標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 34971-2017 半導(dǎo)體制造用氣體處理指南》是由中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)發(fā)布的一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)半導(dǎo)體制造過程中所使用的特種氣體的安全處理、儲(chǔ)存以及運(yùn)輸?shù)确矫嫣岢隽司唧w要求與指導(dǎo)。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體材料生產(chǎn)及加工企業(yè)，在確保員工健康安全的同時(shí)，也保證了環(huán)境不受污染，并提高了產(chǎn)品質(zhì)量。

在內(nèi)容上，《GB/T 34971-2017》詳細(xì)規(guī)定了從氣體的選擇到最終使用全過程中的注意事項(xiàng)。其中包括但不限于：

  • 氣體選擇時(shí)需考慮其純度對(duì)工藝影響；
  • 對(duì)于不同種類的氣體（如腐蝕性氣體、毒性氣體等），應(yīng)根據(jù)其性質(zhì)采取相應(yīng)的防護(hù)措施；
  • 在儲(chǔ)存環(huán)節(jié)強(qiáng)調(diào)了容器材質(zhì)的重要性，指出必須使用符合特定條件的專用儲(chǔ)罐來存放各種氣體；
  • 運(yùn)輸過程中要注意避免震動(dòng)和碰撞，防止泄露事故發(fā)生；
  • 使用現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)當(dāng)配備完善的通風(fēng)設(shè)施以減少有害物質(zhì)濃度；
  • 強(qiáng)調(diào)定期檢查設(shè)備狀態(tài)，及時(shí)更換老化部件，確保系統(tǒng)正常運(yùn)行；
  • 針對(duì)突發(fā)事件制定應(yīng)急預(yù)案，包括但不限于泄漏處置方法、人員疏散路線等；


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2017-11-01 頒布
  • 2018-02-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
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ICS7104040

G86..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T34971—2017

半導(dǎo)體制造用氣體處理指南

Guideforgaseouseffluenthandlinginsemiconductorindustry

2017-11-01發(fā)布2018-02-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T34971—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中昊光明化工研究設(shè)計(jì)院有限公司西南化工研究設(shè)計(jì)院有限公司高麥儀器公

:、、

司廣東華特氣體股份有限公司東莞市聯(lián)臣電子科技有限公司上海華愛色譜分析技術(shù)有限公司上海

、、、、

市計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究院

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫福楠牛艷東廖恒易杜漢盛王鴻方華陳鷹周鵬云

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T34971—2017

半導(dǎo)體制造用氣體處理指南

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體制造用氣體排放系統(tǒng)的原理及技術(shù)

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體制造用氣體的處理

。

2術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

21

.

效率efficiency

去除的化學(xué)物類與其投放量的比率分?jǐn)?shù)或比例

()。

22

.

管道末端減排end-of-pipeabatement

可在廢氣處理系統(tǒng)的排放點(diǎn)使用的減排技術(shù)

。

23

.

使用點(diǎn)減排point-of-useabatement

可在半導(dǎo)體工藝設(shè)備氣體排放裝置的排放點(diǎn)使用的減排技術(shù)

。

24

.

去除能力removalcapacity

一種物質(zhì)可被去除的量

。

3縮略語(yǔ)

下列縮略語(yǔ)適用于本文件

。

化學(xué)氣相沉積

CVD:(ChemicalVaporDeposition)

外延沉積

EPI:(EpitaxialDeposition)

爆炸下限

LEL:(LowerExplosiveLimit)

低壓化學(xué)氣相沉積

LPCVD:(LowPressureChemicalVaporDeposition)

職業(yè)接觸限值

OEL:(OcupationalExposureLimit)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積

PECVD:(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)

全氟化合物

PFC:(Perfluorocompounds)

使用點(diǎn)

POU:(PointOfUse)

快速熱處理

RTP:(RapidThermalProcess)

揮發(fā)性有機(jī)化合物

VOC:(VolatileOrganicCompounds)

4總則

41眾多工藝過程可能排放的氣體混合物也可能在廢氣管中產(chǎn)生有害物質(zhì)

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