圖像傳感器資料

1光電式帶材跑偏檢測(cè)器

光電傳感器

帶材走偏時(shí)，邊緣經(jīng)常與傳送機(jī)械發(fā)生碰撞，易出現(xiàn)卷邊，造成廢品。

當(dāng)帶材處于正確位置（中間位置）時(shí)，放大器輸出電壓Uo為零；當(dāng)帶材左偏時(shí)，遮光面積減小，輸出電壓反映了帶材跑偏的方向及大小。

光電傳感器的物理效應(yīng)分類光電傳感器光熱效應(yīng)光子效應(yīng)外光電效應(yīng)

內(nèi)光電效應(yīng)

光電發(fā)射效應(yīng)光電管、光電倍增管光電導(dǎo)光敏電阻、光導(dǎo)管光生伏特光電池、光電二極管測(cè)輻射熱熱敏電阻、測(cè)輻射熱計(jì)溫差電

熱電，熱電堆熱釋電熱釋電探測(cè)器金屬或半導(dǎo)體受光照時(shí)，如果入射的光子能量hν足夠大，它和物質(zhì)中的電子相互作用，使電子從材料表面逸出的現(xiàn)象，也稱為外光電效應(yīng)

當(dāng)光照射到物體上使物體向真空中發(fā)射電子

當(dāng)光照物體時(shí)，光電子不逸出體外的光電效應(yīng)稱為內(nèi)光電效應(yīng)光照使材料的電導(dǎo)率發(fā)生變化光照使材料產(chǎn)生產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)單個(gè)光子直接對(duì)產(chǎn)生光電子起作用的光電效應(yīng)探測(cè)元件吸收光輻射能量后，并不直接引起內(nèi)部電子狀態(tài)的改變，而把吸收的光能轉(zhuǎn)變?yōu)榫Ц駸徇\(yùn)動(dòng)，引起探測(cè)元件溫度上升；溫升使探測(cè)元件的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化1934年就成功地研制出光電攝像管（Iconoscope），用于室內(nèi)外的廣播電視攝像。但是，它的靈敏度很低，信噪比很低，需要高于10000lx的照度才能獲得較為清晰的圖像。使它的應(yīng)用受到限制。1947年制出的超正析像管（ImaigeOrthico），它的靈敏度有所提高，但是最低照度仍要求在2000lx以上。1954年投放市場(chǎng)的高靈敏視像管（Vidicon）基本具有了成本低，體積小，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的特點(diǎn)，使廣播電視事業(yè)和工業(yè)電視事業(yè)有了更大的發(fā)展。圖像傳感器的發(fā)展歷史1965年推出的氧化鉛視像管(Plumbicon)成功地取代了超正析像管，發(fā)展了彩色電視攝像機(jī)，使彩色廣播電視攝像機(jī)的發(fā)展產(chǎn)生一次飛躍。誕生了1英寸，1/2英寸，甚至于1/3英寸（8mm）靶面的彩色攝像機(jī)。然而，氧化鉛視像管抗強(qiáng)光的能力低，余輝效應(yīng)影響了它的采樣速率。1976年，又相繼研制出靈敏度更高，成本更低的硒靶管（Saticon）和硅靶管（Siticon）。不斷滿足人們對(duì)圖像傳感器日益增長(zhǎng)的需要。1970年，美國(guó)貝爾電話實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)的電荷耦合器件（CCD）的原理使圖像傳感器的發(fā)展進(jìn)入了一個(gè)全新的階段，使圖像傳感器從真空電子束掃描方式發(fā)展成為固體自掃描輸出方式。圖像傳感器發(fā)展歷史光電成像器件真空成像器件固體成像器件像管攝像管電荷耦合器件光電二極管列陣圖像傳感器固體：器件為固態(tài)器件,采用半導(dǎo)體工藝制成。（對(duì)比：真空成像器件采用真空玻璃殼中的靶進(jìn)行圖像轉(zhuǎn)換）成像：利用半導(dǎo)體材料的光電效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換，通過(guò)驅(qū)動(dòng)電信號(hào)實(shí)現(xiàn)光學(xué)圖像的轉(zhuǎn)換、信息存貯及按順序輸出，形成電子圖像。（對(duì)比：真空成像器件采用電子束掃描方式）6圖像傳感器固體圖像傳感器的優(yōu)點(diǎn)體積小，重量輕，功耗低，耐沖擊，可靠，壽命長(zhǎng)；掃描線性，畸變小，重復(fù)性好，適用于尺寸測(cè)量、定位和圖像傳感等方面；光譜響應(yīng)范圍較廣，從近紫外到近紅外；空間分辨率高，像元間距的幾何位置精確，可以獲得很高的定位與測(cè)量精度；與微機(jī)接口容易實(shí)現(xiàn)?！癈CD是數(shù)碼相機(jī)的電子眼,它革新了攝影術(shù)?，F(xiàn)在光可以被電子化記錄,取代了膠片。這一數(shù)字形式極大地方便了對(duì)圖像的處理和發(fā)送。無(wú)論是我們大海中深邃之地,還是宇宙中的遙遠(yuǎn)之處,它都能給我們帶來(lái)水晶般清晰的影像”。CCD的發(fā)明者獲得2009年諾貝爾獎(jiǎng)1970年，Boyle(左)和Smith(右)在測(cè)試用最初狀態(tài)的CCD元件組裝的簡(jiǎn)易拍攝裝置。1973年，仙童公司的產(chǎn)品，第一塊商用CCD

