GB/T 36477-2018半導體集成電路快閃存儲器測試方法

ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標準

GB/T36477—2018

半導體集成電路

快閃存儲器測試方法

Semiconductorintegratedcircuit—

Measuringmethodsforflashmemory

2018-06-07發(fā)布2019-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T36477—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

一般要求

4…………………1

設(shè)備和條件

4.1…………………………1

電參數(shù)測試向量

4.2……………………1

詳細要求

5…………………2

輸出高電平電壓和輸出低電平電壓

5.1………………2

輸入高電平電壓和輸入低電平電壓

5.2………………3

輸入高電平電流和輸入低電平電流

5.3………………5

輸出高電平電流和輸出低電平電流

5.4………………5

輸出高電阻狀態(tài)電流

5.5………………6

電源電流和漏電流

5.6…………………6

傳輸時間

5.7……………7

建立時間和保持時間

5.8………………9

延遲時間

5.9……………11

有效時間適用時

5.10()………………11

存儲器的特定時間

5.11………………11

存儲單元變功能

5.1201……………11

存儲單元變功能

5.1310……………12

特殊數(shù)據(jù)圖形功能

5.14………………13

附錄資料性附錄快閃存儲器測試流程

A()……………14

GB/T36477—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標準由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標準起草單位中國電子技術(shù)標準化研究院中芯國際集成電路制造上海有限公司上海復旦

:、()、

微電子集團股份有限公司深圳市中興微電子技術(shù)有限公司北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司復旦大

、、、

學中興通訊股份有限公司

、。

本標準主要起草人菅端端陳大為鐘明琛羅曉羽馮光濤倪昊趙子鑒董藝田萬廷高碩

:、、、、、、、、、、

閔昊劉剛

、。

Ⅰ

GB/T36477—2018

半導體集成電路

快閃存儲器測試方法

1范圍

本標準規(guī)定了半導體集成電路快閃存儲器電參數(shù)時間參數(shù)和存儲單元功能測試的基本方法

、。

本標準適用于半導體集成電路領(lǐng)域中快閃存儲器電參數(shù)時間參數(shù)和存儲單元功能的測試

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體器件集成電路第部分數(shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

快閃存儲器flashmemory

一種非易失存儲器具有電可擦除可編程的特性主要特點是可以對大區(qū)塊進行快速的讀寫

,,。

32

.

最壞情況條件worstcasecondition

把電源電壓輸入信號負載在標稱范圍內(nèi)的最不利條件同時加到被測快閃存儲器上構(gòu)成的

、、。

4一般要求

41設(shè)備和條件

.

快閃存儲器的電特性測試不限定具體方式和設(shè)備宜在自動測試系統(tǒng)上進行具體包括但不限于測

,,

試機探針臺高低溫沖擊設(shè)備和示波器

、、。

在電參數(shù)測試時應(yīng)制定測試向量使快閃存儲器處于所需的工作狀態(tài)后才能開始測試關(guān)于測試

,,,

向量的一般性要求應(yīng)符合的規(guī)定測試流程參見附錄

4.2,A。

除另有規(guī)定外快閃存儲器測試應(yīng)在環(huán)境氣壓為相對濕度為的范圍

,