標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 12965-1996 硅單晶切割片和研磨片》標(biāo)準(zhǔn)相比其前身《GB 12965-1991》，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和更新：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)的改變：從標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)的變化可以看出，從原來(lái)的GB（國(guó)家強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)）變更為GB/T（國(guó)家推薦性標(biāo)準(zhǔn)），意味著該標(biāo)準(zhǔn)從強(qiáng)制執(zhí)行轉(zhuǎn)變?yōu)橥扑]使用，給予企業(yè)更多選擇空間。

  2. 技術(shù)內(nèi)容的修訂：對(duì)硅單晶切割片和研磨片的技術(shù)要求進(jìn)行了細(xì)化和優(yōu)化，可能包括尺寸公差、表面粗糙度、平整度、潔凈度等方面的要求更加明確和嚴(yán)格，以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)的需求變化。

  3. 檢測(cè)方法的改進(jìn)：更新了對(duì)硅單晶片的檢測(cè)和試驗(yàn)方法，引入了更先進(jìn)的檢測(cè)技術(shù)和手段，提高了檢測(cè)的準(zhǔn)確性和效率。這可能涵蓋了切割損傷層深度的測(cè)量、微缺陷檢測(cè)技術(shù)等方面。

  4. 質(zhì)量控制指標(biāo)的調(diào)整：根據(jù)行業(yè)發(fā)展的實(shí)際情況，對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量控制指標(biāo)進(jìn)行了適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，如可能增加了對(duì)特定雜質(zhì)含量的限制，或是對(duì)機(jī)械強(qiáng)度的要求有所提高，以確保產(chǎn)品性能的穩(wěn)定性和一致性。

  5. 標(biāo)準(zhǔn)適用范圍的明確：對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍進(jìn)行了重新界定或說(shuō)明，可能更清晰地界定了適用于哪些類型的硅單晶材料及其應(yīng)用領(lǐng)域，便于企業(yè)和用戶準(zhǔn)確理解和執(zhí)行。

  6. 術(shù)語(yǔ)和定義的完善：隨著行業(yè)的發(fā)展，對(duì)一些專業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了修訂或新增，使得標(biāo)準(zhǔn)中的表述更加準(zhǔn)確無(wú)歧義，有助于行業(yè)內(nèi)的交流與理解。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 12965-2005
  • 1996-11-04 頒布
  • 1997-04-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29.045H82中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T12965-1996.硅單晶切割片和研磨片Monocrystallinesiliconascutslicesandlappedslices1996-11-04發(fā)布1997-04-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T12965-1996前本標(biāo)準(zhǔn)參照國(guó)外有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合我國(guó)硅材料的使用情況,對(duì)GB12965—91進(jìn)行修訂而成的。。修訂時(shí)保留了原標(biāo)準(zhǔn)中符合我國(guó)實(shí)際的內(nèi)容。修訂后的本標(biāo)準(zhǔn),刪去了原標(biāo)準(zhǔn)中的直徑90mm的規(guī)格，增加了直徑125mm的規(guī)格，主要技術(shù)指標(biāo)，都有不同程度的提高。與本標(biāo)準(zhǔn)配套的標(biāo)準(zhǔn)有：GB/T12962硅單晶本標(biāo)準(zhǔn)從1997年4月1日起實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)從生效之日起，代替GB12965-91。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：洛陽(yáng)單品硅廠和中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王從贊、郭瑾、吳福立。本標(biāo)準(zhǔn)首次發(fā)布日期：1991年6月。

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)硅單晶切割片和研磨片CB/T12965-1996Monocrystallinesiliconascutslices代替GB12965—91andlappedslices1范園本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了單品切割片和研磨片（簡(jiǎn)稱硅片)的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、財(cái)存。本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉、懸浮區(qū)熔和中子煊變摻雜硅單品經(jīng)切割、雙面研磨制備的圓形硅片，硅片直徑范圍為50.8～125mm。產(chǎn)品用于制作晶體管、整流器件等半導(dǎo)體器件,或進(jìn)一步加工成硅拋光片。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過(guò)在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí)，所示版本均為有效，所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性GB/T1550硅單晶導(dǎo)電類型測(cè)定方法GB/T1552一1995硅、錯(cuò)單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)℅B/T1554一1995硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法GB1556—79硅單晶晶向X光衍射測(cè)量方法GB2828—87逐批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批檢查)GB/T6618一1995硅片厚度和總厚度變化的測(cè)試方法GB/T6620—1995硅片翹曲度的非接觸式測(cè)試方法GB/T6624一1995硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法GB11073—89硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法GB/T12962-1996硅單晶GB/T13387—92電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法GB/T14140—93硅片直徑測(cè)量方法GB/T14844—93半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法3產(chǎn)品分類3.1分類健片按導(dǎo)電類型分為n型和p型兩種類型，按硅單晶的生產(chǎn)方法和硅片的加工方法分別分為直拉、懸浮區(qū)熔和中子嫂變摻雜(NTD)三種硅單品

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