柯達(dá)的塞尚先生被尊為數(shù)碼相機(jī)之父，而1975年，他的第一臺(tái)電子相機(jī)使用的核心成像元件正是一塊5萬(wàn)像素的仙童產(chǎn)CCD數(shù)碼相機(jī)之父親

70年代末，RCA對(duì)天文拍攝用CCD的研究，使其得以因基特峰國(guó)家天文臺(tái)的1米望遠(yuǎn)鏡安裝了其自產(chǎn)的320*512像元制冷CCD而名聲大造天文攝影中，使用的大型CCD陣列，由多塊不同尺寸，不同特性的CCD成像元件組成天文攝影用CCD成像設(shè)備拍攝的遙遠(yuǎn)的深空天體

1981，索尼Mavica電子相機(jī)，數(shù)碼單反的先驅(qū)

光電器件-電荷耦合器件電荷耦合器件，又稱CCD圖象傳感器，是一種大規(guī)模集成電路光電器件；電荷耦合器件具有光電轉(zhuǎn)換，信息存儲(chǔ)、轉(zhuǎn)移傳輸、處理以及電子快門等功能。特點(diǎn)：1.集成度高、尺寸小、電壓低（DC-7～12V）功耗小。2.空間分辨率高，線陣分辨能力7μm，面陣分辨率在1000電視線以上；3.光電靈敏度高，可達(dá)0.01lx；動(dòng)態(tài)范圍大，信噪比60～70dB；4.可選模擬、數(shù)字不同輸出形式，便于和計(jì)算機(jī)連機(jī)。

電荷耦合器件CCDCCD技術(shù)的發(fā)展促進(jìn)了各種視頻裝置的普及和微型化，應(yīng)用遍及航天、遙感、天文、通訊、工業(yè)、農(nóng)業(yè)、軍用等各個(gè)領(lǐng)域。

電荷耦合器件基于CCD光電耦器件的輸入設(shè)備有：數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、數(shù)字相機(jī)、平板掃描儀、指紋機(jī)等。高性能小容量廉價(jià)高容量專用顯示系統(tǒng)控制器在線動(dòng)態(tài)分析醫(yī)學(xué)儀器低功耗空間設(shè)備汽車計(jì)算機(jī)顯示生物科學(xué)光學(xué)顯微鏡可視電話玩具條形碼識(shí)別

