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文檔簡介
11,旋轉(zhuǎn)磁場的產(chǎn)生:三相定子繞組在空間相差1200,通以三相電流時間上差1200電角度。三相電流合成磁場隨時間變化,在空間形成旋轉(zhuǎn)磁場。12,旋轉(zhuǎn)磁場的旋轉(zhuǎn)方向取決于三相電流的相序,任意調(diào)換兩根電源進(jìn)線,則旋轉(zhuǎn)磁場反轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)磁場轉(zhuǎn)速n0與頻率f1和極對數(shù)p有關(guān)。13,一臺三相異步電動機(jī),其額定轉(zhuǎn)速
n=735r/min,電源頻率f1=50Hz。試求電動機(jī)的極對數(shù)和額定負(fù)載下的轉(zhuǎn)差率。
14,在N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是(
),少數(shù)載流子是(
)。在P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是(
),少數(shù)載流子是(
)。15,PN結(jié)加正向電壓時,PN結(jié)(
),正向電流較大,正向電阻較小,PN結(jié)處于(
)狀態(tài);PN結(jié)加反向電壓時,PN結(jié)(
),反向電流較小,反向電阻較大,PN結(jié)處于(
)狀態(tài)。(A)不變(B)導(dǎo)通(C)變寬(D)截止(E)變窄
16,有兩個晶體管分別接在電路中,它們管腳的電位(對“地”)分別見下表:晶體管I晶體管Ⅱ試判別管子的三個管腳,并說明是硅管還是鍺管?是NPN型還是PNP型?管腳123電位/V43.49管腳123電位/V-6-2.3-2
19,請簡述親身經(jīng)歷的或通過傳媒知道的觸電事故,說明產(chǎn)生觸電事故的原因。請簡述用電安全,事故防范的措施。18,回答:中性點接地系統(tǒng)中
(1)不允許采用保護(hù)接地,只能采用保護(hù)接零;
(2)不準(zhǔn)保護(hù)接地和保護(hù)接零同時使用。17,我國常用36V、24V為安全供電電壓,這樣流過人體的電流小于50mA。over儀表及自動化
Thankyou!
4.4晶閘管(Silicon
ControlledRectifier)
晶閘管是在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種大功率半導(dǎo)體器件。它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。
晶閘管也像半導(dǎo)體二極管那樣具有單向?qū)щ娦?,但它的?dǎo)通時間是可控的,主要用于整流、逆變、調(diào)壓及開關(guān)等方面。優(yōu)點:
體積小、重量輕、效率高、動作迅速、維修簡單、操作方便、壽命長、容量大(正向平均電流達(dá)千安、正向耐壓達(dá)數(shù)千伏)。G控制極4.4.1基本結(jié)構(gòu)K陰極G陽極
AP1P2N1N2四層半導(dǎo)體
晶閘管是具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu),其外形、結(jié)構(gòu)及符號如圖。(c)結(jié)構(gòu)KGA(b)符號(a)外形晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)及符號三個
PN
結(jié)P1P2N1N2K
GA晶閘管相當(dāng)于PNP和NPN型兩個晶體管的組合+KA
T2T1_P2N1N2IGIAP1N1P2IKGPPNNNPAGKT1T24.4.2工作原理A
在極短時間內(nèi)使兩個三極管均飽和導(dǎo)通,此過程稱觸發(fā)導(dǎo)通。形成正反饋過程KGEA>0、EG>0EGEA+_R
晶閘管導(dǎo)通后,去掉EG
,依靠正反饋,仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。4.4.2
工作原理GEA>0、EG>0KEA+_RT1T2EGA形成正反饋過程晶閘管導(dǎo)通的條件:1.晶閘管陽極電路(陽極與陰極之間)施加正向電壓。
2.晶閘管控制電路(控制極與陰極之間)加正向電壓或正向脈沖(正向觸發(fā)電壓)。
晶閘管導(dǎo)通后,控制極便失去作用。
依靠正反饋,晶閘管仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管關(guān)斷的條件:
1.必須使可控硅陽極電流減小,直到正反饋效應(yīng)不能維持。
