標準解讀

《GB/T 6624-1995 硅拋光片表面質量目測檢驗方法》與《GB 6624-1986》相比，在內容上進行了多方面的更新和細化，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

首先，《GB/T 6624-1995》將標準類型從強制性國家標準（GB）調整為推薦性國家標準（GB/T），這一變化反映了國家對于此類技術規(guī)范的態(tài)度更加開放，鼓勵但不強制企業(yè)遵循。

其次，新版本對硅拋光片的定義、分類以及適用范圍做了更為明確的規(guī)定。例如，對于不同規(guī)格的硅片提出了具體要求，并且增加了對某些特殊用途硅片的要求說明，這有助于提高標準的實際應用性和指導意義。

再者，《GB/T 6624-1995》中關于目視檢測條件的要求也有所加強，不僅明確了環(huán)境光照度的具體數(shù)值，還增加了對觀察者視力狀態(tài)的要求，確保了檢驗結果的一致性和準確性。

此外，新版標準還詳細描述了缺陷類型的識別方法及其判定依據(jù)，比如劃痕、點狀缺陷等常見問題的處理方式都有所改進或補充，使得整個檢驗流程更加系統(tǒng)化、規(guī)范化。


如需獲取更多詳盡信息，請直接參考下方經官方授權發(fā)布的權威標準文檔。

....

查看全部

  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 6624-2009
  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實施
?正版授權
GB/T 6624-1995硅拋光片表面質量目測檢驗方法_第1頁
GB/T 6624-1995硅拋光片表面質量目測檢驗方法_第2頁
免費預覽已結束，剩余6頁可下載查看

下載本文檔

GB/T 6624-1995硅拋光片表面質量目測檢驗方法-免費下載試讀頁

文檔簡介

UDC669.782-415：056.9·620.191.3H21中華人民共和國國家標準GB/T6624-1995硅拋光片表面質量目測檢驗方法Standardmethodformeasuringthesurfacegualityofpolishedsiliconslicesbyvisualinspection1995-04-18發(fā)布1995-12-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準GB/T6624-1995硅拋光片表面質量目測檢驗方法代警GB6624-86Standardmethodformeasuringthesurfacegualttyofpolishedsiliconsltcesbyvtsualinspectlon主題內客與適用范圍本標準規(guī)定了在一定光照條件下，用目測檢驗硅單品單面拋光片（以下簡稱拋光片）表面質量的方法本標準適用于硅拋光片表面質量檢驗2引用標準GB/T14264華導體材料術語方法原理硅拋光片表面質量缺陷在一定光照條件下可產生光的漫反射，且能目測觀察，據(jù)此可目測檢驗其表面缺陷。目測檢驗的光照條件分成二類：直射匯寨光和大面積漫射光.目測檢驗的缺陷包括單晶的原生缺陷和拋光片制備及包裝過程中所引入的缺陷4設各和器具4..1高強度匯聚光源：鴨絲燈。離光源100mm處匯聚光束斑直徑20～40mm,照度不小于16000k.4.2大面積漫射光源：可調節(jié)光強度的熒光燈或乳白燈，使檢測面上的光強度為430～650k。4.3凈化臺：大小能容納檢測設備，凈化級別優(yōu)于100級，高凈化臺正面邊緣230mm處背景照度為50~650lx。4.4真空吸筆：吸筆頭可拆卸清洗，地光片與其接觸后不留下任何痕跡，不引入任何缺陷。4.5照度計：應可測到100～2200k。5試樣按照規(guī)定的抽樣方案或商定的抽樣方案從清洗后的拋光片中抽取試樣6檢測程序6.1檢測條件6.1.1在100級凈化臺內，用真空吸筆吸住拋光片背面,使拋光面向上，正對光源。光源、拋光片與檢測人員位置如圖所示。光源離拋光片距離為50～100mm。a角為45"士1

溫馨提示

  • 1. 本站所提供的標準文本僅供個人學習、研究之用，未經授權，嚴禁復制、發(fā)行、匯編、翻譯或網絡傳播等，侵權必究。
  • 2. 本站所提供的標準均為PDF格式電子版文本（可閱讀打?。?，因數(shù)字商品的特殊性，一經售出，不提供退換貨服務。
  • 3. 標準文檔要求電子版與印刷版保持一致，所以下載的文檔中可能包含空白頁，非文檔質量問題。

評論

0/150

提交評論