反之,稱(chēng)為復(fù)合。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路當(dāng)原子中的價(jià)電子層失去電子時(shí),原子的慣性核帶正電,可將其視為空位或空穴帶正電。通常,將原子間價(jià)電子軌道層面的電子運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為空穴運(yùn)動(dòng)。注意:空穴運(yùn)動(dòng)方向與價(jià)電子運(yùn)動(dòng)的方向相反。自由電子—帶負(fù)電半導(dǎo)體中有兩種導(dǎo)電的載流子
空穴運(yùn)動(dòng)VS電子運(yùn)動(dòng)空穴—帶正電通常,將自由電子軌道層面的電子運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為自由電子的運(yùn)動(dòng),簡(jiǎn)稱(chēng)為電子運(yùn)動(dòng)。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路在半導(dǎo)體整體平臺(tái)中,電子運(yùn)行軌道可以采用對(duì)應(yīng)的電子能量來(lái)表示,因此,有了物質(zhì)的電子軌道的能級(jí)圖和能帶圖。2硅和鍺晶體中電子活動(dòng)的能帶分析法第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路電子在同一能帶中不同能級(jí)間的運(yùn)動(dòng)變遷較為容易;跨能帶的運(yùn)動(dòng)變遷必需通過(guò)能量的較大吸收或釋放,即由此跨越禁帶來(lái)實(shí)現(xiàn)。從價(jià)帶到導(dǎo)帶的電子軌道變遷,與前述的激發(fā)運(yùn)動(dòng)對(duì)應(yīng);從導(dǎo)帶到價(jià)帶的電子軌道變遷,與前述的復(fù)合運(yùn)動(dòng)對(duì)應(yīng)。
結(jié)論:電子在導(dǎo)帶內(nèi)部的電子軌道變遷,與前述的電子運(yùn)動(dòng)對(duì)應(yīng);電子在價(jià)帶內(nèi)部的電子軌道變遷,與前述的空穴運(yùn)動(dòng)對(duì)應(yīng)。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路溫度一定時(shí):激發(fā)與復(fù)合在某一熱平衡值上達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。
熱平衡載流子濃度熱平衡載流子濃度:本征半導(dǎo)體中本征激發(fā)——產(chǎn)生自由電子空穴對(duì)。電子和空穴相遇釋放能量——復(fù)合。T導(dǎo)電能力ni或光照熱敏特性光敏特性第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路漂移與漂移電流載流子在電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)漂移運(yùn)動(dòng),由此形成的電流稱(chēng)漂移電流。漂移電流密度總漂移電流密度:遷移率第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路
半導(dǎo)體的電導(dǎo)率+-V長(zhǎng)度l截面積S電場(chǎng)EI電阻:電導(dǎo)率:
本征半導(dǎo)體的電壓電流關(guān)系可由等效的電阻元件來(lái)代替。但電阻的阻值會(huì)受到溫度和光照的影響。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路
N型半導(dǎo)體:1.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)+4+4+5+4+4簡(jiǎn)化模型:N型半導(dǎo)體多子——自由電子(靠雜質(zhì)和激發(fā))少子——空穴(靠少量激發(fā)產(chǎn)生)自由電子本征半導(dǎo)體中摻入少量五價(jià)元素構(gòu)成。第1章晶體二極管施主雜質(zhì)P型半導(dǎo)體+4+4+3+4+4簡(jiǎn)化模型:P型半導(dǎo)體少子——自由電子(靠少量激發(fā)產(chǎn)生)多子——空穴(靠雜質(zhì)和激發(fā))空穴本征半導(dǎo)體中摻入少量三價(jià)元素構(gòu)成。第1章晶體二極管受主雜質(zhì)注:N型半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度;P型半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度
