標準解讀

《GB/T 4060-1983 硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法》是一項國家標準，專門用于指導硅多晶材料中硼含量的測定。該標準適用于采用真空區(qū)熔技術(shù)制備的硅多晶棒或塊材內(nèi)微量至痕量級別硼雜質(zhì)的檢測。

根據(jù)此標準規(guī)定的方法，首先需要將待測樣品加工成適合分析的形式，通常是通過機械手段將其制成粉末或者薄片狀。接著，在特定條件下使用化學試劑處理樣品，以便于后續(xù)分析步驟能夠有效進行。這些條件包括但不限于溫度、時間以及所使用的溶劑種類等參數(shù)的選擇。

關(guān)鍵步驟之一是利用分光光度法或其他適宜的技術(shù)來定量測定樣品中的硼濃度。這一步驟要求操作人員具備一定的專業(yè)知識和技術(shù)背景，以確保實驗結(jié)果準確可靠。同時，為了保證數(shù)據(jù)的有效性與可比性，《GB/T 4060-1983》還對實驗過程中的質(zhì)量控制措施進行了詳細說明，比如通過設(shè)置空白對照組和標準樣品來進行校正，并且對于每批次測試都應實施重復性檢查。

此外，本標準也強調(diào)了實驗室環(huán)境條件的重要性，指出所有分析工作應在符合要求的清潔環(huán)境中開展，避免外界因素干擾最終結(jié)果。對于儀器設(shè)備的要求同樣嚴格，不僅需要定期維護保養(yǎng)，還要經(jīng)過校準才能投入使用。


如需獲取更多詳盡信息，請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標準文檔。

....

查看全部

  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 4060-2007
  • 1983-12-20 頒布
  • 1984-12-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 4060-1983硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法_第1頁
GB/T 4060-1983硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法_第2頁
免費預覽已結(jié)束，剩余6頁可下載查看

下載本文檔

GB/T 4060-1983硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法-免費下載試讀頁

文檔簡介

UDC669.782:548：2:543.06中華人民共和國國家標準GB4060-83硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法Polycrystallinesilicon-Examinationmethod-Vacuumzonee-melting：Onboron1983-12-20發(fā)布1984-12-01實施家標準局批批準

中華人民共和國國家標準UDC689.782:548.2:543.08硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法GB4060-83Polycrystallinesilicon-Examinationmethod-Vacuumzone-meltingonboron本標準適用于三氯氫硅及四氯化硅氫還原在細硅芯上沉積硅多晶所生長出來的硅多晶棒.檢測雜質(zhì)濃度有效范圍0.02～20ppba。P型電阻率范圍500～100000·cm。方法原理1.原理利用硅區(qū)熔時硅中磷硼的有效分系數(shù)的差別及磷硼從硅中蒸發(fā)速率的差別。1.2方法真空區(qū)熔法。2試樣制備2.1取樣部位除在橋形硅多晶棒硅芯搭接處或者直的硅多晶棒離石墨卡頭10mm-一段外均可取樣（如圖1）。2.2試樣尺寸直徑10～40mm。長度70～200mm。2.3試樣處理2.3.1在化學純丙酮中洗樣去油。2.3.2用化學純乙醇清洗20～303后用電阻率大于10MQ的去離子水沖洗。2.3.3在優(yōu)級純HF:HNO，1：（3～5）體積的混合酸液中腐蝕2min。在第二份優(yōu)級純HF.HNO，1；（3～5）的混合酸液中腐蝕2min。2.8.42.3.5用電阻率大于10M0的去離子水沖洗試樣至中性。2.3.6將試樣經(jīng)超聲波或用去離子水多次煮沸，洗滌，烘

溫馨提示

  • 1. 本站所提供的標準文本僅供個人學習、研究之用，未經(jīng)授權(quán)，嚴禁復制、發(fā)行、匯編、翻譯或網(wǎng)絡(luò)傳播等，侵權(quán)必究。
  • 2. 本站所提供的標準均為PDF格式電子版文本（可閱讀打印），因數(shù)字商品的特殊性，一經(jīng)售出，不提供退換貨服務。
  • 3. 標準文檔要求電子版與印刷版保持一致，所以下載的文檔中可能包含空白頁，非文檔質(zhì)量問題。

最新文檔

評論

0/150

提交評論