• 被代替
  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 3352-2012
  • 1994-12-31 頒布
  • 1995-08-01 實施
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GB/T 3352-1994人造石英晶體_第1頁
GB/T 3352-1994人造石英晶體_第2頁
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Dng621.315.6133L90中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T3352-94人造石英晶體Syntheticguartzcrystal1994-12-31發(fā)布1995-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T3352-94造石英代替GB3352-82Syntheticguartzcrystal本標(biāo)準(zhǔn)等效采用國際標(biāo)準(zhǔn)IEC758（1993）人造石英品體》主題內(nèi)客與適用范圍1.1本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了人造石英晶體的術(shù)語和定義，技術(shù)要求，檢驗方法，檢驗規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運輸、心1.2本標(biāo)準(zhǔn)適用于供制作頻率控制和選擇用壓電元件的人造石英品體。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB191包裝儲運圖示標(biāo)志GB2828逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)SJ/Z9152.1頻率控制與選擇用石英晶體元件中第一部分：標(biāo)準(zhǔn)值和試驗條件3術(shù)語和定義3.1水熱法晶體生長hydrothermalcrystalgrowth人造石英晶體的生長是在裝有堿性溶液的高壓條中在高溫(330℃～400℃)和壓力（80MPa～200MPa)下進(jìn)行的.高壓經(jīng)分為兩個區(qū)域：在較高溫度的溶解區(qū)裝有原料石英碎塊，較低溫度的生長區(qū)裝有切好的籽晶。3.2人造石英晶體syntheticquartzcrystal用水熱法生長的石英晶體,既可以是左旋的晶體，也可以是右旋的晶體。3.3籽晶seed用作晶體生長的晶核，其截面為矩形的晶片或晶條。3.4生長區(qū)城growthzones沿不同結(jié)晶方向生長的人造石英晶體的區(qū)域,見圖1。3.5S人造石英品體取向orientationofasyntheticquartzcrystal按第3.6條所規(guī)定直角坐標(biāo)的籽品的取向。3.6石英晶體的直角坐標(biāo)系和品面definitionoftheorthnalaxialsystemofaquartzerystal石英晶體的直角坐標(biāo)系和品面見圖2所示。注：Z切籽品可以取向在與丫軸的夾角小于20°,在此情況下，坐標(biāo)體系為X,Y,乙"。3.7尺寸dimensions生長在與Y軸夾角小于20°的乙切籽品上的品體尺寸。3.7.1總的尺寸grossdimensions沿X,Y或”及乙軸測量的最大品體尺寸

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