雜質(zhì)半導(dǎo)體中載流濃度計(jì)算N型半導(dǎo)體(熱平衡條件)(電中性條件)P型半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體呈電中性少子濃度取決于溫度的激發(fā)。多子濃度主要取決于摻雜濃度。第1章晶體二極管晶體二極管結(jié)構(gòu)及電路符號(hào):PN結(jié)正偏(P接+、N接-),D導(dǎo)通。PN正極負(fù)極晶體二極管的主要特性:?jiǎn)畏较驅(qū)щ娞匦訮N結(jié)反偏(N接+、P接-),D截止。即第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路1.2半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)電性能利用摻雜工藝,把P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體在原子級(jí)上仍按晶體延續(xù)方式結(jié)合在一起。載流子在濃度差作用下的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),所形成的電流稱(chēng)擴(kuò)散電流。擴(kuò)散電流密度:
擴(kuò)散與擴(kuò)散電流N型硅光照n(x)p(x)載流子濃度xn0p0第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路1.2.1無(wú)電壓時(shí)PN結(jié)的載流子分布與交換空穴自由電子自由電子擴(kuò)散電流方向與濃度減小方向相反P區(qū)與N區(qū)的交界區(qū)域?yàn)镻N結(jié)。
N型P型PN結(jié)PN結(jié)載流子分布第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路阻止多子擴(kuò)散出現(xiàn)內(nèi)建電場(chǎng)開(kāi)始因濃度差產(chǎn)生空間電荷區(qū)引起多子擴(kuò)散利于少子漂移最終達(dá)動(dòng)態(tài)平衡注意:PN結(jié)處于動(dòng)態(tài)平衡時(shí),擴(kuò)散電流與漂移電流相抵消,通過(guò)PN結(jié)的電流為零。
PN結(jié)形成的物理過(guò)程第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路
PN結(jié)的載流子分布第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路
穿越能力載流子擴(kuò)散—漂移---動(dòng)態(tài)平衡------載流子分布見(jiàn)圖(c)載流子擴(kuò)散導(dǎo)致同層電子軌道存在電位差(內(nèi)建電位差),即載流子穿越存在能級(jí)差異,見(jiàn)圖(b)
PN結(jié)的物理空間稱(chēng)為耗盡層
PN結(jié)的物理空間稱(chēng)為空間電荷區(qū),或勢(shì)壘區(qū)
內(nèi)建電位差(電量描述):室溫時(shí)鍺管VB00.2~0.3V硅管VB00.5~0.7V
空間電荷區(qū)寬度(物理空間描述):
注意:摻雜濃度(Na、Nd)越大,內(nèi)建電位差VB越大,阻擋層寬度l0
越小。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路1.2.2有電壓時(shí)PN結(jié)的導(dǎo)電能力PN結(jié)的電阻特性第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路1.2.2有電壓時(shí)PN結(jié)的導(dǎo)電能力1PN結(jié)的電阻特性P+N內(nèi)建電場(chǎng)El0+-VPN結(jié)正偏空間電荷區(qū)變薄空間電荷區(qū)內(nèi)建電場(chǎng)減弱多子擴(kuò)散>>少子漂移擴(kuò)散形成較大的電流PN結(jié)導(dǎo)通I電壓V電流I第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路PN結(jié)——導(dǎo)電原理擴(kuò)散電荷被電源吸收和補(bǔ)充P+N內(nèi)建電場(chǎng)
El0-+VPN結(jié)反偏空間電荷區(qū)內(nèi)建電場(chǎng)增強(qiáng)少子漂移>>多子擴(kuò)散少子漂移形成微小的反向電流
ISPN結(jié)接近截止IRIS與V近似無(wú)關(guān)。溫度T電流IS結(jié)論:PN結(jié)具有單方向?qū)щ娞匦?。?章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路阻擋層變寬少子被電源吸收和補(bǔ)充PN結(jié)——伏安特性方程式(PN結(jié)正、反向特性,可用理想的指數(shù)函數(shù)來(lái)描述:熱電壓26mV(室溫)其中:
