GB/T 30867-2014碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30867—2014

碳化硅單晶片厚度和總厚度

變化測試方法

Testmethodformeasuringthicknessandtotalthicknessvariationof

monocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-07-24發(fā)布2015-02-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

碳化硅單晶片厚度和總厚度

變化測試方法

GB/T30867—2014

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20149

*

書號(hào)

:155066·1-49958

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T30867—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)及材料分技術(shù)委員會(huì)

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人丁麗周智慧郝建民藺嫻何秀坤劉筠馮亞彬裴會(huì)川

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30867—2014

碳化硅單晶片厚度和總厚度

變化測試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶片厚度及總厚度變化的測試方法包括接觸式和非接觸式兩種

(TTV),

方式

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑不小于厚度為的碳化硅單晶片

30mm、0.13mm~1mm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級(jí)

GB/T25915.1—20101:

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

41接觸式測量

.

接觸式測量采用五點(diǎn)法在碳化硅單晶片中心點(diǎn)和距碳化硅單晶片邊緣D的圓周上個(gè)對(duì)稱

。/104

點(diǎn)位置測量碳化硅單晶片厚度如圖所示單晶片中心點(diǎn)厚度為標(biāo)稱厚度個(gè)厚度測量值中的最大

,1。,5

值和最小值的差值為碳化硅單晶片的總厚度變化

。

說明圖中D為碳化硅單晶片直徑

:。