GB/T 29844-2013用于先進(jìn)集成電路光刻工藝綜合評(píng)估的圖形規(guī)范

ICS31030

L90.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29844—2013

用于先進(jìn)集成電路光刻工藝綜合

評(píng)估的圖形規(guī)范

Specificationsformetrologypatternsforthe

evaluationofadvancedphotolithgraphy

2013-11-12發(fā)布2014-04-15實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

用于先進(jìn)集成電路光刻工藝綜合

評(píng)估的圖形規(guī)范

GB/T29844—2013

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

/p>

年月第一版

20141

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-47943

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T29844—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位上海華虹電子有限公司

:NEC。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人王雷伍強(qiáng)朱駿陳寶欽

:、、、。

Ⅰ

GB/T29844—2013

用于先進(jìn)集成電路光刻工藝綜合

評(píng)估的圖形規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用于先進(jìn)集成電路光刻工藝綜合評(píng)估的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試圖形單元的形狀一般尺寸以及推

、,

薦的布局和設(shè)計(jì)規(guī)則這些標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試圖形包括可供光學(xué)顯微鏡和掃描電子顯微鏡用的各種圖形單元

,。

本標(biāo)準(zhǔn)適用集成電路的工藝常規(guī)掩模版光致抗蝕劑和光刻機(jī)的特征和能力作出評(píng)價(jià)及交替移相

、、

掩模版相位測(cè)量適用于線線等波長(zhǎng)的光刻設(shè)備及相應(yīng)的光刻工藝

,g、i、KrF、ArF。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

用于集成電路制造技術(shù)的檢測(cè)圖形單元規(guī)范

GB/T16878—1997

微電子學(xué)光掩蔽技術(shù)術(shù)語(yǔ)

SJ/T10584—1994

3術(shù)語(yǔ)和定義

和界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T16878—1997SJ/T10584—1994。

31

.

掩模版誤差因子maskerrorfactorMEF

;

把掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上時(shí)硅片上圖形線寬對(duì)掩模版線寬的偏導(dǎo)數(shù)

,。

注影響掩模版誤差因子的因素有曝光條件光刻膠性能光刻機(jī)透鏡像差后烘溫度等對(duì)遠(yuǎn)大于曝光波長(zhǎng)的圖

:、、、。

形掩模版誤差因子通常非常接近對(duì)接近或者小于波長(zhǎng)的圖形掩模版誤差因子會(huì)顯著增加而使用交替

,1。,。

相移掩模版的線條光刻可以產(chǎn)生顯著小于的掩模板誤差因子在光學(xué)鄰近效應(yīng)校正中細(xì)小補(bǔ)償結(jié)構(gòu)附近會(huì)

1。

顯著小于

1。

32

.

移相掩模版phaseshiftmask

在光刻掩模的不同區(qū)域上制作出特定的光學(xué)厚度使得光透過(guò)不同區(qū)域產(chǎn)生相位差以達(dá)到提高成

,,

像對(duì)比度和光刻工藝窗口的掩模版

。

33

.

離軸照明off-axisillumination

為進(jìn)一步提高投影光刻機(jī)的光刻分辨率讓照明光束以偏離透鏡對(duì)稱軸方向斜入射的照明方法

,。

34

.

光酸分子有效擴(kuò)散長(zhǎng)度effectivediffusionlengthofphoto-generatedacid

化學(xué)放大光致抗蝕劑在曝光后的烘烤過(guò)程中光酸分子在光致抗蝕劑聚合物中的隨機(jī)擴(kuò)散形成的擴(kuò)

散長(zhǎng)度

。

35

.

交替移相掩模版alternatingphaseshiftingmask

由常規(guī)的透光區(qū)和能使光產(chǎn)生