GB/T 34971-2017半導(dǎo)體制造用氣體處理指南

ICS7104040

G86..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T34971—2017

半導(dǎo)體制造用氣體處理指南

Guideforgaseouseffluenthandlinginsemiconductorindustry

2017-11-01發(fā)布2018-02-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T34971—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中昊光明化工研究設(shè)計(jì)院有限公司西南化工研究設(shè)計(jì)院有限公司高麥儀器公

:、、

司廣東華特氣體股份有限公司東莞市聯(lián)臣電子科技有限公司上海華愛色譜分析技術(shù)有限公司上海

、、、、

市計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究院

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫福楠牛艷東廖恒易杜漢盛王鴻方華陳鷹周鵬云

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T34971—2017

半導(dǎo)體制造用氣體處理指南

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體制造用氣體排放系統(tǒng)的原理及技術(shù)

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體制造用氣體的處理

。

2術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

21

.

效率efficiency

去除的化學(xué)物類與其投放量的比率分?jǐn)?shù)或比例

()。

22

.

管道末端減排end-of-pipeabatement

可在廢氣處理系統(tǒng)的排放點(diǎn)使用的減排技術(shù)

。

23

.

使用點(diǎn)減排point-of-useabatement

可在半導(dǎo)體工藝設(shè)備氣體排放裝置的排放點(diǎn)使用的減排技術(shù)

。

24

.

去除能力removalcapacity

一種物質(zhì)可被去除的量

。

3縮略語

下列縮略語適用于本文件

。

化學(xué)氣相沉積

CVD:(ChemicalVaporDeposition)

外延沉積

EPI:(EpitaxialDeposition)

爆炸下限

LEL:(LowerExplosiveLimit)

低壓化學(xué)氣相沉積

LPCVD:(LowPressureChemicalVaporDeposition)

職業(yè)接觸限值

OEL:(OcupationalExposureLimit)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積

PECVD:(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)

全氟化合物

PFC:(Perfluorocompounds)

使用點(diǎn)

POU:(PointOfUse)

快速熱處理

RTP:(RapidThermalProcess)

揮發(fā)性有機(jī)化合物

VOC:(VolatileOrganicCompounds)

4總則

41眾多工藝過程可能排放的氣體混合物也可能在廢氣管中產(chǎn)生有害物質(zhì)