GB/T 36359-2018半導體光電子器件小功率發(fā)光二極管空白詳細規(guī)范

ICS31260

L53.

中華人民共和國國家標準

GB/T36359—2018

半導體光電子器件

小功率發(fā)光二極管空白詳細規(guī)范

Semiconductoroptoelectronicdevices—

Blankdetailspecificationforlowerpowerlight-emittingdiodes

2018-06-07發(fā)布2019-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T36359—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部電子歸口

()。

本標準起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所國家半導體器件質量監(jiān)督檢驗中心中國

:、、

電子技術標準化研究院

。

本標準主要起草人張瑞霞趙敏黃杰彭浩趙英劉秀娟張晨朝劉東月

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T36359—2018

半導體光電子器件

小功率發(fā)光二極管空白詳細規(guī)范

引言

本空白詳細規(guī)范是半導體光電子器件的一系列空白詳細規(guī)范之一

。

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要求資料

下列所要求的各項內(nèi)容應列入規(guī)定的相應空欄中

,。

詳細規(guī)范的識別

:

授權發(fā)布詳細規(guī)范的國家標準化機構名稱

[1]。

詳細規(guī)范號

[2]IECQ。

總規(guī)范和分規(guī)范的版本號和標準號

[3]。

詳細規(guī)范的國家編號發(fā)布日期及國家標準體系要求的任何更詳細的資料

[4]、。

器件的識別

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主要功能和型號

[5]。

典型結構材料主要工藝和封裝的資料如果一種器件有幾種派生的產(chǎn)品那些不同點應