第三章2-LTCC材料共燒技術(shù)基礎(chǔ)研究

LTCC材料共燒技術(shù)基礎(chǔ)研究

張懷武教授2/4/20231LTCC材料共燒技術(shù)基礎(chǔ)研究LTCC相關(guān)概念及技術(shù)機(jī)理實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論實(shí)驗(yàn)結(jié)果工藝條件摻雜CuO、MnCO3材料雙性復(fù)合降溫?fù)诫s2/4/20232LTCC技術(shù)的概念及其分類_概念

LTCC技術(shù)是一種先進(jìn)的混合電路封裝技術(shù)它是將四大無源器件，即變壓器（T）、電容器（C）、電感器（L）、電阻器（R）集成，配置于多層布線基板中，與有源器件（如：功率MOS、晶體管、IC電路模塊等）共同集成為一完整的電路系統(tǒng)。有效地提高電路的封裝密度及系統(tǒng)的可靠性

2/4/20233LTCC技術(shù)的概念及其分類_概念ThecharacterofThickFilm、LTCC、HTCCtechnology2/4/20234LTCC技術(shù)的概念及其分類_概念LTCCsubstratewithintegratedpassivesConstructionoftypicalLTCCmutilayerdeviceConstructionoftypicalLTCCmutilayerdevice2/4/20235LTCC技術(shù)的概念及其分類_概念Cross-sectionofLTCCmultilayerdeviceshowingtheindividualcomponentsthatcanbeintegratedIndividualcomponentsthatcanbeintegratedinLTCC2/4/20236LTCC技術(shù)的概念及其分類_概念LTCCINDUCTOR

LTCCBANDPASSFILTER3DLAYOUTLTCCINDUCTORhavebeenused2/4/20237LTCC技術(shù)的概念及其分類_分類LTCC技術(shù)的研究

設(shè)計(jì)技術(shù)

生磁料帶技術(shù)

混合集成技術(shù)

混合集成生磁料帶制造2/4/20238LTCC技術(shù)之國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀?

目前實(shí)現(xiàn)多達(dá)50層、16英寸，應(yīng)用頻率為50MHz～5GHz的LTCC集成電路?日本富士通已研制出61層，245mm的共燒結(jié)構(gòu)?美國IBM公司研制出了66層LTCC基板的多芯片組件2/4/20239LTCC技術(shù)之國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀※僅以對(duì)低溫共燒片式電感器的需求為例

電子產(chǎn)品名稱平均單機(jī)用量（只）電子產(chǎn)品名稱平均單機(jī)用量（只）移動(dòng)電話手持機(jī)30筆記本計(jì)算機(jī)24中文BP機(jī)10硬盤驅(qū)動(dòng)器8數(shù)字BP機(jī)10軟盤驅(qū)動(dòng)器6錄像機(jī)20程控交換機(jī)2/線傳真機(jī)4開關(guān)電源4無繩電話12超薄WALKMAN8大屏幕彩電機(jī)芯4便攜式CD唱機(jī)7DVD和VCD12數(shù)字電視（機(jī)頂蓋）40攝錄一體機(jī)35其他20國內(nèi)需求情況2/4/202310LTCC技術(shù)有待完善的問題收縮率控制問題基板散熱問題基板材料的研究

※選擇合適的摻雜，保證材料的高頻特性并輕松降低材料燒結(jié)溫度

※材料與內(nèi)電極的匹配，及進(jìn)一步提高品質(zhì)因素，降低損耗

※材料的良好機(jī)械性能、化學(xué)穩(wěn)定性等

2/4/202311LTCC材料工藝機(jī)理及相關(guān)理論低溫?zé)Y(jié)理論

鐵氧體的固相反應(yīng)和燒結(jié)ZnO＋Fe2O3高溫ZnFe2O4NiO＋Fe2O3高溫NiFe2O4

燒結(jié)的傳質(zhì)機(jī)理

粘滯流動(dòng)

塑性流動(dòng)

表面擴(kuò)散

體擴(kuò)散

2/4/202312LTCC材料工藝機(jī)理及相關(guān)理論晶粒邊界在燒結(jié)中的作用

燒結(jié)中原子與空隙流

降溫機(jī)理

引入低熔點(diǎn)物質(zhì)或能與材料中某些成分形成低共熔物的添加劑

引入某些異價(jià)離子或配合適當(dāng)氣氛

使用超細(xì)顆粒法

低溫?zé)Y(jié)理論

2/4/202313LTCC材料工藝機(jī)理及相關(guān)理論晶化動(dòng)力學(xué)理論

鐵氧體多晶成長(zhǎng)過程

（a）燒結(jié)初期

（b）孿晶

（c）晶粒吞并

（d）晶粒生長(zhǎng)停止（e）最終密度

2/4/202314LTCC材料工藝機(jī)理及相關(guān)理論技術(shù)公式

初始磁導(dǎo)率μi與截止頻率fr的關(guān)系公式中：μi——初始磁導(dǎo)率fr——截止頻率μ0——真空磁導(dǎo)率Ms——飽和磁化強(qiáng)度δ——疇壁厚度D——晶粒平均尺寸γ——旋磁比以磁疇轉(zhuǎn)動(dòng)為磁化機(jī)制的尖晶石鐵氧體

