• 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 5201-2012
  • 1994-12-22 頒布
  • 1995-10-01 實施
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GB/T 5201-1994帶電粒子半導體探測器測試方法_第1頁
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文檔簡介

9DG539.1.074：001.4F80中華人民共和國國家標準GB/T5201-94帶電粒子半導體探測器測試方法Testproceduresforsemicorductorchargedparticledetectors1994-12-22發(fā)布1995-10-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準GB/T5201-94帶電粒子半導體探測器測試方法代替GB5201-85Testproceduresforsemiconductorchargedparticledetectors主題內客與適用范圍本標準規(guī)定了帶電粒子半導體探測器電特性和核輻射性能的測試方法以及某些特殊環(huán)境的試驗方法本標準適用于探測帶電粒子的部分耗盡金硅面全型、鋰漂移金硅面壘型和表面鈍化離子注入平面硅型等半導體探測器。全全耗盡金硅面全型探測器的某些性能測試也應參照本標準進行。2術語、竹號2.1術語2.1.1靈敏層sensitivelayer半導體探測器中對輻射靈敏的那一層物質。粒子在其中損失的能量可轉換成電信號。2.1.2靈敏面sensitivearea深測器中輻射最易進入靈敏層的那部分表面。2.1.3死層deadlayer從探測器靈敏層入射的帶電粒子在進入靈敏層前必須經過的一層物質。在這層物質中，粒子損失的能量不轉換成電信號。2.1.4偏壓biasvoltage探測器工作時所加電壓。它在靈敏層中產生一個使信號電荷迅速向電極移動的強電場。2.1.5探測器電容capacitanceofdetector在給定偏壓下，探測器兩極間的總電容。2.1.6能量分辨率energyresolution深探測器分辨入射粒子能量的能力。通常以規(guī)定能量射線譜線的半高寬表示。2.1.7半高寬（FwHM)fullwidthathalfmaximum在在譜線中僅由單峰構成的分布曲線上，峰值一半處兩點間橫坐標之差.2.1.8申上升時間electricalrisetime探測器電參數引起的輸出信號從終值的10%到90%所需的時間。2.1.9電荷收集時間chargecollectiontime電離粒子穿過半導體探測器時,由收集電荷形成的積分電流從最終值的10%到90%所需要的時間2.1.10十分之一高寬(FwTM）fullwidthattenthmaximum譜線中，在單峰分布

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