電荷耦合器件圖象傳感器發(fā)展趨勢(shì)CCD(ChargeCoupledDevice) 電荷藕合器件圖像傳感器CCD，它集成在高感光度的半導(dǎo)體單晶材料上，能把光線轉(zhuǎn)變成電荷，通過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。CCD由許多感光單位組成，通常以百萬(wàn)像素為單位。當(dāng)CCD表面受到光線照射時(shí)，每個(gè)感光單位會(huì)將電荷反映在組件上，所有的感光單位所產(chǎn)生的信號(hào)加在一起，就構(gòu)成了一幅完整的畫(huà)面。CMOS(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor) 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，它集成在被稱做金屬氧化物的半導(dǎo)體材料上。CCDsensor放大A/D光子電子電壓數(shù)字信號(hào)CMOS芯片可以在像素上同時(shí)完成這兩個(gè)步驟CCD與CMOS的光電轉(zhuǎn)換示意圖：由上面兩圖可看出：CMOS和CCD最大的區(qū)別是CMOS的電荷到電壓轉(zhuǎn)換過(guò)程是在每個(gè)像素上完成的CCD和CMOS的比較CCD的工作原理電荷注入電荷存儲(chǔ)電荷耦合電荷輸出表面溝道CCD電荷存貯位置體內(nèi)溝道CCD半導(dǎo)體與絕緣體之間的界面電荷傳輸位置距半導(dǎo)體表面一定深度體內(nèi)界面半導(dǎo)體內(nèi)電荷耦合器件CCD實(shí)物圖像?圖像采集和處理的過(guò)程，最基本的是要把實(shí)物盡量真實(shí)地反映到虛擬的圖像上成像原理如何準(zhǔn)確地描述一幅圖像成像原理感光芯片的設(shè)計(jì)思想：就是分割被描述區(qū)域，用相應(yīng)的灰度填充。成像原理實(shí)物圖像數(shù)字量光子模擬量（電壓）電荷光源顯示設(shè)備A/D轉(zhuǎn)換光電轉(zhuǎn)換設(shè)備放大設(shè)備成像原理實(shí)物圖像數(shù)字量光子模擬量（電壓）電荷光源顯示設(shè)備A/D轉(zhuǎn)換CCDsensor后端電路成像原理實(shí)物圖像光子模擬量（電壓）電荷日光監(jiān)視器CCDsensor相機(jī)后端電路模擬相機(jī)+監(jiān)視器成像原理實(shí)物圖像數(shù)字量光子模擬量（電壓）電荷光源PC模擬采集卡CCDsensor相機(jī)后端電路模擬相機(jī)+模擬采集卡成像原理實(shí)物圖像數(shù)字量光子模擬量（電壓）電荷光源A/D轉(zhuǎn)換CCDsensor相機(jī)后端電路PC數(shù)字采集卡數(shù)字相機(jī)+數(shù)字采集卡成像原理電荷耦合器件是在半導(dǎo)體硅片上制作成百上千（萬(wàn)）個(gè)光敏元，一個(gè)光敏元又稱一個(gè)像素，在半導(dǎo)體硅平面上光敏元按線陣或面陣有規(guī)則地排列。

CCD基本結(jié)構(gòu)分兩部分：MOS光敏元陣列；讀出移位寄存器。CCD結(jié)構(gòu)示意圖

顯微鏡下的MOS元表面CCD基本結(jié)構(gòu)和工作原理結(jié)構(gòu)CCD單元部分，就是一個(gè)由金屬-氧化物-半導(dǎo)體組成的電容器。這一裝置能夠完成光電轉(zhuǎn)換。在P型單晶硅的襯底上做一層絕緣氧化膜，通過(guò)活化置換技術(shù)再在氧化膜表面做出許多排列整齊的可透光的電極，當(dāng)光線通過(guò)時(shí)，氧化膜與P型單晶硅之間產(chǎn)生電荷，其電荷的數(shù)量與光照強(qiáng)度及照射時(shí)間成正比。

