標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 34900-2017 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)殘余應(yīng)變測(cè)量方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)使用光學(xué)干涉技術(shù)來(lái)測(cè)量MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）中微結(jié)構(gòu)的殘余應(yīng)變。該標(biāo)準(zhǔn)提供了詳細(xì)的方法和技術(shù)指南，旨在確保測(cè)量結(jié)果的一致性和準(zhǔn)確性。

標(biāo)準(zhǔn)首先定義了術(shù)語(yǔ)和定義部分，明確了與MEMS微結(jié)構(gòu)殘余應(yīng)變測(cè)量相關(guān)的專業(yè)術(shù)語(yǔ)及其含義。接著，在原理章節(jié)里介紹了基于光學(xué)干涉法進(jìn)行測(cè)量的基本理論依據(jù)，包括但不限于白光干涉、激光干涉等技術(shù)的工作機(jī)制。

在設(shè)備要求方面，《GB/T 34900-2017》規(guī)定了實(shí)施此類測(cè)量所需儀器的具體規(guī)格與性能指標(biāo)，如光源類型、探測(cè)器靈敏度以及數(shù)據(jù)處理軟件的功能要求等。此外，還對(duì)環(huán)境條件進(jìn)行了限定，比如溫度控制精度、振動(dòng)隔離等級(jí)等，以保證測(cè)試過(guò)程中外界因素對(duì)結(jié)果影響最小化。

對(duì)于樣品準(zhǔn)備，《GB/T 34900-2017》給出了詳細(xì)的指導(dǎo)步驟，包括清洗、固定方式及表面狀態(tài)調(diào)整等，這些都是為了確保待測(cè)MEMS器件處于最佳狀態(tài)以便準(zhǔn)確獲取其內(nèi)部應(yīng)力分布情況。

測(cè)量程序部分則詳述了從初步設(shè)置到最終數(shù)據(jù)分析的整個(gè)流程，涵蓋了參數(shù)設(shè)定、圖像采集、信號(hào)處理等多個(gè)環(huán)節(jié)，并且特別強(qiáng)調(diào)了重復(fù)性和再現(xiàn)性的考量，通過(guò)多次獨(dú)立實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)果的有效性。


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....

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  • 2018-05-01 實(shí)施
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GB/T 34900-2017微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)殘余應(yīng)變測(cè)量方法_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31200

L55.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T34900—2017

微機(jī)電系統(tǒng)MEMS技術(shù)

()

基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)

殘余應(yīng)變測(cè)量方法

Micro-electromechanicalsystemtechnology—

MeasuringmethodforresidualstrainmeasurementsofMEMSmicrostructures

usinganopticalinterferometer

2017-11-01發(fā)布2018-05-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T34900—2017

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

測(cè)量方法

4…………………1

影響測(cè)量不確定度的主要因素

5…………6

附錄資料性附錄光學(xué)干涉顯微鏡的典型形式和主要技術(shù)特點(diǎn)

A()…………………7

附錄規(guī)范性附錄擬合表面輪廓線余弦函數(shù)和計(jì)算變形量

B()………9

Ⅰ

GB/T34900—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位天津大學(xué)中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心國(guó)家儀器儀表元器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心南

:、、、

京理工大學(xué)中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人郭彤胡曉東李海斌于振毅裘安萍程紅兵崔波朱悅

:、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T34900—2017

微機(jī)電系統(tǒng)MEMS技術(shù)

()

基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)

殘余應(yīng)變測(cè)量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了基于光學(xué)干涉顯微鏡獲取的微雙端固支梁結(jié)構(gòu)表面形貌進(jìn)行殘余應(yīng)變測(cè)量的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于表面反射率不低于且使用光學(xué)干涉顯微鏡能夠獲取表面形貌的微雙端固支梁

4%

結(jié)構(gòu)

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法術(shù)語(yǔ)定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)

GB/T3505(GPS)、

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語(yǔ)

GB/T26111(MEMS)

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)微幾何量評(píng)定總則

GB/T26113(MEMS)

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)基于光學(xué)干涉的微結(jié)構(gòu)面內(nèi)長(zhǎng)度測(cè)量

GB/T34893—2017(MEMS)MEMS

方法

3術(shù)語(yǔ)和定義

和界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T3505、GB/T26111GB/T34893—2017。

31

.

殘余應(yīng)變r(jià)esidualstrain

存在于材料結(jié)構(gòu)內(nèi)部因塑性變形不均勻溫度分布不均勻相變而形成的并保持平衡的內(nèi)應(yīng)變

、、、。

4測(cè)量方法

41總則

.

411微雙端固支梁由于工藝引入的殘余應(yīng)力導(dǎo)致梁結(jié)構(gòu)發(fā)生彎曲變形通過(guò)彎曲變形的測(cè)量

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