GB/T 32815-2016硅基MEMS制造技術(shù)體硅壓阻加工工藝規(guī)范

ICS31200

L55.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32815—2016

硅基MEMS制造技術(shù)

體硅壓阻加工工藝規(guī)范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Specificationforcriterionofthebulksiliconpiezoresistanceprocess

2016-08-29發(fā)布2017-03-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32815—2016

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

工藝流程

4…………………1

概述

4.1…………………1

硅片選擇

4.2……………1

硅片壓阻區(qū)制備

4.3……………………1

硅片隔離區(qū)制備

4.4……………………5

硅片背腔腐蝕

4.5………………………6

硅片引線制備

4.6(G)…………………10

玻璃片金屬電極制備

4.7………………12

硅玻璃鍵合

4.8-………………………14

鍵合片硅面刻蝕

4.9……………………15

工藝保障條件要求

5………………………17

人員要求

5.1……………17

環(huán)境要求

5.2……………17

設(shè)備要求

5.3……………17

原材料要求

6………………18

安全操作要求

7……………19

用電安全

7.1……………19

化學(xué)試劑

7.2……………19

排放

7.3…………………19

檢驗(yàn)

8………………………19

總則

8.1…………………19

檢驗(yàn)方法和要求

8.2……………………19

Ⅰ

GB/T32815—2016

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位北京大學(xué)中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心大連理工大學(xué)東南大學(xué)北京青鳥(niǎo)元芯微

:、、、、

系統(tǒng)科技有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張大成王瑋李海斌楊芳黃賢何軍劉沖劉偉周再發(fā)劉軍山李婷

:、、、、、、、、、、、

姜博巖

。

Ⅲ

GB/T32815—2016

硅基MEMS制造技術(shù)

體硅壓阻加工工藝規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用體硅壓阻工藝進(jìn)行器件加工時(shí)應(yīng)遵循的工藝要求和質(zhì)量檢驗(yàn)要求

MEMS。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅基制造技術(shù)中基于背腔腐蝕和硅玻璃鍵合的體硅壓阻加工工藝的加工和

MEMS-

質(zhì)量檢驗(yàn)

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

測(cè)量管理體系測(cè)量過(guò)程和測(cè)量設(shè)備的要求

GB/T19022

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語(yǔ)

GB/T26111(MEMS)

潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范

GB50073

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T26111。

4工藝流程

41概述

.

體硅壓阻工藝流程包括硅片壓阻區(qū)制備硅片隔離區(qū)制備硅片背腔腐蝕硅片引線制備玻璃片電

、、、、

極制備硅玻璃鍵合以及鍵合片硅面刻蝕等部分其中的關(guān)鍵工藝用表示

、-,(G)。

42硅片選擇

.

421硅片材料的選擇應(yīng)結(jié)合所制造的器件的性能要求和后續(xù)工藝需求確定如型輕摻雜電阻率

..,n、、

為等

2Ωcm。

422硅片晶面的選擇應(yīng)以后續(xù)的工藝選擇為依據(jù)當(dāng)后續(xù)工藝步驟中使用了氫氧化鉀或四

..