標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 38446-2020 微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 帶狀薄膜抗拉性能的試驗方法》是一項國家標(biāo)準(zhǔn),旨在規(guī)范微機電系統(tǒng)中帶狀薄膜材料的抗拉性能測試過程。該標(biāo)準(zhǔn)適用于MEMS領(lǐng)域內(nèi)使用的各種帶狀薄膜材料,通過定義統(tǒng)一的測試方法來確保不同實驗室或機構(gòu)間測試結(jié)果的一致性和可比性。

標(biāo)準(zhǔn)首先明確了術(shù)語和定義部分,對關(guān)鍵概念如“帶狀薄膜”、“抗拉強度”等進行了界定,為后續(xù)內(nèi)容的理解奠定了基礎(chǔ)。接著,在試驗設(shè)備章節(jié)里,詳細(xì)描述了進行此類實驗所需的基本裝置配置要求,包括但不限于拉伸試驗機、夾具以及測量工具等,并規(guī)定了這些設(shè)備的具體技術(shù)參數(shù)與精度等級。

對于樣品制備,《GB/T 38446-2020》提出了明確的操作指南,涵蓋從選取合適尺寸的試樣到如何正確安裝于測試儀器上的全過程。同時,還特別強調(diào)了環(huán)境條件(如溫度、濕度)對測試結(jié)果的影響,建議在控制良好的條件下開展實驗以減少外界因素干擾。

在試驗步驟方面,標(biāo)準(zhǔn)詳盡地列出了每一步驟的具體操作流程,從加載方式的選擇到數(shù)據(jù)記錄方法均有涉及。此外,還針對可能出現(xiàn)的數(shù)據(jù)異常情況給出了處理建議。最后,在結(jié)果計算與表示環(huán)節(jié),《GB/T 38446-2020》提供了公式用于計算關(guān)鍵指標(biāo)值,并指導(dǎo)如何準(zhǔn)確表達(dá)最終測試成果。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2020-03-06 頒布
  • 2020-10-01 實施
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GB/T 38446-2020微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)帶狀薄膜抗拉性能的試驗方法_第1頁
GB/T 38446-2020微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)帶狀薄膜抗拉性能的試驗方法_第2頁
GB/T 38446-2020微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)帶狀薄膜抗拉性能的試驗方法_第3頁
GB/T 38446-2020微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)帶狀薄膜抗拉性能的試驗方法_第4頁
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GB/T 38446-2020微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)帶狀薄膜抗拉性能的試驗方法-免費下載試讀頁

文檔簡介

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T38446—2020

微機電系統(tǒng)MEMS技術(shù)

()

帶狀薄膜抗拉性能的試驗方法

Micro-electromechanicalsystemtechnology—

Testmethodsfortensilepropertymeasurementofstripthinfilms

2020-03-06發(fā)布2020-10-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T38446—2020

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

試驗方法

4…………………2

數(shù)據(jù)處理

5…………………4

附錄資料性附錄采用工藝的樣品制備

A()MEMS……………………5

附錄資料性附錄對準(zhǔn)偏差和幾何結(jié)構(gòu)對性能測試的影響

B()………7

附錄資料性附錄納米壓痕儀的測試結(jié)果誤差及補償

C()……………9

參考文獻(xiàn)

……………………10

GB/T38446—2020

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微機電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京大學(xué)中機生產(chǎn)力促進中心北京智芯傳感科技有限公司無錫華潤上華科技

:、、、

有限公司中北大學(xué)北京必創(chuàng)科技股份有限公司

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張威李海斌張亞婷朱悅夏長奉石云波陳得民馬書嫏程紅兵周浩楠

:、、、、、、、、、。

GB/T38446—2020

微機電系統(tǒng)MEMS技術(shù)

()

帶狀薄膜抗拉性能的試驗方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了帶狀薄膜抗拉性能的試驗方法及數(shù)據(jù)處理

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于厚度在到數(shù)微米之間且長度和厚度的比值大于的樣品也可用于

50nm300,MEMS

產(chǎn)品帶狀薄膜結(jié)構(gòu)的質(zhì)量監(jiān)控

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微機電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語

GB/T26111(MEMS)

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T26111。

31

.

彈性模量modulusofelasticity

E

材料在彈性變形階段時應(yīng)力與應(yīng)變的比值

,。

注改寫定義

:GB/T3102.3—1993,3.18.1。

32

.

屈服強度yieldstrength

Re

當(dāng)材料呈現(xiàn)屈服現(xiàn)象時在試驗期間達(dá)到塑性變形發(fā)生而力不增加的應(yīng)力點

,。

注1改寫定義

:GB/T228.1—2010,3.10.2。

注2對于屈服現(xiàn)象明顯的材料屈服強度就是材料發(fā)生屈服現(xiàn)象時屈服極限的應(yīng)力對于屈服現(xiàn)象不明顯的材料

:,;,

屈服強度為應(yīng)變達(dá)到殘余應(yīng)變時的應(yīng)力

0.2%。

33

.

抗拉強度tensilestrength

Rm

材料拉斷過程中對應(yīng)的最大應(yīng)力

。

注改寫定義

:GB/T228.1—2010,3.10.1。

34

.

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