標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 32280-2022 硅片翹曲度和彎曲度的測試 自動非接觸掃描法》與《GB/T 32280-2015 硅片翹曲度測試 自動非接觸掃描法》相比，在內(nèi)容上進行了若干調(diào)整和補充，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)名稱的變化：從“硅片翹曲度測試”更改為“硅片翹曲度和彎曲度的測試”，增加了對硅片彎曲度測量的要求，這表明新版標(biāo)準(zhǔn)不僅關(guān)注于硅片表面形態(tài)的平面外變形（即翹曲），同時也強調(diào)了沿硅片中心軸方向發(fā)生的變形（即彎曲）。

  2. 測試方法的擴展：除了原有的針對翹曲度的自動非接觸掃描技術(shù)外，新版本還引入了適用于彎曲度檢測的方法。這意味著現(xiàn)在可以使用同一套設(shè)備或流程來同時獲取兩種關(guān)鍵參數(shù)信息，從而為用戶提供更加全面的數(shù)據(jù)支持。

  3. 參數(shù)定義及計算公式的更新：對于某些特定條件下如何準(zhǔn)確地定義并量化硅片的翹曲度與彎曲度給出了更為詳細(xì)的規(guī)定，并可能修訂了部分計算公式以確保結(jié)果的一致性和準(zhǔn)確性。

  4. 測量條件與環(huán)境要求的細(xì)化：為了保證不同實驗室之間測試結(jié)果的可比性，《GB/T 32280-2022》可能加強了對實驗環(huán)境（如溫度、濕度等）以及樣品準(zhǔn)備階段的具體指導(dǎo)，明確了最佳實踐指南。

  5. 數(shù)據(jù)處理與報告格式：新版標(biāo)準(zhǔn)或許改進了數(shù)據(jù)記錄方式及最終報告的形式，使其更加符合當(dāng)前工業(yè)界的需求，便于用戶理解和應(yīng)用測試成果。

  6. 術(shù)語和定義部分的增補：隨著行業(yè)技術(shù)的發(fā)展，一些新的專業(yè)詞匯被納入到標(biāo)準(zhǔn)之中，有助于統(tǒng)一行業(yè)內(nèi)對于相關(guān)概念的理解。

這些變化反映了我國在半導(dǎo)體材料檢測領(lǐng)域技術(shù)水平的進步以及對產(chǎn)品質(zhì)量控制要求的提高。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2022-03-09 頒布
  • 2022-10-01 實施
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文檔簡介

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32280—2022

代替GB/T32280—2015

硅片翹曲度和彎曲度的測試

自動非接觸掃描法

Testmethodforwarpandbowofsiliconwafers—

Automatednon-contactscanningmethod

2022-03-09發(fā)布2022-10-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

硅片翹曲度和彎曲度的測試

自動非接觸掃描法

GB/T32280—2022

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20223

*

書號

:155066·1-69770

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T32280—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅片翹曲度測試自動非接觸掃描法與相

GB/T32280—2015《》,GB/T32280—2015

比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動外主要技術(shù)變化如下

,,:

更改了范圍見第章年版的第章

a)(1,20151);

增加了彎曲度的相關(guān)內(nèi)容見第章第章第章第章第章

b)“”(1、4、6、9、10);

增加了術(shù)語參考片見

c)“”(3.2);

增加了的探頭傳感器尺寸見

d)2mm×2mm(7.3);

刪除了校準(zhǔn)用參考片見年版的

e)(20158.2)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位有研半導(dǎo)體硅材料股份公司山東有研半導(dǎo)體材料有限公司合肥中南光電有限

:、、

公司浙江金瑞泓科技股份有限公司洛陽鴻泰半導(dǎo)體有限公司浙江海納半導(dǎo)體有限公司上海合晶硅

、、、、

材料股份有限公司開化縣檢驗檢測研究院天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司義烏力邁新材料有限公

、、、

司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院有限責(zé)任公司

、。

本文件主要起草人孫燕蔡麗艷賀東江李素青王可勝徐新華張海英王振國潘金平曹雁

:、、、、、、、、、、

樓春蘭張雪囡皮坤林

、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2015,。

Ⅰ

GB/T32280—2022

硅片翹曲度和彎曲度的測試

自動非接觸掃描法

1范圍

本文件描述了利用兩個探頭在硅片表面自動非接觸掃描測試硅片的翹曲度和彎曲度的方法

。

本文件適用于直徑不小于厚度不小于的潔凈干燥的硅片包括切割研磨腐蝕

50mm,100μm、,、、、

拋光外延刻蝕或其他表面狀態(tài)的硅片也可用于砷化鎵碳化硅藍(lán)寶石等其他半導(dǎo)體晶片翹曲度和

、、,、、

彎曲度的測試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

硅片彎曲度測試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范

GB/T16596

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

典型片representativewafer

利用翻轉(zhuǎn)的方法進行重力校正的與被測晶片具有相同的標(biāo)稱直徑標(biāo)稱厚度基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和結(jié)晶取向

、、

的代表性晶片

。

32

.

參考片referencewafer

用以確定是否符合測試設(shè)備操作說明中重復(fù)性要求的標(biāo)有翹曲度和彎曲度參數(shù)值的晶片

。

注參數(shù)值是使用測試設(shè)備通過大量重復(fù)測試獲得的平均值或者是基于設(shè)備重復(fù)性研究的統(tǒng)計值

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