光-電轉(zhuǎn)換

CCD單元的結(jié)構(gòu)及電荷存儲(chǔ)原理示意圖平帶條件下的能帶Ec導(dǎo)帶底能量Ei禁帶中央能級(jí)Ef費(fèi)米能級(jí)Ev價(jià)帶頂能量平帶條件：當(dāng)MOS電容的極板上無(wú)外加電壓時(shí)，在理想情況下，半導(dǎo)體從體內(nèi)到表面處是電中性的，因而能帶(代表電子的能量)從表面到內(nèi)部是平的。加上正電壓MOS電容的能帶(a)柵壓UG較小時(shí)，MOS電容器處于耗盡狀態(tài)。(b)柵壓UG增大到開(kāi)啟電壓Uth時(shí),半導(dǎo)體表面的費(fèi)米能級(jí)高于禁帶中央能極,半導(dǎo)體表面上的電子層稱為反型層。有信號(hào)電荷的勢(shì)阱當(dāng)MOS電容器柵壓大于開(kāi)啟電壓UG，周圍電子迅速地聚集到電極下的半導(dǎo)體表面處，形成對(duì)于電子的勢(shì)阱。

勢(shì)阱：深耗盡條件下的表面勢(shì)。勢(shì)阱填滿：電子在半導(dǎo)體表面堆積后使平面勢(shì)下降。一個(gè)MOS光敏元（金屬—氧化物—半導(dǎo)體）當(dāng)金屬電極上加正電壓時(shí)，由于電場(chǎng)作用，電極下形成耗盡區(qū)。對(duì)電子而言是一勢(shì)能很低的區(qū)域，稱“勢(shì)阱”。有光線入射到硅片上時(shí)，產(chǎn)生光生電子-空穴對(duì)，空穴被電場(chǎng)作用排斥出耗盡區(qū)，而光電子被附近勢(shì)阱俘獲，此時(shí)勢(shì)阱內(nèi)吸的光子數(shù)與光強(qiáng)度成正比。一個(gè)MOS光敏元結(jié)構(gòu)電荷存儲(chǔ)原理若在電極上施加一個(gè)適當(dāng)?shù)恼妷海瑫?huì)形成電荷耗盡區(qū)，即能夠吸引電子的勢(shì)阱。電極上所加的電壓越高，勢(shì)阱越深，電荷留在阱內(nèi)量越多。只要電壓存在，電子就能儲(chǔ)存在勢(shì)阱里。當(dāng)景物的光照射到CCD時(shí)，具有光敏特性的P型硅在光量子的激發(fā)下產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，空穴移向襯底而消失，電子進(jìn)入勢(shì)阱并存儲(chǔ)在那里。由于絕緣氧化物層使得電子不能穿過(guò)而到達(dá)電極，因此存貯在勢(shì)阱里的電子形成了電荷包，其電荷量的多少與光照強(qiáng)度成正比，于是所有電極下的電荷包就組成了與景物相對(duì)應(yīng)的電荷像。

電荷儲(chǔ)存這一過(guò)程存在著以下問(wèn)題：當(dāng)一個(gè)像素聚集過(guò)多的電荷后，就會(huì)出現(xiàn)電荷溢出，溢出的電荷會(huì)跑到相鄰的像素勢(shì)阱里去。這樣電荷的電量就不能如實(shí)反映原物。要避免這種情況發(fā)生的方法：A把桶做大些；B減少測(cè)量時(shí)間；C把裝滿水的桶倒出一些；D做個(gè)導(dǎo)流管，讓溢出的水流到地上去，不要流到其它桶里。對(duì)應(yīng)的方法：由此可見(jiàn)，增大像素尺寸是最簡(jiǎn)單有效的做法。水桶CCD芯片缺點(diǎn)把桶做大增大單位像素尺寸減少測(cè)量時(shí)間縮短曝光時(shí)間對(duì)于暗的部分曝光不足把滿的水桶到出一些間歇開(kāi)關(guān)時(shí)鐘電壓降低速度做個(gè)導(dǎo)流管溢出溝道和溢出門制作復(fù)雜，且還有缺陷

