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  • 2012-11-05 頒布
  • 2013-02-15 實(shí)施
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GB/T 4937.4-2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第4部分:強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)(HAST)_第1頁(yè)
GB/T 4937.4-2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第4部分:強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)(HAST)_第2頁(yè)
GB/T 4937.4-2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第4部分:強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)(HAST)_第3頁(yè)
GB/T 4937.4-2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第4部分:強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)(HAST)_第4頁(yè)
GB/T 4937.4-2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第4部分:強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)(HAST)_第5頁(yè)
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ICS3108001

L40..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T49374—2012/IEC60749-42002

.:

半導(dǎo)體器件

機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第4部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)HAST

:()

Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—

Part4DamheatsteadstatehihlacceleratedstresstestHAST

:p,y,gy()

(IEC60749-4:2002,IDT)

2012-11-05發(fā)布2013-02-15實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

半導(dǎo)體器件

機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第4部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)HAST

:()

GB/T4937.4—2012/IEC60749-4:2002

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

/p>

年月第一版

20132

*

書號(hào)

:155066·1-46248

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T49374—2012/IEC60749-42002

.:

前言

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

———4:(HAST);

第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內(nèi)部水汽含量測(cè)試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標(biāo)志耐久性

———9:;

第部分機(jī)械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分變頻振動(dòng)

———12:;

第部分鹽氣

———13:;

第部分引線牢固性引線強(qiáng)度

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測(cè)

———16:(PIND);

第部分中子輻射

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強(qiáng)度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件的耐濕和耐焊接熱

———20:;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強(qiáng)度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無(wú)偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)

———24:;

第部分溫度循環(huán)

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)人體模式

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)機(jī)械模式

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)器件帶電模式考慮中

———28:(ESD)(CDM)();

第部分門鎖試驗(yàn)

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無(wú)偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環(huán)

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學(xué)掃描

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

第部分手持電子產(chǎn)品用元器件桌面跌落試驗(yàn)方法

———37:;

GB/T49374—2012/IEC60749-42002

.:

第部分半導(dǎo)體器件的軟錯(cuò)誤試驗(yàn)方法

———38:;

第部分半導(dǎo)體元器件原材料的潮氣擴(kuò)散率和水溶解率測(cè)量

———39:。

本部分是的第部分

GB/T49374。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分強(qiáng)

IEC60749-4:2002《4:

加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

(HAST)》。

為便于使用本部分做了下列編輯性修改和勘誤

,:

用小數(shù)點(diǎn)代替作為小數(shù)點(diǎn)的逗號(hào)

a)“.”“,”;

刪除國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的前言

b);

將第章中見改為見

c)8e)“3.1”“4.2”。

本部分由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所

:。

本部分主要起草人李麗霞陳海蓉崔波

:、、。

GB/T49374—2012/IEC60749-42002

.:

半導(dǎo)體器件

機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第4部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)HAST

:()

1范圍

的本部分規(guī)定了強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)方法用于評(píng)價(jià)非氣密封裝半導(dǎo)體器件

GB/T4937(HAST),

在潮濕的環(huán)境下的可靠性

。

2強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)HAST—一般說(shuō)明

()

強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)通過(guò)施加嚴(yán)酷的溫度濕度和偏置條件來(lái)加速潮氣穿透外部保護(hù)材料灌封或

、(

密封或外部保護(hù)材料和金屬導(dǎo)體的交接面此試驗(yàn)應(yīng)力產(chǎn)生的失效機(jī)理通常與穩(wěn)態(tài)溫濕度偏

)?!?5/85”

置壽命試驗(yàn)見相同試驗(yàn)方法可以從穩(wěn)態(tài)壽命試驗(yàn)或本試驗(yàn)方法中選

(IEC60749-5)。85℃/85%RH

擇在執(zhí)行兩種試驗(yàn)方法時(shí)穩(wěn)態(tài)壽命試驗(yàn)的結(jié)果優(yōu)先于強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

。,85℃/85%RH

(HAST)。

本試驗(yàn)方法應(yīng)被視為破壞性試驗(yàn)

。

3試驗(yàn)設(shè)備

試驗(yàn)需要一臺(tái)能連續(xù)保持規(guī)定的溫度和相對(duì)濕度的壓力容器同時(shí)提供電連接試驗(yàn)時(shí)給器件施加

,,

規(guī)定的偏置條件

。

31受控條件

.

在上升到規(guī)定的試驗(yàn)環(huán)境和從規(guī)定的試驗(yàn)環(huán)境下降過(guò)程中壓力容器應(yīng)能夠提供受控的壓力溫度

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