標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 30867-2014 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法》這一國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了用于測(cè)量碳化硅單晶片厚度及其總厚度變化的方法。標(biāo)準(zhǔn)適用于各種尺寸的碳化硅單晶片，旨在提供一致性和可重復(fù)性的測(cè)試結(jié)果。

該標(biāo)準(zhǔn)首先明確了術(shù)語(yǔ)定義，比如“厚度”指從一片碳化硅單晶片的一側(cè)表面到另一側(cè)表面之間最短的距離；而“總厚度變化”則表示在同一片樣品上不同位置測(cè)量得到的最大與最小厚度值之間的差異。通過(guò)這些定義，確保了行業(yè)內(nèi)對(duì)于相關(guān)概念理解的一致性。

接下來(lái)，《GB/T 30867-2014》描述了幾種可用于測(cè)定碳化硅單晶片厚度及總厚度變化的具體技術(shù)手段，包括但不限于接觸式測(cè)厚儀、非接觸式光學(xué)干涉法等。每種方法都有其適用范圍、操作步驟以及對(duì)設(shè)備的要求。例如，在使用接觸式測(cè)厚儀時(shí)，需要保證探針與樣品表面垂直接觸，并且在多個(gè)點(diǎn)位進(jìn)行重復(fù)測(cè)量以提高數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性；而非接觸式的光學(xué)干涉法則利用光波長(zhǎng)變化來(lái)間接計(jì)算物體厚度，這種方法特別適合于超薄或易碎材料的無(wú)損檢測(cè)。

此外，本標(biāo)準(zhǔn)還強(qiáng)調(diào)了實(shí)驗(yàn)條件的重要性，如溫度控制、環(huán)境濕度等因素都可能影響最終的測(cè)量結(jié)果。因此，在實(shí)際操作過(guò)程中應(yīng)嚴(yán)格按照規(guī)范要求調(diào)整實(shí)驗(yàn)室內(nèi)的各項(xiàng)參數(shù)，確保測(cè)試環(huán)境符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。


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  • 2015-02-01 實(shí)施
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GB/T 30867-2014碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H83.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30867—2014

碳化硅單晶片厚度和總厚度

變化測(cè)試方法

Testmethodformeasuringthicknessandtotalthicknessvariationof

monocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-07-24發(fā)布2015-02-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

碳化硅單晶片厚度和總厚度

變化測(cè)試方法

GB/T30867—2014

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20149

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-49958

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

GB/T30867—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)及材料分技術(shù)委員會(huì)

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人丁麗周智慧郝建民藺嫻何秀坤劉筠馮亞彬裴會(huì)川

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30867—2014

碳化硅單晶片厚度和總厚度

變化測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶片厚度及總厚度變化的測(cè)試方法包括接觸式和非接觸式兩種

(TTV),

方式

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑不小于厚度為的碳化硅單晶片

30mm、0.13mm~1mm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級(jí)

GB/T25915.1—20101:

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

41接觸式測(cè)量

.

接觸式測(cè)量采用五點(diǎn)法在碳化硅單晶片中心點(diǎn)和距碳化硅單晶片邊緣D的圓周上個(gè)對(duì)稱(chēng)

。/104

點(diǎn)位置測(cè)量碳化硅單晶片厚度如圖所示單晶片中心點(diǎn)厚度為標(biāo)稱(chēng)厚度個(gè)厚度測(cè)量值中的最大

,1。,5

值和最小值的差值為碳化硅單晶片的總厚度變化

。

說(shuō)明圖中D為碳化硅單晶片直徑

:。

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