一個(gè)MOS結(jié)構(gòu)元為一個(gè)MOS光敏元或一個(gè)像素，把一個(gè)勢(shì)阱所收集的光生電子稱為一個(gè)電荷包；CCD器件內(nèi)是在硅片上制作成百上千的MOS元，每個(gè)金屬電極加電壓就形成成百上千個(gè)勢(shì)阱，產(chǎn)生成百上千的電荷包；如果照射在這些光敏元上是一幅明暗起伏的圖象，那么這些光敏元就感生出一幅與光照度響應(yīng)的光生電荷圖象。這就是電荷耦合器件的光電物理效應(yīng)基本原理。當(dāng)一個(gè)CCD芯片感光完畢后。每個(gè)像素所轉(zhuǎn)換的電荷包，就按照一行的方向轉(zhuǎn)移出CCD感光區(qū)域。為下一次感光釋放空間。電荷轉(zhuǎn)移在同一個(gè)像素區(qū)域，應(yīng)該有電荷儲(chǔ)存空間和用來(lái)轉(zhuǎn)移的空間。這樣才能順利完成轉(zhuǎn)移。勢(shì)阱的深淺由電極上所加電壓的大小決定。電荷在勢(shì)阱內(nèi)可以流動(dòng)，它總是從相鄰淺阱里流進(jìn)深阱中，這種電荷流動(dòng)稱為電荷轉(zhuǎn)移。若有規(guī)律改變電極電壓，則勢(shì)阱的深度就會(huì)隨之變化，勢(shì)阱內(nèi)電荷就可以按人為確定的方向轉(zhuǎn)移，直到最終由輸出端輸出。Phase

1Phase

2Phase

3GateSiO2

LayerDirection

of

Transfert0t1t2t3t4電荷轉(zhuǎn)移分單相驅(qū)動(dòng)、雙相驅(qū)動(dòng)、三相驅(qū)動(dòng)及四相驅(qū)動(dòng)等多種方式，除了電極構(gòu)造及所加電壓波形不同以外，其轉(zhuǎn)移原理是一樣的。四相驅(qū)動(dòng)方式的驅(qū)動(dòng)電路比較復(fù)雜，但相鄰勢(shì)阱的深度差較大，電荷的存貯量也大，容易實(shí)現(xiàn)隔行掃描，在專業(yè)級(jí)攝像機(jī)中應(yīng)用較為廣泛。四相驅(qū)動(dòng)方式即將絕緣層上的電極按列的方式每四個(gè)分為一組，形成一個(gè)象素單元，每組電極分別加上不同的偏置電壓，則在電極下絕緣膜與P型硅之間就產(chǎn)生不同深度的勢(shì)阱，如果有規(guī)律地改變電極上的電壓值，使勢(shì)阱產(chǎn)生變化，就可以使電子定向移動(dòng)，這也就是CCD的掃描讀出原理。

光敏元上的電荷還需經(jīng)輸出電路輸出，而CCD電荷耦合器件是以電荷為信號(hào)而不是電壓電流作信號(hào)輸出的。這個(gè)輸出過(guò)程由移位寄存器完成.

讀出移位寄存器也是MOS結(jié)構(gòu)，由金屬電極、氧化物、半導(dǎo)體三部分組成。它與MOS光敏元的區(qū)別在于，半導(dǎo)體底部覆蓋一層遮光層，不接收光信號(hào)并防止外來(lái)光線干擾。讀出移位寄存器結(jié)構(gòu)

由三個(gè)十分鄰近的電極組成一個(gè)耦合單元；在三個(gè)電極上分別施加脈沖波Φ1Φ2Φ3，稱三相時(shí)鐘脈沖（有兩相、四相）。

電荷轉(zhuǎn)移原理（讀出移位寄存器）在各個(gè)勢(shì)阱下施加一系列有規(guī)律變化的電壓（驅(qū)動(dòng)時(shí)序），就可以控制電極下電荷包的存儲(chǔ)位置和移動(dòng)方向。t=t1時(shí)刻，Φ1電極下出現(xiàn)勢(shì)阱存入光電荷t=t2時(shí)刻，Φ1Φ2下兩個(gè)勢(shì)阱形成大勢(shì)阱存入電荷t=t3時(shí)刻，Φ1中電荷全部轉(zhuǎn)移至Φ2t=t4時(shí)刻，Φ2中電荷向Φ3勢(shì)阱轉(zhuǎn)移t=t5時(shí)刻，Φ3電荷向下一個(gè)Φ1勢(shì)阱轉(zhuǎn)移

