GB/T 5201-2012帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器測(cè)量方法

ICS27120

F88.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T5201—2012

代替

GB/T5201—1994

帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器測(cè)量方法

Testproceduresforsemiconductorchargedparticledetectors

(IEC60333:1993Nuclearinstrumentation—Semiconductorchargedparticle

detectors—Testprocedures,NEQ)

2012-06-29發(fā)布2012-11-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T5201—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器測(cè)試方法本標(biāo)準(zhǔn)與

GB/T5201—1994《》,GB/T5201—1994

以下簡(jiǎn)稱(chēng)原標(biāo)準(zhǔn)相比主要技術(shù)變化如下

(),:

增加了前言

———;

增加了第章規(guī)范性引用文件其他章的編號(hào)依次后推

———2“”,;

將原標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語(yǔ)符號(hào)改為第章術(shù)語(yǔ)和定義并完全引用不再另行

———“、”3“”,GB/T4960.6—2008,

編寫(xiě)

;

刪除了原標(biāo)準(zhǔn)符號(hào)部分在文中用到符號(hào)的地方予以說(shuō)明

———2.2“”,;

增加了測(cè)試的參考條件或標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件代替原標(biāo)準(zhǔn)

———4.1“”3.1;

將原標(biāo)準(zhǔn)和合并為刪除了原標(biāo)準(zhǔn)

———3.33.44.3;3.7;

電壓電流特性特性增加了反向特性測(cè)試

———5.1“-(V-I)”V-I;

將原標(biāo)準(zhǔn)噪聲測(cè)量前的懸置段改為測(cè)量方法和測(cè)量系統(tǒng)其他節(jié)編號(hào)依次

———4.3“”5.3.1“”,

后推

;

將原標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器噪聲隨放大器時(shí)間常數(shù)的變化增加新內(nèi)容后改為

———4.3.6“”,5.3.7;

電荷收集時(shí)間增加了對(duì)快慢探測(cè)器的區(qū)分標(biāo)準(zhǔn)

———5.4.2“”“”、“”;

第章環(huán)境試驗(yàn)完全引用不再另行編寫(xiě)

———7“”GB/T10263—2006,。

本標(biāo)準(zhǔn)使用重新起草法參考核儀器半導(dǎo)體帶電粒子探測(cè)器試驗(yàn)程序編制

IEC60333:1993《》,

與的一致性程度為非等效

IEC60333:1993。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)核儀器儀表標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC30)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中核北京核儀器廠

:()。

本標(biāo)準(zhǔn)起草人李志勇王軍

:、。

Ⅰ

GB/T5201—2012

帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器測(cè)量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器的電特性和核輻射性能的測(cè)量方法以及某些特殊環(huán)境的試驗(yàn)

方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于帶電粒子部分耗盡層的半導(dǎo)體探測(cè)器

。

全耗盡型半導(dǎo)體探測(cè)器的測(cè)量可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

核科學(xué)技術(shù)術(shù)語(yǔ)第部分核儀器儀表

GB/T4960.6—20086:

核輻射探測(cè)器環(huán)境條件與試驗(yàn)方法

GB/T10263—2006

金硅面壘型探測(cè)器

GB/T13178—2008

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T4960.6—2008。

4一般要求

41測(cè)量應(yīng)在參考條件或標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件見(jiàn)表下進(jìn)行

.(1)。

表1參考條件或標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件

項(xiàng)目參考條件標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件

環(huán)境溫度

20℃18℃~22℃

相對(duì)濕度

65%50%~75%

大氣壓強(qiáng)

101.3kPa86kPa~106kPa

交流供電電壓UaU

N(1±1.0%)N

交流供電頻率b

50Hz(1±1%)×50Hz

交流供電波形正弦波波形總畸變﹤

5%

直流供電電壓額定值

±1%

環(huán)境γ輻射空氣吸收劑量率

()0.1μGy/h<0.25μGy/h

外磁場(chǎng)干擾可忽略