GB/T 30118-2013聲表面波(SAW)器件用單晶晶片規(guī)范與測量方法

ICS31140

L21.

中華人民共和國國家標準

GB/T30118—2013

聲表面波SAW器件用單晶晶片

()

規(guī)范與測量方法

SinlecrstalwafersforsurfaceacousticwaveSAWdevicealications—

gy()pp

Specificationsandmeasuringmethods

(IEC62276:2005,MOD)

2013-12-17發(fā)布2014-05-15實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T30118—2013

目次

前言…………………………

Ⅲ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語和定義………………

31

技術(shù)要求…………………

46

材料…………………

4.16

晶片…………………

4.26

抽樣………………………

510

概述…………………

5.110

抽樣…………………

5.210

抽樣方案……………

5.310

全數(shù)檢驗……………

5.410

檢驗方法…………………

610

直徑…………………

6.110

厚度…………………

6.211

長度……………

6.3OF11

方向……………

6.4OF11

………………

6.5TV511

翹曲度………………

6.611

………………

6.7TTV11

晶片正面缺陷………………………

6.811

包裹體………………

6.911

背面粗糙度………………………

6.1011

晶片方向…………………………

6.1111

居里溫度…………………………

6.1211

晶格常數(shù)…………………………

6.1311

包裝標簽和標識交貨條件……………

7、、12

包裝…………………

7.112

標簽和標識…………………………

7.212

交貨條件……………

7.312

居里溫度的測量…………………………

812

概述…………………

8.112

測量方法……………………

8.2DTA12

介電常數(shù)方法………………………

8.313

晶格常數(shù)的測量方法…………

9(Bond)13

用射線定向儀測量晶面角度定向的方法……………………

10X-()()14

Ⅰ

GB/T30118—2013

測量原理…………………………

10.114

測量方法…………………………

10.215

晶片取向的測量…………………

10.315

方向的測量…………………

10.4OF15

典型的晶片切型和參考平面……………………

10.515

晶片正面檢查方法……………………

1116

附錄規(guī)范性附錄壓電單晶的歐拉角表示法………

A()17

附錄資料性附錄晶片制作工藝……………

B()SAW20

附錄資料性附錄本標準與的技術(shù)性差異及其原因…………

C()IEC62276:200526

Ⅱ

GB/T30118—2013

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準使用翻譯法修改采用聲表面波器件用單晶晶片規(guī)范與測量方法

IEC62276:2005《(SAW)》。

本標準在采用國際標準時進行了修改這些技術(shù)性差異用垂直單線標識在它們所涉及的條款的頁

。

邊空白處在附錄中給出了技術(shù)性差異及其原因的一覽表以供參考

。C。

本標準還作了下列編輯性修改

:

刪除了標準前言

———IEC。

在引用標準中用產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法術(shù)語定義及

———,GB/T3505《(GPS)、

表面結(jié)構(gòu)參數(shù)代替用計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量

》ISO4287;GB/T2828.1《1:

限檢索的逐批檢驗抽樣計劃代替用人造石英晶體規(guī)范與

(AQL)》IEC60410;GB/T3352《

使用指南代替此外還增加了硅片厚度和總厚度變化測試方法

》IEC60758;,GB/T6618《》。

在圖中原文把第二基準面與基準面畫成一樣是不正確的產(chǎn)品加工中第二基準面應比基準

———1,,

面短以便區(qū)分

,。

本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標準由全國頻率控制和選擇用壓電器件標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC182)。

本標準起草單位中國電子科技集團第二十六研究所中國電子科技集團德清華瑩電子有限公司

:、、

北京石晶光電科技有限公司

。

本標準主要起草人張小梅蔣春健吳兆剛吳劍波趙雄章周洋舟

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T30118—2013

聲表面波SAW器件用單晶晶片

()

規(guī)范與測量方法

1范圍

本標準規(guī)定了人造石英鈮酸鋰鉭酸鋰四硼酸鋰和硅酸鎵鑭等單晶晶

、(LN)、(LT)、(LBO)(LGS)

片等

。

本標準適用于人造石英鈮酸鋰鉭酸鋰四硼酸鋰和硅酸鎵鑭等單晶晶

、(LN)、(LT)、(LBO)(LGS)

片這些單晶晶片用作聲表面波濾波器和諧振器等基片材料

。(SAW)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

(ISO2859-1:1999,IDT)

人造石英晶體規(guī)范與使用指南

GB/T3352(IEC60758:2008,MOD)

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法術(shù)語定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)

GB/T3505(GPS)、