IS為反向飽和電流,其值與外加電壓近似無(wú)關(guān),但受溫度影響很大。正偏時(shí):反偏時(shí):第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路)PN結(jié)——伏安特性曲線(-ISSiGeVD(on)VD(on)=0.7VIS=(10-9~10-16)A硅PN結(jié)VD(on)=0.25V鍺PN結(jié)IS=(10-6~10-8)Avj>VD(on)時(shí)隨著vj
正向R
很小ij
PN結(jié)導(dǎo)通;vj<VD(on)時(shí)ij
很小(ij
-IS)反向R很大PN結(jié)截止。溫度每升高10℃,IS
約增加一倍。溫度每升高1℃,VD(on)
約減小2.5mV。0)第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路|vj|
=V(BR)時(shí),|ij|急劇,
PN結(jié)反向擊穿。雪崩擊穿齊納擊穿PN結(jié)摻雜濃度較低(l0較寬)發(fā)生條件:形成原因:外加反向電壓較大(>6V)
時(shí),載流子動(dòng)能增大形成碰撞電離。-V(BR)ijvj形成原因:外加反向電壓較小(<6V),就能導(dǎo)致價(jià)電子場(chǎng)致激發(fā)。
發(fā)生條件:PN結(jié)摻雜濃度較高(l0較窄)0PN結(jié)的擊穿特性(第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路)因?yàn)門(mén)
載流子運(yùn)動(dòng)的平均自由路程V(BR)。
雪崩擊穿電壓具有正溫度系數(shù)。
齊納擊穿電壓具有負(fù)溫度系數(shù)。因?yàn)門(mén)
價(jià)電子自身活躍度增強(qiáng)V(BR)。2PN結(jié)的熱擊穿現(xiàn)象
熱擊穿是指PN結(jié)功率耗損過(guò)大,結(jié)溫升高,半導(dǎo)體激發(fā)加強(qiáng),導(dǎo)致PN結(jié)功耗進(jìn)一步增大的惡性循環(huán)。循環(huán)的最終結(jié)果,必將導(dǎo)致PN結(jié)的晶體結(jié)構(gòu)遭到破壞,半導(dǎo)體材料被燒毀,PN結(jié)的導(dǎo)電特性不復(fù)存在的開(kāi)路狀態(tài)。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路3
PN結(jié)的電容特性PN結(jié)內(nèi)凈電荷量隨外加電壓變化產(chǎn)生的電容效應(yīng)。
勢(shì)壘電容CT
擴(kuò)散電容CD
PN結(jié)貯存的自由電子和空穴同步增減所需的電荷儲(chǔ)量變化的電容效應(yīng)。CT(0)CTVOxn少子濃度xO-xpP+N第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路PN結(jié)電容PN結(jié)反偏時(shí),CT>>CD,則Cj
CTPN結(jié)總電容:Cj=CT+CDPN結(jié)正偏時(shí),CD>>CT,則Cj≈CD故:PN結(jié)正偏時(shí),以CD
為主。故:PN結(jié)反偏時(shí),以CT
為主。通常:CD幾十pF~幾千pF。通常:CT
幾pF~幾十pF。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路1.2.3
4種常見(jiàn)二極管導(dǎo)電情況
結(jié)構(gòu):“PN結(jié)+單一半導(dǎo)體”構(gòu)成
特性:PN結(jié)電阻特性+體電阻RS第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路1普通二極管的特性
特點(diǎn):普通二極管是為利用PN結(jié)單向?qū)щ娦远鴮?zhuān)門(mén)制造的二極管。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路普通二極管參數(shù)
(1)反向特性。
二極管的反向電流主要由PN結(jié)的反向飽和電流IS決定。硅管的
為nA數(shù)量級(jí),鍺管的
為A數(shù)量級(jí)。
(2)正向特性。
電流較小時(shí),二極管的伏安特性更接近指數(shù)特性;
電流較大時(shí),二極管的伏安特性更接近直線特性。
電流有明顯數(shù)值時(shí)對(duì)應(yīng)的外加正向電壓
稱(chēng)為門(mén)坎電壓,記為Vth。硅二極管約為0.5V,鍺二極管
約為0.1V。VthSi
利用PN結(jié)的反向擊穿特性專(zhuān)門(mén)制成的二極管。
