標準解讀

《GB/T 37131-2018 納米技術(shù) 半導體納米粉體材料紫外-可見漫反射光譜的測試方法》是一項國家標準,主要針對半導體納米粉體材料進行紫外-可見漫反射光譜測試的方法進行了規(guī)范。該標準適用于表征和分析半導體納米粉體材料在紫外至可見光范圍內(nèi)的光學性質(zhì),通過測量樣品對特定波長范圍內(nèi)光線的吸收或反射特性來獲取信息。

根據(jù)此標準,測試過程中首先需要準備適當?shù)臉悠?,并確保其表面平整且無污染,以保證測試結(jié)果的準確性。然后,在選定合適的光源與探測器后,使用積分球或其他能夠有效收集散射光的方式進行光譜數(shù)據(jù)采集。為了提高數(shù)據(jù)可靠性,標準還建議采用參比樣品進行校正處理,并詳細說明了如何選取參比物質(zhì)以及具體的校正步驟。

此外,《GB/T 37131-2018》中還包含了對于儀器設(shè)備的要求、實驗條件的選擇(如溫度控制)、樣品制備方法等內(nèi)容。它強調(diào)了在整個測試流程中保持一致性和可重復性的重要性,同時也提供了關(guān)于數(shù)據(jù)分析和報告編寫方面的指導原則,比如如何正確解讀吸收峰位置及其強度變化所反映的信息等。


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....

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  • 2018-12-28 頒布
  • 2018-12-28 實施
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GB/T 37131-2018納米技術(shù)半導體納米粉體材料紫外-可見漫反射光譜的測試方法_第1頁
GB/T 37131-2018納米技術(shù)半導體納米粉體材料紫外-可見漫反射光譜的測試方法_第2頁
GB/T 37131-2018納米技術(shù)半導體納米粉體材料紫外-可見漫反射光譜的測試方法_第3頁
GB/T 37131-2018納米技術(shù)半導體納米粉體材料紫外-可見漫反射光譜的測試方法_第4頁
GB/T 37131-2018納米技術(shù)半導體納米粉體材料紫外-可見漫反射光譜的測試方法_第5頁
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文檔簡介

ICS17180

G10.

中華人民共和國國家標準

GB/T37131—2018

納米技術(shù)半導體納米粉體材料

紫外-可見漫反射光譜的測試方法

Nanotechnologies—Testmethodofsemiconductornanopowderusing

UV-Visdiffusereflectancespectroscopy

2018-12-28發(fā)布2018-12-28實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T37131—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

方法原理

4…………………2

儀器

5………………………3

紫外可見分光光度計

5.1-………………3

積分球

5.2………………3

樣品池

5.3………………4

參比白板

5.4……………4

儀器校準

5.5……………4

樣品制備

6…………………4

測試方法

7…………………4

測試條件

7.1……………4

測試步驟

7.2……………4

主要影響因素

7.3………………………5

數(shù)據(jù)處理與結(jié)果分析

8……………………5

測試報告

9…………………5

附錄資料性附錄金紅石型納米氧化鈦帶隙寬度值的計算

A()………6

附錄資料性附錄操作參數(shù)對納米氧化鋅紫外可見漫反射光譜的影響

B()-…………8

附錄資料性附錄測試報告

C()…………11

參考文獻

……………………12

GB/T37131—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由中國科學院提出

本標準由全國納米技術(shù)標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC279)。

本標準起草單位國家納米科學中心北京為康環(huán)保科技有限公司廣州特種承壓設(shè)備檢測研究院

:、、、

北京市理化分析測試中心北京科技大學北京粉體技術(shù)協(xié)會

、、。

本標準主要起草人樸玲鈺吳志嬌曹文斌楊麟高峽常懷秋劉文秀尹宗杰高原

:、、、、、、、、。

GB/T37131—2018

引言

與傳統(tǒng)的半導體材料相比半導體納米粉體材料呈現(xiàn)出特殊的光學和電學性質(zhì)具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)

,,

化特性在新能源制備環(huán)境保護化工醫(yī)藥航空和軍事等領(lǐng)域均得到廣泛應(yīng)用

,、、、、。

紫外可見漫反射光譜是研究半導體納米粉體材料光學性質(zhì)的重要表征手段可用于帶隙色差分

-,、

析表面吸附粉體之間的反應(yīng)以及其他一些重要性質(zhì)的研究在半導體納米粉體材料的紫外可見漫

,、,。-

反射光譜中特征漫反射峰位置與其帶隙直接相關(guān)帶隙是半導體納米粉體材料非常重要的物理特性

,。,

直接影響材料的光學性質(zhì)與應(yīng)用領(lǐng)域及范圍結(jié)合紫外可見漫反射光譜與庫貝爾卡蒙克

。--(Kubelka~

方程可計算半導體納米粉體材料的帶隙為滿足我國科研與生產(chǎn)部門的需求需要對該測試方

Munk)。,

法進行規(guī)范與標準化

。

GB/T37131—2018

納米技術(shù)半導體納米粉體材料

紫外-可見漫反射光譜的測試方法

1范圍

本標準規(guī)定了半導體納米粉體材料的紫外可見漫反射光譜測試方法

-。

本標準適用于不透光半導體納米粉體材料漫反射光譜的測試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

反射率測定儀校準規(guī)范

JJF1232

紫外可見近紅外分光光度計檢定規(guī)程

JJG178、、

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

半導體semiconductor

電阻率介于導體與絕緣體之間其范圍為-310的一種固體物質(zhì)電流是由帶

,10Ω·cm~10Ω·cm。

正電的空穴和帶負電的電子的定向傳輸實現(xiàn)的

。

定義

[GB/T14264—2009,3.218]

32

.

納米粉體nanopowder

離散納米顆粒的集合體

注改寫自定義

:GB/T19619—2004,3.2.1.1。

33

.

漫反射diffuseref

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