- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2014-07-24 頒布
- 2015-02-01 實施
文檔簡介
ICS77040
H21.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T30869—2014
太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化
測試方法
Testmethodforthicknessandtotalthickness
variationofsiliconwafersforsolarcell
2014-07-24發(fā)布2015-02-01實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T30869—2014
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會及材料分技術(shù)委員會
(SAC/TC203)(SAC/TC
共同提出并歸口
203/SC2)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位東方電氣集團峨嵋半導(dǎo)體材料有限公司有研半導(dǎo)體材料股份有限公司樂山新
:、、
天源太陽能科技有限公司青洋電子材料有限公司
、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人何紫軍馮地直程宇黎陽陳琳荊旭華劉卓
:、、、、、、。
Ⅰ
GB/T30869—2014
太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化
測試方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用硅片以下簡稱硅片厚度及總厚度變化的分立式和掃描式測量方法
()。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于符合規(guī)定尺寸的硅片的厚度及總厚度變化的測量分立
GB/T26071、GB/T29055,
式測量方法適用于接觸式及非接觸式測量掃描式測量方法只適用于非接觸式測量在測量儀器準(zhǔn)許
,。
的情況下本標(biāo)準(zhǔn)也可用于其他規(guī)格硅片的厚度及總厚度變化的測量
,。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
太陽能電池用硅單晶切割片
GB/T26071
太陽電池用多晶硅片
GB/T29055
3方法提要
31分立點式測量
.
在硅片對角線交點和對角線上距兩邊的個對稱位置點測量硅片厚度見圖硅片中
15mm4(1)。
心點厚度作為硅片的標(biāo)稱厚度個厚度測量值中的最大厚度與最小厚度的差值稱作硅片的總厚度
。5
變化
。
圖1分立點式測量的測量點位置
32掃描式測量
.
硅片置于平臺上在硅片中心點進行厚度測量測量值為硅片的標(biāo)稱厚度然后從點開始按
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