正常應(yīng)用區(qū)域要求:
-IZmin<-iD
<
-IZmax-VZiD-IZmin-IZmax+-VZ0vD第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路2穩(wěn)壓二極管
光電二極管屬于光生伏特效應(yīng)器件中與半導(dǎo)體有關(guān)的兩端元件。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路3光電二極管將PN結(jié)上的能耗有效地轉(zhuǎn)換成光強(qiáng)發(fā)射出來(lái)的特種二極管。
發(fā)光二極管流過(guò)電流時(shí)將發(fā)出光來(lái),用不同材料制成的發(fā)光二極管會(huì)發(fā)出不同顏色(波長(zhǎng))的光。發(fā)光二極管應(yīng)采用透光材料進(jìn)行封裝。發(fā)光二極管常用于顯示信息的電視屏、電氣設(shè)備中的電源指示燈。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路4發(fā)光二極管1.3半導(dǎo)體非線性電路的分析基礎(chǔ)分為:低頻電阻特性分析,高頻特性分析;后者分析需采用仿真工具來(lái)完成。
電路分析均是建立在特定等效模型基礎(chǔ)上的分析。
靈活選擇元器件模型和模型表達(dá)方式,可以簡(jiǎn)化分析的復(fù)雜度。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路
任何實(shí)際元器件的電路模型都只是在特定條件下的等效模型。1.3.1電阻特性分析初步與工程分析概念第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路1電路模型與理性二極管ivVD0ivVD(on)iv0按近似精度遞減給出普通二極管常見(jiàn)的直折線近似等效模型曲線如下
直折線模型(1)直折線模型(2)直折線模型(3)注:直折線近似等效模型(3)也稱(chēng)理想二極管模型。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路ivVD0ivVD(on)iv0對(duì)應(yīng)電路模型如下
直折線模型(1)直折線模型(2)直折線模型(3)abVD(on)RDD+-abVD(on)D+-abD對(duì)應(yīng)導(dǎo)通,即有電流時(shí)的表達(dá)式如下特定工作點(diǎn)Q條件下的小信號(hào)電路模型rsrjivQrs:P區(qū)和N區(qū)的體電阻,數(shù)值很小。rj:為PN結(jié)的增量結(jié)電阻。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路注意:高頻電路中,需考慮Cj
影響。因高頻工作時(shí),
Cj容抗很小,PN結(jié)單向?qū)щ娦詴?huì)因Cj
的交流旁路作用而變差。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路2二極管高頻模型第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路3二極管的計(jì)算機(jī)仿真模型(SPICE)表1-3-1 SPICE二極管模型的主要參數(shù)表
一般來(lái)說(shuō),往往會(huì)根據(jù)實(shí)際的需求來(lái)選用元器件模型。其中,簡(jiǎn)單模型有利于工程上近似快速分析,也適用于手工計(jì)算的需要;復(fù)雜模型則比較適合計(jì)算機(jī)分析,也方便進(jìn)行數(shù)值分析對(duì)比,以利于電路的最終工程實(shí)現(xiàn)和優(yōu)化。
確定信息類(lèi)型和表述特點(diǎn)1.3.2分析模型選擇與典型運(yùn)用分析1.?dāng)?shù)字信息處理與二極管的開(kāi)關(guān)運(yùn)用分析步驟:
選定元器件模型
確定分析手段第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路已知:表1-3-2 圖1-3-6對(duì)應(yīng)的電位情況與相應(yīng)信息對(duì)應(yīng)信息表述ABC000011101111
代表信息1、0的電位可以采用有一定誤差的高、低電位來(lái)表述,即二極管可以采用直折線模型2。第1章半導(dǎo)體基礎(chǔ)元件與非線性電路結(jié)果:表1-3-2 圖1-3-6對(duì)應(yīng)的電位情況與相應(yīng)信息
代表信息1的電位在4.4V~5V左右;代表信息0的電位在0V左右,即選用的元器件模型沒(méi)有影響信息的表述
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