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Fermi凍結(jié)
Fermi凍結(jié)1)Fermi-Dirac分布當(dāng)T>0時(shí),電子熱運(yùn)動(dòng)的能量~kBT,在常溫下kBT<<EF0因此,只有費(fèi)米面附近的電子才能被激發(fā)到高能態(tài),即只有E-EF0
~kBT的電子才能被熱激發(fā),而能量比EF0低幾個(gè)kBT的電子則仍被Pauli原理所束縛,其分布與T=0時(shí)相同。能量在E-E+dE之間的電子數(shù)為:自旋因子k空間費(fèi)米球體積k空間態(tài)密度電子數(shù)T=0時(shí)費(fèi)米能計(jì)算當(dāng)rs/a0=1時(shí),vF=4.2×108cm/s。但是,在室溫下(300K),電子熱運(yùn)動(dòng)速度為8.3×106cm/s。費(fèi)米速度不同于熱運(yùn)動(dòng)速度(1-10eV)其中為Fermi-Dirac分布函數(shù)是電子的化學(xué)勢(shì),其物理意義是在體積不變的情況下,系統(tǒng)增加一個(gè)電子所需的自由能。從分布幾率看,當(dāng)E=時(shí),f()=0.5,代表填充幾率為1/2的能態(tài)。當(dāng)E比大幾個(gè)kBT時(shí),exp[(E-)/kBT]>>1
,有,這時(shí),F(xiàn)ermi-Dirac分布過(guò)渡到經(jīng)典的Boltzmann分布。且f(E)隨E的增大而迅速趨于零。這表明,E比大幾個(gè)kBT的能態(tài)是沒(méi)有電子占據(jù)的空態(tài)。當(dāng)E比小幾個(gè)kBT時(shí),exp[(E-)/kBT]<<1
,這時(shí),f(E)1,這表明,E比小幾個(gè)kBT的能態(tài)基本上是滿態(tài)。對(duì)金屬而言,其熔點(diǎn)均低于TF,因此,在熔點(diǎn)以下,T<<TF總是滿足的。
化學(xué)勢(shì)
Fermi能EF只有在費(fèi)米面附近厚度~kBT的一層電子能夠吸收能量,因此只有這層電子對(duì)比熱有貢獻(xiàn)。由于泡利不相容原理,處于費(fèi)米海深處的電子在熱激發(fā)下得不到足夠的能量躍遷到空態(tài),因此不受熱激發(fā)的影響。Fermi凍結(jié)
對(duì)于金屬而言,由于T<<TF總是成立的,因此,只有費(fèi)米面附近的一小部分可以電子被激發(fā)到高能態(tài),而離費(fèi)米面較遠(yuǎn)的電子則仍保持原來(lái)(T=0)的狀態(tài),我們稱這部分電子被“冷凍”下來(lái)。因此,雖然金屬中有大量的自由電子,但是,決定金屬許多性質(zhì)的并不是其全部的自由電子,而只是在費(fèi)米面附近的那一小部分。正因?yàn)檫@樣,對(duì)金屬費(fèi)米面的研究就顯得尤為重要。電子熱容量
對(duì)于金屬,T<<TF;當(dāng)T>0時(shí),占有在費(fèi)米面附近幾個(gè)kBT的電子受熱激發(fā),而離費(fèi)米面較遠(yuǎn)處的電子仍保持原來(lái)的狀態(tài)(被“冷凍”下來(lái))。因此,盡管金屬中有大量的自由電子,但對(duì)電子熱容量有貢獻(xiàn)的只是在費(fèi)米面附近厚度~kBT的一層電子,而這層電子僅占電子總數(shù)的很小一部分。只有在費(fèi)米面附近厚度~kBT的一層電子能夠吸收能量,因此只有這層電子對(duì)比熱有貢獻(xiàn)。由于泡利不相容原理,處于費(fèi)米海深處的電子在熱激發(fā)下得不到足夠的能量躍遷到空態(tài),因此不受熱激發(fā)的影響。簡(jiǎn)單估計(jì),只有費(fèi)米面附近kBT范圍的電子被熱激發(fā),這部分電子約為:
這部分電子對(duì)熱內(nèi)能的貢獻(xiàn)為:因此電子比熱為:精確一些的估計(jì):在E-EFkBT中的電子數(shù)為:以及:所以:于是,而每個(gè)電子熱運(yùn)動(dòng)的平均能量為由于熱激發(fā),系統(tǒng)所獲得的能量為電子熱容量為:對(duì)于一摩爾金屬,N=ZN0,Z是每個(gè)金屬原子所貢獻(xiàn)的自由電子數(shù)。而常溫下,CL3R,由于T<<TF,所以Ce<<CL,即常溫下可以不必考慮電子熱容量的貢獻(xiàn)。直流電導(dǎo)--k空間圖像
當(dāng)=0時(shí),費(fèi)米球的球心在原點(diǎn),這時(shí),任何一個(gè)量子態(tài)k,都有一個(gè)反方向的-k態(tài)與之對(duì)應(yīng),處在這兩種量子態(tài)的電子具有大小相等、方向相反的速
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