GB/T 16595-1996晶片通用網(wǎng)格規(guī)范

ICS29.045H21中華人民共和國國家標準GB/r16595-1996晶片通用網(wǎng)格規(guī)范Specificationforauniversalwafergrid1996-11-04發(fā)布1997-04-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準品片通用網(wǎng)格規(guī)范GB/T16595-1996中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045http//電話：63787337、637874471997年4月第一版2005年1月電子版制作書號：155066·1-13652版權專有侵權必究舉報電話：（010）68533533

GB/r16595-1996本標準等效采用半導體設備和材料國際組織SEMIM17一90《品片通用網(wǎng)格規(guī)范》,結合我國的實際情況制定的,用于定量描述圓形半導體品片上非均勾分布的表面缺陷、本標準適用于定量GB/T12964、GB/T14139中品片的表面缺陷在引用標準中,SEMIM17中引用的凡已轉化成我國標準的國外標準,都引用現(xiàn)行的我國標準。與本標準配套的規(guī)范有GB/T16596—1996《確定晶片坐標系規(guī)范》本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司標準計量研究所歸口。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司標準計量研究所負責起草，本標準主要起草人：吳福立。本標準1996年11月首次發(fā)布

中華人民共和國國家標準GB/T16595-1996規(guī)晶片格！范Specificationforauniversalwafergrid1范圍1.1本標準規(guī)定了可用于定量描述公稱圓形半導體品片表面缺陷的網(wǎng)格圖形。網(wǎng)格規(guī)定包含1000個面積近似相等的網(wǎng)格單元，每個網(wǎng)格單元相當于受檢表面固定優(yōu)質區(qū)總面積的0.1%。根據(jù)晶片表面上有缺陷的面積百分比(或有效的面積百分比），可定量其非均勾分布的表面缺陷(例如,滑移)。1.2把透明的網(wǎng)格覆蓋到晶片缺陷圖形上或把被觀測的品片缺陷圖形映到網(wǎng)格上，定量有缺陷的面積,計算含有缺陷的網(wǎng)格單元的數(shù)量。該單元數(shù)除以10相當于有缺陷面積的百分比。也可將該網(wǎng)格疊加在CRT顯示器、照片或計算機繪制的圖上。使用時，網(wǎng)格的直徑必須與所覆蓋的晶片圖形或圖像尺寸成比例。1.3網(wǎng)格以晶片中心來定位。根據(jù)GB/T12964或SEMIMI規(guī)定的品片公稱直徑，使用“固定優(yōu)質區(qū)”的概念。1.4外延層上滑移和其他非均勻分布的缺陷，最大允許值已在GB/T14139、SEMIM2和SEMIM11中規(guī)定，按照GB/T6624、GB/T14142和YS/T209進行觀測。2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本規(guī)范中引用而構成為本規(guī)范的條文。本規(guī)范出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本規(guī)范的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性、2.1我國標準GB/T1554一1995硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法GB/T6624一1995硅拋光片表面質量目測檢驗方法GB/T12964-1991硅單晶拋光片GB/T14139-93硅單晶外延片GB/T14142—93硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法GB/T14264-93半導體材料術語YS/T209-94硅材料原生缺陷圖譜2.2SEMI標準SEMIM1一94硅單晶拋光片規(guī)范SEMIM2-94硅單晶外延片規(guī)范SEMIM11-94先進電路