軟磁鐵氧體以疇壁的移動(dòng)為磁化機(jī)制

2/4/202315LTCC材料工藝機(jī)理及相關(guān)理論技術(shù)公式

初始磁導(dǎo)率μi鐵氧體磁芯及其等效電路電感量L及表征磁損耗的等效電阻R分別與磁導(dǎo)率的實(shí)部μ′和虛部μ″成正比

公式中：r1——環(huán)形樣品的內(nèi)徑(m)r2——環(huán)形樣品的外徑（m）N——線圈匝數(shù)L——環(huán)形樣品有效磁路長(zhǎng)度（m）ω——工作角頻率（rad/s）A——環(huán)形樣品的橫截面積（m2）2/4/202316LTCC材料工藝機(jī)理及相關(guān)理論磁滯現(xiàn)象分析模型——Preisach理論

由磁場(chǎng)H引起的磁通密度B

B==-S為（α，β）平面上Hsat≥α≥β≥-Hsat的矩形區(qū)域

2/4/202317LTCC材料工藝機(jī)理及相關(guān)理論當(dāng)磁性材料從初始狀態(tài)（未磁化）到剛被磁化時(shí)，磁通密度

Bi=-T()==差分電感：

磁滯損耗Pd

磁滯現(xiàn)象分析模型——Preisach理論

2/4/202318LTCC材料工藝機(jī)理及相關(guān)理論包含不同損耗的磁滯回線圖形

不同軟磁材料的磁滯回線磁滯現(xiàn)象分析模型——Preisach理論

2/4/202319復(fù)合材料工藝

復(fù)合機(jī)理

Zn2+,Mn2+,Fe3+,Cu1+,Fe2+,Mg2+,Li1+,Cu2+,Mn3+,Ti4+,Ni2+A位B位金屬離子在尖晶石中的A、B位占位傾向尖晶石結(jié)構(gòu)

2/4/202320復(fù)合材料工藝研究方案及工藝路線

2/4/202321實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論

部分工藝條件對(duì)NiZn鐵氧體磁性能影響

預(yù)燒溫度對(duì)品質(zhì)因數(shù)Q的影響現(xiàn)象：品質(zhì)因數(shù)隨預(yù)燒溫度的升高而增大，1100℃后Q值下降。原因：較高預(yù)燒溫度可促進(jìn)固相 反應(yīng)的完全，增加成型密度， 從而增加磁芯的密度；當(dāng)預(yù)燒 溫度超過1100℃，固相反應(yīng)完 全，材料活性降低。2/4/202322

部分工藝條件對(duì)NiZn鐵氧體磁性能影響

預(yù)燒溫度對(duì)磁導(dǎo)率μ′的影響現(xiàn)象：相同Ts下的鐵氧體磁導(dǎo) 率μ′隨預(yù)燒溫度的升高逐 漸下降。原因：預(yù)燒溫度低時(shí)，材料固 相反應(yīng)生成的立方尖晶石相 并不穩(wěn)定，二次粉碎時(shí)的機(jī) 械能易使部分晶格扭曲變形， 粉體表面活性增大，燒成階 段晶粒生長(zhǎng)速度比高預(yù)燒溫 度時(shí)快，晶粒大，晶界薄，磁導(dǎo)率大。

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202323

部分工藝條件對(duì)NiZn鐵氧體磁性能影響

燒結(jié)溫度Ts對(duì)Q的影響現(xiàn)象：隨著燒結(jié)溫度的增加，Q 值逐漸減小。原因：隨Ts的升高，磁芯內(nèi)密度 增加，氣孔減少，晶粒粗大， 晶界處電阻率ρ減小，Q值減 小。 另外，隨Ts的升高，Zn揮 發(fā)增加，引起Fe2+增多，八面 體位就出現(xiàn)不同價(jià)的電子導(dǎo)電, 激活能最低，具有強(qiáng)導(dǎo)電性。 鐵氧體的電阻率ρ降低，渦流 損耗增加，Q值減小。

燒結(jié)溫度Ts對(duì)Q的影響實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202324部分工藝條件對(duì)NiZn鐵氧體磁性能影響

燒結(jié)溫度Ts對(duì)μ′的影響Ts<1320℃時(shí)：磁導(dǎo)率μ′隨Ts的升高而升高原因：晶粒增大，晶界變?。淮呕援犚茷橹?。Ts>1320℃時(shí)：磁導(dǎo)率μ′隨Ts的增加而降低原因：異常晶粒生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202325部分工藝條件對(duì)NiZn鐵氧體磁性能影響

Ts=1320℃的SEMTs＝1250℃的SEM燒結(jié)溫度為1320℃時(shí)：晶粒大小不均勻，出現(xiàn)異常晶粒(20μm)燒結(jié)溫度為1250℃時(shí)：晶粒細(xì)小，較為均勻。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202326CuO摻雜對(duì)NiZn鐵氧體磁性能影響

CuO對(duì)起始磁導(dǎo)率μi的影響規(guī)律：隨CuO含量的增加鐵氧體的μi降低。原因：Cu2+傾向占據(jù)八面體(B)位，產(chǎn)生能級(jí)分裂，改變核外電子云分布，晶體點(diǎn)陣發(fā)生畸變，增加各向異性能。μi降低。μi與各向異性能關(guān)系：μi∝（λs－飽和磁致伸縮系數(shù)，σ－內(nèi)應(yīng)力）CuO對(duì)起始磁導(dǎo)率μi的影響實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202327CuO摻雜對(duì)NiZn鐵氧體磁性能影響

CuO對(duì)Ts的影響規(guī)律：隨著CuO含量的增加NiZn鐵氧體的燒結(jié)溫度Ts降低。原因：CuO的熔點(diǎn)較低，高溫?zé)Y(jié)過程中產(chǎn)生液相，促進(jìn)固相反應(yīng)的發(fā)生。CuO對(duì)Ts的影響實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202328CuO摻雜對(duì)NiZn鐵氧體磁性能影響

CuO對(duì)品質(zhì)因數(shù)Q的影響規(guī)律：摻有CuO的鐵氧體Q值普遍升高。原因：Ts的降低減少Zn揮發(fā)，從而Fe2+，提高電阻率，增加Q值。 另外CuO的增加沖淡了鐵氧體中Zn百分含量，也起到降低Zn的揮發(fā)的作用。CuO對(duì)品質(zhì)因數(shù)Q的影響實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202329MnCO3摻雜對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響

MnCO3含量對(duì)μi的影響現(xiàn)象：隨MnCO3含量的增加，NiCuZn鐵氧體的起始磁導(dǎo)率μi降低。MnCO3含量對(duì)μi的影響實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202330MnCO3摻雜對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響

含6wt％MnCO3的NiCuZn鐵氧體x衍射圖譜說明：未出現(xiàn)MnFe2O4的三強(qiáng)峰，鐵氧體為NiCuZn尖晶石結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202331MnCO3摻雜對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響

MnCO3含量對(duì)Q值的影響規(guī)律：頻率f低于1000KHz時(shí),Q值隨摻入量的增加而增加；f高于1000KHZ時(shí)，Q值隨摻入量的增加而減小。Q值升高原因：Mn2+的電離能介于Fe2+于Ni2+之間，抑制Fe2+及Ni3+的出現(xiàn)，提高電阻率ρ，增加Q值。MnCO3含量對(duì)Q值的影響實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202332MnCO3摻雜對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響

含1wt％MnCO3時(shí)SEM圖像含6wt％MnCO3時(shí)SEM圖像現(xiàn)象：隨MnCO3含量的增多，磁芯斷口晶粒粒徑分布不均勻，晶粒增大，晶界處氣孔增多。說明：根據(jù)H.Rikukawa提出的氣孔與晶粒邊界引起退磁場(chǎng)模型所導(dǎo)出的表現(xiàn)磁導(dǎo)率公式可知，當(dāng)氣孔只在晶界出現(xiàn)時(shí)，μi按(1-p)（p為氣孔率）減小。此結(jié)論與MnCO3含量對(duì)鐵氧體μi影響曲線相符。

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202333陶瓷復(fù)合對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響

以兩組NiCuZn鐵氧體為母體進(jìn)行復(fù)合，平行比較相同情況下各組分的磁性能，具體分組見下表：母體復(fù)合量0wt％5wt％10wt％15wt％20wt％25wt％NiCuZn－AA0A1A2A3A4A5NiCuZn－BB0B1B2B3B4B5實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202334陶瓷復(fù)合對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響

陶瓷含量對(duì)NiCuZn鐵氧體Q值(1MHz)的影響現(xiàn)象：B母體Q值隨著陶瓷含量的增加顯著增大；A母體Q值總體變化不大。說明：陶瓷材料為有選擇性的對(duì)某些配方NiCuZn鐵氧體Q值進(jìn)行改善。具體原因有待進(jìn)一步研究。陶瓷復(fù)合量對(duì)材料Q值影響實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202335陶瓷復(fù)合對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響

陶瓷材料對(duì)磁導(dǎo)率的影響現(xiàn)象：隨復(fù)合量的增加，μ′下降，μ″趨于平緩，截止頻率fr向高頻移動(dòng)。說明：在犧牲一定磁導(dǎo)率的情況下，復(fù)合陶瓷材料可大幅度提高截止頻率fr。

陶瓷對(duì)B母體的μ′的影響陶瓷對(duì)B母體μ″的影響實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202336陶瓷復(fù)合對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響陶瓷對(duì)A母體μ′的影響陶瓷對(duì)A母體μ”的影響對(duì)于A母體：有與B母體一致的現(xiàn)象，復(fù)合鐵氧體μ′下降，μ″平緩。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202337陶瓷復(fù)合對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響

陶瓷材料引起μ′下降的原因：

部分BaTiO3化學(xué)鍵斷裂，其中的Ba2+及Ti4+離子對(duì)NiCuZn尖晶石結(jié)構(gòu)中A、B位進(jìn)行替換，減小總原子磁矩，引起飽和磁化強(qiáng)度Ms減小，從而鐵氧體μ′下降。 Ti4+離子半徑大，改變晶場(chǎng)特性，增加各向異性能，降低μ′。具體解釋：

原子磁矩影響：母體NiCuZn為混合型尖晶石鐵氧體，各金屬離子占位情況為： A位B位 （Zn2+xFe3+1-x）[Ni2+1-x-yFe3+1+xCu2+y]O4

根據(jù)金屬離子占位傾向，BaTiO3材料的Ba2+進(jìn)入尖晶石的A位，Ti4+進(jìn)入尖晶石B位，對(duì)尖晶石原有離子替換。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202338陶瓷復(fù)合對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響

復(fù)合材料的原子磁矩位（設(shè)A位替代量為α，B位替代量為β）： M=|MB-MA| =(7.7x+2.3-5α-2.7β)μBμB為波爾磁子 由上式可知，陶瓷材料對(duì)A、B位的復(fù)合將減小原子總磁矩。 又因?yàn)椋?，飽和磁化?qiáng)度減小，μ′減小。磁晶各向異性影響：Ti4+離子半徑為0.69?比Fe3+離子半徑0.67?大，進(jìn)入B位后改變晶體的晶場(chǎng)特性，使磁晶各向異性K1更大，由于：μi∝1/K1，因此，磁導(dǎo)率降低。

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202339陶瓷復(fù)合對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響A組復(fù)合材料A2與A4的截止頻率比較B組復(fù)合材料B2與B4的截止頻率比較現(xiàn)象：A組復(fù)合材料磁導(dǎo)率下降，截止頻率未有提高；B組復(fù)合材料磁導(dǎo)率下降，截止頻率顯著提高。說明：對(duì)于不同母體鐵氧體，陶瓷材料的作用不完全相同。

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202340陶瓷復(fù)合對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響20wt%的陶瓷對(duì)不同鐵氧體μi值及fr的影響相近磁導(dǎo)率時(shí)復(fù)合量及fr的比較現(xiàn)象：相同復(fù)合量時(shí)，B組材料的μi下降多，截止頻率提高大；相近μi時(shí)，B組復(fù)合材料的截止頻率也遠(yuǎn)大于A組復(fù)合材料。進(jìn)一步證實(shí)：陶瓷復(fù)合對(duì)不同鐵氧體作用不同。對(duì)B母體的鐵氧體有改善高頻性能的作用，對(duì)A母體則可引起性能惡化。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202341陶瓷復(fù)合對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響陶瓷復(fù)合對(duì)鐵氧體介電常數(shù)ε

的影響現(xiàn)象：介電常數(shù)ε’隨復(fù)合量的增加而增大，1MHz附近時(shí)，復(fù)合量為25wt％的比0wt%大6～7倍。原因：鐵電材料與鐵磁材料復(fù)合時(shí)未發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，材料中鈦礦相與尖晶石相共存，保持各自特性。由于BaTiO3具有高介電常數(shù)，復(fù)合材料總體表現(xiàn)出介電常數(shù)升高。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202342陶瓷復(fù)合對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響

復(fù)合材料溫度特性現(xiàn)象：B組復(fù)合材料的起始磁導(dǎo)率（右上圖)隨溫度變化不大；A組復(fù)合材料在45℃后下降。復(fù)合材料的品質(zhì)因數(shù)隨溫度的變化（右下圖）不大。說明：A組材料的溫度特性稍遜于B組復(fù)合材料。B組復(fù)合材料在-55℃到+85℃具有較好的穩(wěn)定性。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202343陶瓷復(fù)合對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響

陶瓷材料粒度對(duì)復(fù)合材料的影響細(xì)顆粒的陶瓷材料對(duì)鐵氧體材料的磁性能的改善不如粗顆粒的陶瓷材料。具體原因有待進(jìn)一步研究。組分NiCuZn－BNiCuZn-A復(fù)合前μi260.85340.03陶瓷復(fù)合量20.00wt%20.00wt%陶瓷材料粒度200μm0.5μm200μm0.5μm復(fù)合后μi40.3578.0771.4789.64復(fù)合后fr(MHz)69.3150.5153.2639.51實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202344陶瓷復(fù)合對(duì)鐵氧體磁性能影響

復(fù)合材料的x衍射圖譜現(xiàn)象：鈣鈦礦結(jié)構(gòu)與尖晶石結(jié)構(gòu)共存，以尖晶石為擇優(yōu)主相。NiCuZn鐵氧體x-衍射圖BaTiO3x-衍射圖B5x-衍射圖實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202345陶瓷復(fù)合對(duì)鐵氧體磁性能影響B(tài)5x-衍射圖B3x-衍射圖

復(fù)合材料的x衍射圖譜現(xiàn)象：隨復(fù)合量增加，鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的峰值增強(qiáng)。說明：添加陶瓷量的多少可以改變材料結(jié)構(gòu)。如復(fù)合量超過一特定值，材料主相轉(zhuǎn)為以鈣鈦礦為主。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202346陶瓷復(fù)合對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響

復(fù)合材料的電鏡掃描圖現(xiàn)象：隨復(fù)合量的增加，材料晶粒變大，大小分布不均勻。有一定擇優(yōu)現(xiàn)象。原因：

Ba2+、Ti4+對(duì)尖晶石A、B位替換后，由于Ba2+-O2--、Ti4+-O2--鏈長(zhǎng)不一致，晶格常數(shù)改變，有晶面擇優(yōu)生長(zhǎng)。A5SEM圖A3SEM圖實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202347陶瓷復(fù)合對(duì)NiCuZn鐵氧體磁性能影響

復(fù)合材料的電鏡掃描圖現(xiàn)象：不同母體的復(fù)合材料，晶粒形狀不同。A復(fù)合材料晶粒為片狀，B材料晶粒中有條形晶體。原因：有待進(jìn)一步研究B5SEM圖A5SEM圖實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202348Bi3+對(duì)復(fù)合材料磁性能影響

Bi2O3對(duì)燒結(jié)溫度Ts的影響現(xiàn)象：Ts隨Bi2O3的增加而減小，2wt%后下降量減小，3wt%可在900℃燒熟。原因：Bi2O3熔點(diǎn)低，易形成低共熔化合物，通過液相傳質(zhì)促進(jìn)燒結(jié)。 Bi3+與其它離子形成另相化合物，阻礙晶粒的進(jìn)一步生長(zhǎng)，促進(jìn)燒結(jié)。B4的Ts隨不同Bi2O3含量的變化B4摻3wt%Bi2O3時(shí)不同Ts的磁導(dǎo)率實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202349

Bi2O3對(duì)磁導(dǎo)率的影響現(xiàn)象：材料μ’隨的增加減小，μ”趨于平坦。原因：Bi2O3阻礙了材料晶粒尺寸的長(zhǎng)大，晶粒尺寸變?。?～5nm），晶界面積增大，從而降低材料磁導(dǎo)率。不同Bi2O3含量對(duì)材料μ’的影響不同Bi2O3含量對(duì)材料μ”的影響實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論Bi3+對(duì)復(fù)合材料磁性能影響2/4/202350

Bi2O3對(duì)截止頻率的影響現(xiàn)象：fr隨含量的增加增加，當(dāng)含量達(dá)到3wt%時(shí)，fr>1.8GHz。原因：降低燒結(jié)溫度形成的多孔細(xì)晶粒結(jié)構(gòu)增大了有效各向異性場(chǎng)，提高fr。不同Bi2O3含量對(duì)截止頻率fr的影響B(tài)i3+對(duì)復(fù)合材料磁性能影響實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及討論2/4/202351

Bi2O