標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 28275-2012《硅基MEMS制造技術(shù) 氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范》是中國國家標(biāo)準(zhǔn)之一，旨在為采用氫氧化鉀（KOH）溶液進(jìn)行硅基微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）結(jié)構(gòu)加工時(shí)提供指導(dǎo)。該標(biāo)準(zhǔn)適用于以單晶硅作為基材的MEMS器件制造過程中涉及到的濕法刻蝕工藝，特別是當(dāng)需要利用各向異性腐蝕特性來形成特定幾何形狀或圖案時(shí)。

根據(jù)文檔內(nèi)容，其涵蓋了以下幾個(gè)方面：

  • 范圍：明確指出本標(biāo)準(zhǔn)適用的具體場景和技術(shù)條件。
  • 術(shù)語和定義：對關(guān)鍵概念如“各向異性腐蝕”、“掩模層”等給出了清晰定義。
  • 原理：介紹了氫氧化鉀溶液與硅材料之間化學(xué)反應(yīng)的基本原理，以及這種反應(yīng)如何導(dǎo)致不同晶面方向上的選擇性溶解。
  • 設(shè)備及材料要求：列出了執(zhí)行KOH腐蝕所需的主要設(shè)備、化學(xué)品及其規(guī)格要求，包括但不限于腐蝕槽、加熱裝置、純凈水、氫氧化鉀固體等。
  • 操作步驟：詳細(xì)描述了從準(zhǔn)備階段到實(shí)際腐蝕過程再到后續(xù)處理的一系列具體操作流程。這包括配制KOH溶液的方法、設(shè)定適當(dāng)?shù)臏囟扰c時(shí)間參數(shù)、確保均勻攪拌等內(nèi)容。
  • 安全注意事項(xiàng)：強(qiáng)調(diào)了在使用強(qiáng)堿性物質(zhì)如KOH時(shí)必須遵守的安全規(guī)則，比如佩戴防護(hù)眼鏡和手套、保持良好通風(fēng)等措施。
  • 質(zhì)量控制：提供了評估腐蝕效果的方法，通過檢查腐蝕深度、表面平整度等因素來判斷是否達(dá)到預(yù)期目標(biāo)，并給出了一些常見問題及其解決辦法。

這份文件對于從事相關(guān)領(lǐng)域研究開發(fā)的技術(shù)人員來說是非常有價(jià)值的參考資料，它不僅能夠幫助他們更好地理解并掌握KOH腐蝕技術(shù)的應(yīng)用方法，還能夠在一定程度上保證實(shí)驗(yàn)結(jié)果的一致性和可靠性。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2012-05-11 頒布
  • 2012-12-01 實(shí)施
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GB/T 28275-2012硅基MEMS制造技術(shù)氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范_第1頁
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文檔簡介

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T28275—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

SpecificationforKOHetchprocess

2012-05-11發(fā)布2012-12-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

硅基MEMS制造技術(shù)

氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范

GB/T28275—2012

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

/p>

年月第一版

201210

*

書號

:155066·1-45572

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T28275—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所重慶大學(xué)東南大學(xué)中國電子科技集

:、、、

團(tuán)第四十九研究所中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人夏偉鋒熊斌馮飛戈肖鴻周再發(fā)李玉玲賀學(xué)鋒田雷劉偉

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T28275—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用氫氧化鉀腐蝕工藝進(jìn)行器件加工時(shí)應(yīng)遵循的工藝要求

MEMS。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于氫氧化鉀腐蝕工藝和管理

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語

GB/T26111—2010(MEMS)

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法表面粗糙度參數(shù)及其數(shù)值

GB/T1031—2009(GPS)

潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范

GB50073—2001

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T26111—2010。

31

.

潔凈度cleanliness

以單位體積空氣某粒徑粒子的數(shù)量來區(qū)分的潔凈程度

。

32

.

潔凈室cleanroom

空氣懸浮粒子濃度受控的房間它的建造和使用應(yīng)減少室內(nèi)誘入產(chǎn)生及滯留粒子室內(nèi)其他有

。、。

關(guān)參數(shù)如溫度濕度壓力等按要求進(jìn)行控制

、、。

33

.

濕法刻蝕wetetching

利用與待刻材料可產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的溶液對薄膜或器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)

。

注在進(jìn)行濕法刻蝕時(shí)將不需要腐蝕的一部分掩模暴露其余的部分然后將材料浸入反應(yīng)溶液中可分為各向

:,,,。

同性刻蝕和各向異性刻蝕

。

定義

[GB/T26111—2010,3.5.17]

34

.

腐蝕劑escharotic

有腐

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