讀出移位寄存器三相時(shí)鐘脈沖

電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程

不同時(shí)刻勢(shì)阱深度變化，使電荷按設(shè)計(jì)好的方向，在時(shí)鐘脈沖控制下，電荷從寄存器的一端轉(zhuǎn)移到另一端。這樣一個(gè)傳輸過(guò)程，實(shí)際上是一個(gè)電荷耦合過(guò)程，所以稱電荷耦合器件，擔(dān)任電荷傳輸?shù)膯卧Q移位寄存器。電荷信息轉(zhuǎn)移原理在CCD陣列的末端制作（擴(kuò)散）一個(gè)N+區(qū)，形成反向偏置二極管，二極管反偏形成一個(gè)深勢(shì)阱，收集信號(hào)電荷控制A點(diǎn)電位變化；轉(zhuǎn)移柵φ3電極下的電荷包越過(guò)輸出柵OG，流入勢(shì)阱中，在輸出極形成輸出電流I0，輸出電流在負(fù)載電阻RL

上產(chǎn)生的電壓與電荷成正比。擴(kuò)散區(qū)收集的信號(hào)控制放大管VT2的電位，即控制輸出電壓信號(hào)輸出方式I0A光敏元曝光——

金屬電極加正向脈沖電壓φp，光敏元吸收光生電荷，光積分時(shí)間（快門），積累很快結(jié)束；轉(zhuǎn)移控制柵——

轉(zhuǎn)移脈沖φT打開(kāi)轉(zhuǎn)移控制柵，光敏元俘獲的光生電荷經(jīng)轉(zhuǎn)移控制柵耦合到移位寄存器，轉(zhuǎn)移柵立刻關(guān)閉；這是一并行輸出過(guò)程；接著三個(gè)時(shí)鐘脈沖Φ1Φ2Φ3工作，讀出移位寄存器的輸出端Ga一位位輸出信息，這一過(guò)程是一串行輸出過(guò)程。單溝道CCD結(jié)構(gòu)電荷輸出控制波形2.電荷耦合器件的工作原理CCD光信息電脈沖脈沖只反映一個(gè)光敏元的受光情況脈沖幅度的高低反映該光敏元受光照的強(qiáng)弱輸出脈沖的順序可以反映一個(gè)光敏元的位置完成圖像傳感CCD的工作原理電荷注入電荷存儲(chǔ)電荷耦合電荷輸出基本功能：電荷的存貯和轉(zhuǎn)移特點(diǎn)：以電荷作為信號(hào)

CCD的工作過(guò)程1.有一個(gè)光電轉(zhuǎn)換裝置把入射到每一個(gè)感光像素上的光子轉(zhuǎn)化為相應(yīng)數(shù)量的電荷。

CCD的工作過(guò)程2.這些電荷可以被儲(chǔ)存起來(lái)。

CCD的工作過(guò)程3.電荷可以被有秩序地轉(zhuǎn)移出感光區(qū)域。

CCD的工作過(guò)程3.電荷可以被有秩序地轉(zhuǎn)移出感光區(qū)域。CCD器件分為線陣CCD和面陣CCD；結(jié)構(gòu)上有多種不同形式，如單溝道CCD、雙溝道CCD、幀轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)CCD、行間轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)CCD。CCD器件電荷耦合器件

線陣CCD傳感器是由一列MOS光敏元和一列移位寄存器并行構(gòu)成。光敏元和移位寄存器之間有一個(gè)轉(zhuǎn)移控制柵，加轉(zhuǎn)移控制信號(hào)φT

