標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 37131-2018 納米技術(shù) 半導(dǎo)體納米粉體材料紫外-可見漫反射光譜的測試方法》是一項國家標(biāo)準(zhǔn),主要針對半導(dǎo)體納米粉體材料進(jìn)行紫外-可見漫反射光譜測試的方法進(jìn)行了規(guī)范。該標(biāo)準(zhǔn)適用于表征和分析半導(dǎo)體納米粉體材料在紫外至可見光范圍內(nèi)的光學(xué)性質(zhì),通過測量樣品對特定波長范圍內(nèi)光線的吸收或反射特性來獲取信息。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),測試過程中首先需要準(zhǔn)備適當(dāng)?shù)臉悠?,并確保其表面平整且無污染,以保證測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。然后,在選定合適的光源與探測器后,使用積分球或其他能夠有效收集散射光的方式進(jìn)行光譜數(shù)據(jù)采集。為了提高數(shù)據(jù)可靠性,標(biāo)準(zhǔn)還建議采用參比樣品進(jìn)行校正處理,并詳細(xì)說明了如何選取參比物質(zhì)以及具體的校正步驟。
此外,《GB/T 37131-2018》中還包含了對于儀器設(shè)備的要求、實驗條件的選擇(如溫度控制)、樣品制備方法等內(nèi)容。它強(qiáng)調(diào)了在整個測試流程中保持一致性和可重復(fù)性的重要性,同時也提供了關(guān)于數(shù)據(jù)分析和報告編寫方面的指導(dǎo)原則,比如如何正確解讀吸收峰位置及其強(qiáng)度變化所反映的信息等。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2018-12-28 頒布
- 2018-12-28 實施
文檔簡介
ICS17180
G10.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T37131—2018
納米技術(shù)半導(dǎo)體納米粉體材料
紫外-可見漫反射光譜的測試方法
Nanotechnologies—Testmethodofsemiconductornanopowderusing
UV-Visdiffusereflectancespectroscopy
2018-12-28發(fā)布2018-12-28實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T37131—2018
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
方法原理
4…………………2
儀器
5………………………3
紫外可見分光光度計
5.1-………………3
積分球
5.2………………3
樣品池
5.3………………4
參比白板
5.4……………4
儀器校準(zhǔn)
5.5……………4
樣品制備
6…………………4
測試方法
7…………………4
測試條件
7.1……………4
測試步驟
7.2……………4
主要影響因素
7.3………………………5
數(shù)據(jù)處理與結(jié)果分析
8……………………5
測試報告
9…………………5
附錄資料性附錄金紅石型納米氧化鈦帶隙寬度值的計算
A()………6
附錄資料性附錄操作參數(shù)對納米氧化鋅紫外可見漫反射光譜的影響
B()-…………8
附錄資料性附錄測試報告
C()…………11
參考文獻(xiàn)
……………………12
Ⅰ
GB/T37131—2018
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國科學(xué)院提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC279)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位國家納米科學(xué)中心北京為康環(huán)??萍加邢薰緩V州特種承壓設(shè)備檢測研究院
:、、、
北京市理化分析測試中心北京科技大學(xué)北京粉體技術(shù)協(xié)會
、、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人樸玲鈺吳志嬌曹文斌楊麟高峽常懷秋劉文秀尹宗杰高原
:、、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T37131—2018
引言
與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比半導(dǎo)體納米粉體材料呈現(xiàn)出特殊的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)
,,
化特性在新能源制備環(huán)境保護(hù)化工醫(yī)藥航空和軍事等領(lǐng)域均得到廣泛應(yīng)用
,、、、、。
紫外可見漫反射光譜是研究半導(dǎo)體納米粉體材料光學(xué)性質(zhì)的重要表征手段可用于帶隙色差分
-,、
析表面吸附粉體之間的反應(yīng)以及其他一些重要性質(zhì)的研究在半導(dǎo)體納米粉體材料的紫外可見漫
,、,。-
反射光譜中特征漫反射峰位置與其帶隙直接相關(guān)帶隙是半導(dǎo)體納米粉體材料非常重要的物理特性
,。,
直接影響材料的光學(xué)性質(zhì)與應(yīng)用領(lǐng)域及范圍結(jié)合紫外可見漫反射光譜與庫貝爾卡蒙克
。--(Kubelka~
方程可計算半導(dǎo)體納米粉體材料的帶隙為滿足我國科研與生產(chǎn)部門的需求需要對該測試方
Munk)。,
法進(jìn)行規(guī)范與標(biāo)準(zhǔn)化
。
Ⅳ
GB/T37131—2018
納米技術(shù)半導(dǎo)體納米粉體材料
紫外-可見漫反射光譜的測試方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體納米粉體材料的紫外可見漫反射光譜測試方法
-。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于不透光半導(dǎo)體納米粉體材料漫反射光譜的測試
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
反射率測定儀校準(zhǔn)規(guī)范
JJF1232
紫外可見近紅外分光光度計檢定規(guī)程
JJG178、、
3術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本文件
。
31
.
半導(dǎo)體semiconductor
電阻率介于導(dǎo)體與絕緣體之間其范圍為-310的一種固體物質(zhì)電流是由帶
,10Ω·cm~10Ω·cm。
正電的空穴和帶負(fù)電的電子的定向傳輸實現(xiàn)的
。
定義
[GB/T14264—2009,3.218]
32
.
納米粉體nanopowder
離散納米顆粒的集合體
。
注改寫自定義
:GB/T19619—2004,3.2.1.1。
33
.
漫反射diffuseref
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