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  • 2014-07-24 頒布
  • 2015-02-01 實施
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GB/T 30868-2014碳化硅單晶片微管密度的測定化學腐蝕法_第1頁
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GB/T 30868-2014碳化硅單晶片微管密度的測定化學腐蝕法_第3頁
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文檔簡介

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標準

GB/T30868—2014

碳化硅單晶片微管密度的測定

化學腐蝕法

Testmethodformeasuringmicropipedensityofmonocrystallinesilicon

carbidewafers—Chemicallyetching

2014-07-24發(fā)布2015-02-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

碳化硅單晶片微管密度的測定

化學腐蝕法

GB/T30868—2014

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20149

*

書號

:155066·1-49957

版權專有侵權必究

GB/T30868—2014

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會及材料分技術委員會

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標準起草單位中國電子科技集團公司第四十六研究所中國電子技術標準化研究院

:、。

本標準主要起草人丁麗周智慧郝建民藺嫻何秀坤劉筠馮亞彬裴會川

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30868—2014

碳化硅單晶片微管密度的測定

化學腐蝕法

1范圍

本標準規(guī)定了利用熔融氫氧化鉀腐蝕法測定碳化硅單晶微管密度的方法

。

本標準適用于碳化硅單晶微管密度的測定

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用標準其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法原理

采用擇優(yōu)化學腐蝕技術顯示微管缺陷用光學顯微鏡或其他儀器如掃描電子顯微鏡觀察碳化硅

,()

單晶表面的微管計算單位面積上微管的個數即得到微管密度

,,。

5試劑和材料

本方法需要下列試劑和材料

:

氫氧化鉀優(yōu)級純

a)(KOH):;

硅溶膠小于

b):150nm;

去離子水電阻率大于

c):2MΩ·cm。

6儀器設備

本方法需要下列儀器和設備

:

光學顯微鏡或其他儀器放大倍數為倍

a):20~500;

鎳坩堝直徑Φ

b):60mm~150mm;

控溫加熱器可加溫到以上

c):800℃。

7試樣制備

71拋光

.

711將切割好的厚度適當的完整的碳化硅單晶片用粒徑小于

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