。1024位線陣，由1024個(gè)光敏元和1024個(gè)讀出移位寄存器組成。單溝道CCD結(jié)構(gòu)線陣CCD結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移柵關(guān)閉時(shí)，光敏單元?jiǎng)葳迨占庑盘?hào)電荷，經(jīng)過(guò)一定的積分時(shí)間，形成與空間分布的光強(qiáng)信號(hào)對(duì)應(yīng)的信號(hào)電荷圖像。積分周期結(jié)束時(shí)，轉(zhuǎn)移柵打開(kāi)，各光敏單元收集的信號(hào)電荷并行地轉(zhuǎn)移到CCD移位寄存器的相應(yīng)單元中。轉(zhuǎn)移柵關(guān)閉后，光敏單元開(kāi)始對(duì)下一行圖像信號(hào)進(jìn)行積分。而已轉(zhuǎn)移到移位寄存器內(nèi)的上一行信號(hào)電荷，通過(guò)移位寄存器串行輸出，如此重復(fù)上述過(guò)程。64位線陣CCD結(jié)構(gòu)線陣CCD傳感器又分為單通道和雙通道，雙通道可以加速轉(zhuǎn)換時(shí)間，提高分辨率線陣CCD線陣CCD結(jié)構(gòu)單通道和雙通道的電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程線型CCD傳感器主要用于測(cè)試、傳真、光學(xué)文字識(shí)別技術(shù)等。面型CCD主要用于攝象機(jī)及測(cè)量技術(shù)，結(jié)構(gòu)上是把光敏元件排列成二維矩陣形式。面型CCD根據(jù)傳輸?shù)淖x出結(jié)構(gòu)有不同類型，基本構(gòu)成有：線轉(zhuǎn)移方式（由掃描、感光和輸出寄存器組成）幀轉(zhuǎn)送方式（FrameTransferCCD）行間轉(zhuǎn)送方式（InterLineTransferCCD）面陣電荷耦合器（二維）幀轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)由光敏元、存儲(chǔ)器、輸出移位寄存器三部分組成，視頻信號(hào)整幀輸出。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。面陣電荷耦合器行間轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)的光敏單元與寄存器交替排列，光積分后一次一行地輸出，在輸出端得到一行行視頻信號(hào)。特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，圖象清晰質(zhì)量高，是目前使用最多的一種結(jié)構(gòu)。3CCD，就是一臺(tái)攝像機(jī)使用了３片CCD,一片CCD接受每一種顏色并轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。而這三種顏色就是我們電視使用的三基色：紅，綠，藍(lán)三種顏色。由于一片CCD同時(shí)完成亮度信號(hào)和色度信號(hào)的轉(zhuǎn)換，因此難免兩全，使得拍攝出來(lái)的圖像在彩色還原上達(dá)不到專業(yè)水平很的要求。為了解決這個(gè)問(wèn)題，便出現(xiàn)了3CCD攝像機(jī)。面陣電荷耦合器2.FullframeSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArrayFullFrame2.FullframeFullFrameSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray2.FullframeFullFrameSerialRegisterOutputNodeActiveArray2.FullframeFullFrameSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArrayADC2.FullframeFullFrameSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray2.FullframeFullFrameSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArrayADC2.FullframeFullFrameSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray2.FullframeFullFrameADCSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray2.FullframeFullFrameSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray2.FullframeFullFrameADCSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray2.FullframeFullFrameSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray3.FrametransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArrayFrameTransfer3.FrametransferFrameTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray3.FrametransferFrameTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray3.FrametransferFrameTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray3.FrametransferFrameTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray3.FrametransferFrameTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray3.FrametransferFrameTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray3.FrametransferFrameTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray3.FrametransferFrameTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray3.FrametransferFrameTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray3.FrametransferFrameTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray3.FrametransferFrameTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray3.FrametransferFrameTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray1.InterlinetransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArrayInterlineTransfer1.InterlinetransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArrayInterlineTransfer1.InterlinetransferInterlineTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray1.InterlinetransferInterlineTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray1.InterlinetransferInterlineTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray1.InterlinetransferInterlineTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray1.InterlinetransferInterlineTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray1.InterlinetransferInterlineTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray1.InterlinetransferInterlineTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray1.InterlinetransferInterlineTransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray1.InterlinetransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArrayInterlineTransfer1.InterlinetransferSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArrayInterlineTr