- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2019-05-10 頒布
- 2019-12-01 實(shí)施
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文檔簡介
ICS27120
N05.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T37418—2019
硅酸镥硅酸釔镥閃爍單晶
、
Lutetiumoxorthosilicatelutetium-ttriumoxorthosilicatescintillation
y,yy
singleorystals
2019-05-10發(fā)布2019-12-01實(shí)施
國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T37418—2019
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
技術(shù)要求
4…………………2
概述
4.1…………………2
性能
4.2…………………2
外觀尺寸與形位公差
4.3、………………3
試驗(yàn)方法
5…………………3
試驗(yàn)條件
5.1……………3
光輸出
5.2………………4
能量分辨率
5.3…………………………4
衰減時(shí)間
5.4……………4
透過率
5.5………………4
輻照硬度
5.6……………4
外觀
5.7…………………4
尺寸
5.8…………………5
翹曲度
5.9(Warp)………………………5
總厚度偏差
5.10(TTV)………………5
表面粗糙度Ra
5.11()…………………5
垂直度
5.12………………5
面形偏差
5.13……………5
平行度
5.14………………5
檢驗(yàn)規(guī)則
6…………………5
檢驗(yàn)分類
6.1……………5
鑒定檢驗(yàn)
6.2……………5
質(zhì)量一致性檢驗(yàn)
6.3……………………7
交收檢驗(yàn)
6.4……………7
供貨方式包裝運(yùn)輸和隨行文件
7、、………………………8
供貨方式
7.1……………8
包裝
7.2…………………8
運(yùn)輸
7.3…………………8
隨行文件
7.4……………8
附錄規(guī)范性附錄輻照硬度試驗(yàn)方法
A()………………9
附錄規(guī)范性附錄垂直度測(cè)量方法
B()…………………11
附錄規(guī)范性附錄平行度測(cè)量方法
C()…………………12
Ⅰ
GB/T37418—2019
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國機(jī)械工業(yè)聯(lián)合會(huì)提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國儀表功能材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
(SAC/TC419)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所重慶材料研究院有限公司
:、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人王佳岑偉張俊付昌祿丁雨憧何倫英張弛徐揚(yáng)胡吉海李和新
:、、、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T37418—2019
硅酸镥硅酸釔镥閃爍單晶
、
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了摻鈰硅酸镥簡稱摻鈰硅酸釔镥
[Ce2xLu2(1-x)SiO5,Ce:LSO]、[Ce2x(Lu1-yYy)2(1-x)
簡稱閃爍單晶的術(shù)語和定義技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則供貨方式包裝運(yùn)輸及
SiO5,Ce:LYSO]、、、、、、
隨行文件
。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于閃爍單晶以下簡稱晶體其他閃爍晶體可以參考使用
Ce:LSO、Ce:LYSO(),。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
一般公差未注公差的線性和角度尺寸的公差
GB/T1804—2000
光學(xué)零件的面形偏差
GB/T2831—2009
核科學(xué)技術(shù)術(shù)語第部分核儀器儀表
GB/T4960.6—20086:
無色光學(xué)玻璃測(cè)試方法第部分光譜內(nèi)透射比
GB/T7962.12—201012:
輻照裝置的輻射防護(hù)與安全規(guī)范
GB10252—2009γ
固體激光材料名詞術(shù)語
GB/T11293—1989
閃爍體性能測(cè)量方法
GB/T13181—2002
碘化鈉鉈閃爍體和碘化鈉鉈閃爍探測(cè)器
GB/T13182—2007()()
半導(dǎo)體材料術(shù)語
GB/T14264—2009
聲表面波器件用單晶晶片規(guī)范與測(cè)量方法
GB/T30118—2013(SAW)
計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序及表
GJB179A—1996
高能粒子探測(cè)用摻鉈碘化銫晶體
JC/T2018—2010
3術(shù)語和定義
GB/T4960.6—2008、GB/T11293—1989、GB/T13182—2007、GB/T14264—2009、JC/T2018—
界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件
溫馨提示
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