GB/T 32280-2022硅片翹曲度和彎曲度的測試自動非接觸掃描法

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標準

GB/T32280—2022

代替GB/T32280—2015

硅片翹曲度和彎曲度的測試

自動非接觸掃描法

Testmethodforwarpandbowofsiliconwafers—

Automatednon-contactscanningmethod

2022-03-09發(fā)布2022-10-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

硅片翹曲度和彎曲度的測試

自動非接觸掃描法

GB/T32280—2022

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20223

*

書號

:155066·1-69770

版權專有侵權必究

GB/T32280—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅片翹曲度測試自動非接觸掃描法與相

GB/T32280—2015《》,GB/T32280—2015

比除結構調整和編輯性改動外主要技術變化如下

,,:

更改了范圍見第章年版的第章

a)(1,20151);

增加了彎曲度的相關內(nèi)容見第章第章第章第章第章

b)“”(1、4、6、9、10);

增加了術語參考片見

c)“”(3.2);

增加了的探頭傳感器尺寸見

d)2mm×2mm(7.3);

刪除了校準用參考片見年版的

e)(20158.2)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位有研半導體硅材料股份公司山東有研半導體材料有限公司合肥中南光電有限

:、、

公司浙江金瑞泓科技股份有限公司洛陽鴻泰半導體有限公司浙江海納半導體有限公司上海合晶硅

、、、、

材料股份有限公司開化縣檢驗檢測研究院天津中環(huán)領先材料技術有限公司義烏力邁新材料有限公

、、、

司有色金屬技術經(jīng)濟研究院有限責任公司

、。

本文件主要起草人孫燕蔡麗艷賀東江李素青王可勝徐新華張海英王振國潘金平曹雁

:、、、、、、、、、、

樓春蘭張雪囡皮坤林

、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2015,。

Ⅰ

GB/T32280—2022

硅片翹曲度和彎曲度的測試

自動非接觸掃描法

1范圍

本文件描述了利用兩個探頭在硅片表面自動非接觸掃描測試硅片的翹曲度和彎曲度的方法

。

本文件適用于直徑不小于厚度不小于的潔凈干燥的硅片包括切割研磨腐蝕

50mm,100μm、,、、、

拋光外延刻蝕或其他表面狀態(tài)的硅片也可用于砷化鎵碳化硅藍寶石等其他半導體晶片翹曲度和

、、,、、

彎曲度的測試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

硅片彎曲度測試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

半導體材料術語

GB/T14264

確定晶片坐標系規(guī)范

GB/T16596

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

典型片representativewafer

利用翻轉的方法進行重力校正的與被測晶片具有相同的標稱直徑標稱厚度基準結構和結晶取向

、、

的代表性晶片

。

32

.

參考片referencewafer

用以確定是否符合測試設備操作說明中重復性要求的標有翹曲度和彎曲度參數(shù)值的晶片

。

注參數(shù)值是使用測試設備通過大量重復測試獲得的平均值或者是基于設備重復性研究的統(tǒng)計值