標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 36477-2018《半導(dǎo)體集成電路 快閃存儲器測試方法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在為快閃存儲器（Flash Memory）的測試提供統(tǒng)一的方法和規(guī)范。該標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了多種類型的快閃存儲器產(chǎn)品，包括NAND Flash和NOR Flash等，并針對這些產(chǎn)品的電氣特性、功能特性和可靠性等方面提出了詳細(xì)的測試要求與流程。

在電氣特性測試部分，標(biāo)準(zhǔn)定義了對快閃存儲器進(jìn)行電壓范圍、電流消耗、數(shù)據(jù)保留能力等方面的評估方法。這有助于確保產(chǎn)品能夠在制造商規(guī)定的條件下正常工作，并且具有良好的能耗表現(xiàn)。

對于功能特性測試，則主要關(guān)注讀寫速度、擦除時(shí)間以及錯(cuò)誤率等關(guān)鍵性能指標(biāo)。通過設(shè)定特定條件下的測試項(xiàng)目來驗(yàn)證快閃存儲器是否滿足設(shè)計(jì)規(guī)格書中所承諾的各項(xiàng)功能要求。

此外，標(biāo)準(zhǔn)還特別強(qiáng)調(diào)了對快閃存儲器可靠性的考察，包括耐久性測試、溫度循環(huán)試驗(yàn)等環(huán)境適應(yīng)性實(shí)驗(yàn)，以檢驗(yàn)其長期使用過程中可能出現(xiàn)的老化問題或故障風(fēng)險(xiǎn)。

整個(gè)標(biāo)準(zhǔn)文檔中還包括了一些具體的測試步驟說明、所需儀器設(shè)備介紹及結(jié)果分析指導(dǎo)等內(nèi)容，為企業(yè)實(shí)施相關(guān)測試活動提供了較為全面的技術(shù)支持。通過遵循此標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定執(zhí)行測試程序，可以有效提升產(chǎn)品質(zhì)量控制水平，促進(jìn)國內(nèi)快閃存儲器產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。


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....

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  • 2018-06-07 頒布
  • 2019-01-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T36477—2018

半導(dǎo)體集成電路

快閃存儲器測試方法

Semiconductorintegratedcircuit—

Measuringmethodsforflashmemory

2018-06-07發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T36477—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

一般要求

4…………………1

設(shè)備和條件

4.1…………………………1

電參數(shù)測試向量

4.2……………………1

詳細(xì)要求

5…………………2

輸出高電平電壓和輸出低電平電壓

5.1………………2

輸入高電平電壓和輸入低電平電壓

5.2………………3

輸入高電平電流和輸入低電平電流

5.3………………5

輸出高電平電流和輸出低電平電流

5.4………………5

輸出高電阻狀態(tài)電流

5.5………………6

電源電流和漏電流

5.6…………………6

傳輸時(shí)間

5.7……………7

建立時(shí)間和保持時(shí)間

5.8………………9

延遲時(shí)間

5.9……………11

有效時(shí)間適用時(shí)

5.10()………………11

存儲器的特定時(shí)間

5.11………………11

存儲單元變功能

5.1201……………11

存儲單元變功能

5.1310……………12

特殊數(shù)據(jù)圖形功能

5.14………………13

附錄資料性附錄快閃存儲器測試流程

A()……………14

GB/T36477—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中芯國際集成電路制造上海有限公司上海復(fù)旦

:、()、

微電子集團(tuán)股份有限公司深圳市中興微電子技術(shù)有限公司北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司復(fù)旦大

、、、

學(xué)中興通訊股份有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人菅端端陳大為鐘明琛羅曉羽馮光濤倪昊趙子鑒董藝田萬廷高碩

:、、、、、、、、、、

閔昊劉剛

、。

Ⅰ

GB/T36477—2018

半導(dǎo)體集成電路

快閃存儲器測試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路快閃存儲器電參數(shù)時(shí)間參數(shù)和存儲單元功能測試的基本方法

、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域中快閃存儲器電參數(shù)時(shí)間參數(shù)和存儲單元功能的測試

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

快閃存儲器flashmemory

一種非易失存儲器具有電可擦除可編程的特性主要特點(diǎn)是可以對大區(qū)塊進(jìn)行快速的讀寫

,,。

32

.

最壞情況條件worstcasecondition

把電源電壓輸入信號負(fù)載在標(biāo)稱范圍內(nèi)的最不利條件同時(shí)加到被測快閃存儲器上構(gòu)成的

、、。

4一般要求

41設(shè)備和條件

.

快閃存儲器的電特性測試不限定具體方式和設(shè)備宜在自動測試系統(tǒng)上進(jìn)行具體包括但不限于測

,,

試機(jī)探針臺高低溫沖擊設(shè)備和示波器

、、。

在電參數(shù)測試時(shí)應(yīng)制定測試向量使快閃存儲器處于所需的工作狀態(tài)后才能開始測試關(guān)于測試

,,,

向量的一般性要求應(yīng)符合的規(guī)定測試流程參見附錄

4.2,A。

除另有規(guī)定外快閃存儲器測試應(yīng)在環(huán)境氣壓為相對濕度為的范圍

,

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