2.將陽極電源斷開或者在晶閘管的陽極和陰極間加反相電壓。正向特性反向特性URRMUFRMIG2>IG1>IG0UBRIFUBO正向轉(zhuǎn)折電壓IHoUIIG0IG1IG2+_+_反向轉(zhuǎn)折電壓正向平均電流維持電流U4.4.3伏安特性4.4.4主要參數(shù)UFRM:正向重復(fù)峰值電壓(晶閘管耐壓值)晶閘管控制極開路且正向阻斷情況下,允許重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓。一般取UFRM
=80%UB0
。普通晶閘管UFRM
為100V—3000V反向重復(fù)峰值電壓控制極開路時,允許重復(fù)作用在晶閘管元件上的反向峰值電壓。一般取URRM
=80%UBR
普通晶閘管URRM為100V—3000VURRM:正向平均電流環(huán)境溫度為40C及標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,晶閘管處于全導(dǎo)通時可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。
IF:IFt2如果正弦半波電流的最大值為Im,則普通晶閘管IF為1A—1000A。UF:
通態(tài)平均電壓(管壓降)在規(guī)定的條件下,通過正弦半波平均電流時,晶閘管陽、陰極間的電壓平均值。一般為1V左右。IH:
維持電流在規(guī)定的環(huán)境和控制極斷路時,晶閘管維持導(dǎo)通狀態(tài)所必須的最小電流。一般IH為幾十~一百多毫安。UG、IG:控制極觸發(fā)電壓和電流室溫下,陽極電壓為直流6V時,使晶閘管完全導(dǎo)通所必須的最小控制極直流電壓、電流。一般UG為1到5V,IG為幾十到幾百毫安。晶閘管型號及其含義導(dǎo)通時平均電壓組別共九級,用字母A~I表示0.4~1.2V額定電壓,用百位或千位數(shù)表示取UFRM或URRM較小者額定正向平均電流(IF)(晶閘管類型)P--普通晶閘管K--快速晶閘管S--雙向晶閘管
晶閘管KP普通型如KP5-7表示額定正向平均電流為5A,額定電壓為700V。4.4.2
可控整流電路4.2.2.1單相半波可控整流
1.電阻性負(fù)載(1)
電路
u
>0時:若ug=0,晶閘管不導(dǎo)通,u
<0時:
晶閘管承受反向電壓不導(dǎo)通,
uo=0,uT=u,故稱可控整流??刂茦O加觸發(fā)信號,晶閘管承受正向電壓導(dǎo)通,uuoRL+–+uT+––Tio(2)工作原理t12u
<
0時:
可控硅承受反向電壓不導(dǎo)通即:晶閘管反向阻斷
加觸發(fā)信號,晶閘管承受正向電壓導(dǎo)通tOu
>0時:tOtO
接電阻負(fù)載時單相半波可控整流電路電壓、電流波形控制角t1tOtOt22tO導(dǎo)通角(3)工作波形(4)整流輸出電壓及電流的平均值由公式可知:改變控制角,可改變輸出電壓Uo。2.電感性負(fù)載與續(xù)流二極管(1)電路
當(dāng)電壓u過零后,由于電感反電動勢的存在,晶閘管在一段時間內(nèi)仍維持導(dǎo)通,失去單向?qū)щ娮饔?。uuoR+–+uT+––T?LeL?
在電感性負(fù)載中,當(dāng)晶閘管剛觸發(fā)導(dǎo)通時,電感元件上產(chǎn)生阻礙電流變化的感應(yīng)電勢(極性如圖),電流不能躍變,將由零逐漸上升(見波形)。tOtOtOt1tOt22
2)工作波形(未加續(xù)流二極管)uuoR+–+uT+––LTioDiou>0時:
D反向截止,不影響整流電路工作。u
<0時:
D正向?qū)?晶閘管承受反向電壓關(guān)斷,電感元件L釋放能量形成的電流經(jīng)D構(gòu)成回路(續(xù)流),負(fù)載電壓uo波形與電阻性負(fù)載相同(見波形圖)。3.電感性負(fù)載(加續(xù)流二極管)+–(1)電路(3)工作波形(加續(xù)流二極管)iLttOtO2tO4.4.2.2單相半控橋式整流電路1.
電路2.
工作原理T1和D2承受正向電壓。T1控制極加觸發(fā)電壓,則T1和D2導(dǎo)通,電流的通路為T1、T2晶閘管D1、D2晶體管aRLD2T1b(1)電壓u
為正半周時io+–+–T1T2RLuoD1D2au+–b此時,T2和D1均承受反向電壓而截止。io+–+–T1T2RLuoD1D2au+–b
T2和D1承受正向電壓。T2控制極加觸發(fā)電壓,則T2和D1導(dǎo)通,電流的通路為(2)電壓u
為負(fù)半周時bRLD1T2a此時,T1和D2均承受反向電壓而截止。ttOtO3.工作波形2tO4.輸出電壓及電
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