標準解讀

《GB/T 2900.32-1994 電工術語 電力半導體器件》相較于《GB 2900.32-1982》進行了多方面的調(diào)整和更新，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

首先，在標準的性質(zhì)上，《GB 2900.32-1994》從強制性國家標準（GB）轉(zhuǎn)變?yōu)橥扑]性國家標準（GB/T），這表明了標準適用范圍的變化，即由原先要求必須遵守轉(zhuǎn)為建議采用。

其次，在內(nèi)容上，《GB/T 2900.32-1994》增加了許多新的術語定義。隨著電力半導體技術的發(fā)展，新型器件不斷涌現(xiàn)，如IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、MOSFET（金屬氧化物場效應晶體管）等更先進的元件被納入其中，并給予了明確的專業(yè)解釋。

再者，對于原有術語，《GB/T 2900.32-1994》也做了部分修訂和完善。例如，某些舊版中可能存在的模糊不清或過時表述得到了澄清與更新，使得整個文檔更加符合當時的技術水平及行業(yè)需求。

此外，《GB/T 2900.32-1994》還對一些基本概念進行了重新分類整理，使其結(jié)構(gòu)更為合理、邏輯更加清晰。通過這種方式，不僅方便了讀者查閱相關信息，也有利于促進相關領域內(nèi)知識的傳播與交流。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1994-05-16 頒布
  • 1995-01-01 實施
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文檔簡介

9DS621382.213：001.4K04中華人民共和國國家標準GB/T2900.32-94電工術語電力半導體器件ElectrotechnicalterminologyPowersemiconductordevice1994-05-16發(fā)布1995-01-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準GB/T2900.32-94電工術語電力半導體器件Electrotechnicalterminology代替GB2900.32-82Powersemiconductordevice本標準參照采用了國際電工委員會（IEC）出版物747《半導體器件》和出版物50（521）《國際電工詞匯半導體器件和集成電路》中有關整流管、品體管、晶閘管及其通用的術語。主題內(nèi)容與適用范圍本標準規(guī)定了電力半導體器件的專用術語，本標準適用于制訂標準、編訂技術文件、編寫和翻譯專業(yè)手冊、教材及書刊。基礎術語2.1物物理學名詞2.1.1半導體：semiconductor一種電阻率通常在金屬和絕緣體之間，并在一定溫度范圍內(nèi)載流子濃度隨溫度升高而增加的物質(zhì)。2.1.2本征半導體intrinsicsemiconductor；I-型半導體I-typesemiconductor一種在熱平衡下傳導電子和可動空穴密度幾乎相等的高純半導體或完全相等的理想半導體。2.1.3非本征半導體extrinsicsemiconductor一種載流子濃度取決于雜質(zhì)或其他缺陷的半導體。2.1.4N型半導體N-typesemiconductor電子型半導體electronsemiconductor一種在熱平衡下傳導電子密度顯著大于可動空穴密度的非本征半導體。2.1.5P型半導體P-typesemiconductori空穴型半導體holesemiconductor一種在熱平衡下可動空穴密度顯著大于傳導電子密度的非本征半導體。2.1.6結(jié)iunction在半導體中或金屬與半導體之間,具有不同電特性兩區(qū)域之間的過渡區(qū)域。2.1.7PN結(jié)PNjunction半導體P型區(qū)和N型區(qū)之間的結(jié)。2.1.8合金結(jié)alloyediunction由由一種或幾種金屬材料與半導體品體合金化形成的結(jié)。2.1.9擴散結(jié)diffusediunction由雜質(zhì)擴散進入半導體品體內(nèi)形成的結(jié)。2.1.10生長結(jié)grownjunction由熔融態(tài)半導體生長晶體形成的結(jié).2.1.11外延結(jié)epitaxyjunctio

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