GB/T 4060-2007硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法

犐犆犛７７．０４０．０１

犎１７

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜４０６０—２００７

代替ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法

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２００７０９１１發(fā)布２００８０２０１實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標準

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法

ＧＢ／Ｔ４０６０—２００７

中國標準出版社出版發(fā)行

北京西城區(qū)復興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

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電話：（０１０）５１２９９０９０、６８５２２００６

２００８年２月第一版

書號：１５５０６６·１３０５３５

版權專有侵權必究

舉報電話：（０１０）６８５２２００６

書

犌犅／犜４０６０—２００７

前言

本標準是對國家標準ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３《硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法》的修訂。

本標準與ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３相比，主要變動如下：

———檢測雜質濃度范圍擴大為０．００２×１０－９～１００×１０－９；

———增加了“規(guī)范性引用文件”、“術語”、“允許差”、“計算”；

———將原標準中的第５章“檢驗條件”修訂為“干擾因素”；

———將原標準中的取樣位置修訂為距多晶硅棒表面不低于５ｍｍ，距多晶硅棒底部不低于５０ｍｍ；

———將原標準中的試樣尺寸范圍修訂為直徑１５ｍｍ～２０ｍｍ，長度為１８０ｍｍ。

本標準自實施之日起，同時代替ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３。

本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：峨眉半導體材料廠。

本標準主要起草人：羅莉萍、梁洪、覃銳兵、王炎、王向東。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３。

Ⅰ

書

犌犅／犜４０６０—２００７

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法

１范圍

本標準適用于多晶硅沉積在硅芯上生長的多晶硅棒基硼的檢驗。

本標準檢測雜質濃度有效范圍：０．００２×１０－９～１００×１０－９。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ１５５１硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法

ＧＢ／Ｔ１５５４硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

ＧＢ／Ｔ１５５５半導體單晶晶向測定方法

ＧＢ／Ｔ１３３８９摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體材料術語

３術語和定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４確立的下列術語和定義適用于本標準。

３．１

硅芯狊犾犻犿狉狅犱

小直徑硅棒，用以提供多晶沉積的基體。

３．２

生長層犵狉狅狑狋犺犾犪狔犲狉

在硅芯上沉積生長的多晶硅層。

３．３

樣芯狊犪犿狆犾犲犮狅狉犲

用空心鉆頭，從多晶棒上鉆取的圓柱體。

３．４

控制棒犮狅狀狋狉狅犾狉狅犱

從有均勻沉積生長層的已知其硼含量的多晶棒上取得的多晶硅圓柱體。

４方法提要

在真空度不低于１．３３×１０－２Ｐａ，以１．０ｍｍ／ｍｉｎ的速度區(qū)熔提純１４次成晶后，